Nano Lett.：在CrOCl/NbSe2范德华异质结中构建FFLO态

成果介绍

超导体中的时间反转对称性破缺是由外加磁场或自发磁化引起的，通常会导致超导体具有非常规的超导性质。这样，一种称为Fulde-Ferrell-Larkin-Ovchinnikov（FFLO）态的本征现象可以通过塞曼效应实现。

有鉴于此，近日，上海科技大学李军教授，刘健鹏教授，王靖珲副研究员和北京大学叶堉教授（共同通讯作者）等合作利用NbSe₂薄片的超导邻近效应，在人工CrOCl/NbSe₂范德华（vdW）异质结中构建了FFLO态。邻近诱导的超导性表现出约0.12 meV的相当弱带隙，面内上临界场显示出FFLO态的行为。第一性原理计算揭示了邻近超导性的起源，这表明了Cr空位或线缺陷在CrOCl中的重要性。此外，CrOCl中固有的大自旋分裂可以诱导FFLO状态。本文的发现不仅为构建FFLO状态提供了一种实用的方案，而且还启发了在其他2D vdW异质结中发现奇异的FFLO状态。

图文导读    

图1. 在人工CrOCl/NbSe₂ vdW器件中构建FFLO态。

图2. CrOCl/NbSe₂的超导表征。

图3. 与温度和磁场有关的差分电阻（dV/dI）谱。

图4. CrOCl中邻近超导性的起源。

文献信息

Constructing the Fulde–Ferrell–Larkin–Ovchinnikov State in a CrOCl/NbSe₂ van der Waals Heterostructure

（Nano Lett., 2024, DOI:10.1021/acs.nanolett.4c03079）

文献链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.4c03079   

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