文章介绍了科研团队在CrOCl/NbSe2范德华异质结中构建Fulde-Ferrell-Larkin-Ovchinnikov(FFLO)态的研究成果。研究利用NbSe2薄片的超导邻近效应,实现了在人工CrOCl/NbSe2范德华异质结中的FFLO态构建。该发现不仅为构建FFLO状态提供了实用方案,还启发了在其他2DvdW异质结中寻找奇异FFLO状态的可能性。此外,文章还包含了相关的图文导读和文献信息。
科研团队利用NbSe2薄片的超导邻近效应,在人工CrOCl/NbSe2范德华异质结中成功构建了Fulde-Ferrell-Larkin-Ovchinnikov(FFLO)态。这是该研究的主要成果。
研究通过第一性原理计算揭示了邻近超导性的起源,表明Cr空位或线缺陷在CrOCl中的重要性。此外,CrOCl中固有的大自旋分裂可以诱导FFLO状态。
这项研究不仅为构建FFLO状态提供了一种实用的方案,而且还启发了在其他2DvdW异质结中探索奇异的FFLO状态的潜力。
文章提供了文献信息和链接,介绍了研究成果的背景和重要性。此外,还提到了上海昂维科技有限公司提供的二维材料单晶和薄膜等耗材、器件和光刻掩膜版定制等微纳加工服务以及各种测试分析服务。
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成果介绍
超导体中的时间反转对称性破缺是由外加磁场或自发磁化引起的,通常会导致超导体具有非常规的超导性质。这样,一种称为Fulde-Ferrell-Larkin-Ovchinnikov(FFLO)态的本征现象可以通过塞曼效应实现。
有鉴于此,近日,
上海科技大学
李军教授,刘健鹏教授,王靖珲副研究员和北京大学叶堉教授(共同通讯作者)等合作利用NbSe
2
薄片的超导邻近效应,在人工CrOCl/NbSe
2
范德华(vdW)异质结中构建了FFLO态
。邻近诱导的超导性表现出约0.12 meV的相当弱带隙,面内上临界场显示出FFLO态的行为。第一性原理计算揭示了邻近超导性的起源,这表明了Cr空位或线缺陷在CrOCl中的重要性。此外,CrOCl中固有的大自旋分裂可以诱导FFLO状态。本文的发现不仅为构建FFLO状态提供了一种实用的方案,而且还启发了在其他2D vdW异质结中发现奇异的FFLO状态。
图文导读
图1. 在人工CrOCl/NbSe
2
vdW器件中构建FFLO态。
图2. CrOCl/NbSe
2
的超导表征。
图3. 与温度和磁场有关的差分电阻(dV/dI)谱。
图4. CrOCl中邻近超导性的起源。
文献信息
Constructing the Fulde–Ferrell–Larkin–Ovchinnikov State in a CrOCl/NbSe
2
van der Waals Heterostructure
(
Nano Lett.
, 2024, DOI:10.1021/acs.nanolett.4c03079)
文献链接:https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.4c03079
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