1.麦格理分析师：DRAM和Flash价格会持续涨到年底；
2.国内厂商将采用三星第一款全网通Exynos7872芯，或是魅族；
3.传联发科有意退出无线充电联盟AirFuel主攻WPC；
4.3D NAND延续摩尔定律 电容耦合效应及可靠度仍为技术关键；
5.AMD全新企业级CPU与APU路线图曝光
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1.麦格理分析师：DRAM和Flash价格会持续涨到年底；
集微网消息，据外媒报道，存储芯片市场上周出现降温杂音，麦格理分析师Daniel Kim提出反驳。
他认为下半年DRAM和NAND价格仍会续涨，有利美光、西部数据、三星、南亚科、力成、东芝和SK海力士股价。
据巴隆周刊（Barron's）报导，Daniel Kim发布报告说：「所有数据和消息都表明存储芯片市场今年下半年会比预期更强。 」他看好存储芯片价格会持续涨到今年底。
整体来说，Daniel Kim认为芯片价格上涨，即暴露看空论点的瑕疵。
他指出，建构数据中心的厂商「重视的是系统的表现而非管控成本」，「材料成本上扬会影响存储芯片类股的说法似无说服力」，「此外，连智能手机厂商也没有多少减少存储容量的空间」。
Daniel Kim也指出，三星不愿像过去一样「让DRAM充斥市场」，中国厂商供过于求之说也「不可靠」。
更具体来说，他认为美光等厂商供应PC市场的DRAM合约价，「第3季将持平甚至微幅上扬」，手机等移动设备的DRAM合约价同季将继PC和服务器之后「接棒涨价」。
移动设备用DRAM是「利润最薄」的一环，金桐完认为，苹果在内的厂商「在供应短缺和季节性因素下，势必得接受涨价」。
他也看好NAND闪存会上涨，他在报告中说：「NAND对现货市场供应有限，导致现货溢价30%甚至100%。 由于移动芯片（eMMC／eMCP）和SSD需求强劲，NAND供货商已减少对通路市场供货」，「因此，尽管NAND供货商无意再涨价，价格可能再涨10%，才能在第3季达到供需平衡。 」
2.国内厂商将采用三星第一款全网通Exynos7872芯，或是魅族；
集微网 5月13日报道
近日有消息称，三星正在计划发布一款最新的芯片Exynos 7872，最核心的改变则是，它将集成全网通基带，并很可能将在今年10月份出货。
据目前已知的消息称，三星Exynos 7872基于14nm FinFET工艺制程，这相比于之前的28nm制程处理器，CPU性能提升70%，能耗效率也提升了30%。与此同时，它还拥有两颗ARM Cortex-A73核心+四颗ARM Cortex-A53核心，集成T830 MP2图像处理器，从这方面来看，这款三星Exynos 7872芯片极有可能会在三星Galaxy C系列和Galaxy A系列上面使用。
除了三星，今日曾经微博认证为IHS Technology中国研究总监王阳在微博称，Exynos7872是三星的第一款全网通芯片，国内还有客户。
国内此前大规模采用三星芯片只有魅族，有媒体猜测王阳暗示的厂商或许就是魅族。而魅族刚刚对内部完成重组，魅族系列与魅蓝系列分开运营。根据定位，Exynos 7872极有可能用魅蓝产品上。
而随着魅族与高通达成和解，传闻称，魅族旗舰手机将采用高通芯片。这样看来，联发科目前处境就非常尴尬。
3.传联发科有意退出无线充电联盟AirFuel主攻WPC；
集微网消息，据台湾媒体报道，传联发科有意退出无线充电两大联盟之一的AirFuel联盟（简称AFA），将主攻苹果、三星等重量级手机品牌厂云集的WPC联盟。
目前全球无线充电分为WPC（即Qi认证）和「irFuel（AFA）两大联盟，由于WPC推行时间较早，且成本和价格较低，市售产品仍以WPC阵营为主。
联发科因为布局多模产品，因此过去原本在两大阵营都是会员，去年更是一举成为全球最大无线充电组织WPC理事会成员，取得主流规范制订权。
AFA联盟近来较为势微，主要的大厂仅剩联发科和头号竞争对手高通，市场传出，联发科近期有意退出AFA联盟，仅保留子公司立锜在AFA的会员资格。 不过，AFA联盟仍极力挽留中。
联发科自从合并立锜后，双方已进行业务整合，最后确定无线充电业务团队移转，由立锜代表集团卡位无线充电市场。 由于苹果将在即将登场的iPhone 8导入无线充电，使用的规格倾向与Qi类似的磁感应为主，立锜现阶段亦以发展WPC的Qi规格为主力。
4.3D NAND延续摩尔定律 电容耦合效应及可靠度仍为技术关键；
DIGITIMES Research观察，2D NAND Flash制程在物理限制下难度加剧，透过3D NAND Flash制程，无论是效能及储存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可谓为摩尔定律在半导体内存领域延伸的一项重要技术。
3D NAND Flash依存储元件储存机制可分浮动闸极(Floating Gate；FG)及电荷缺陷储存(Charge Trap；CT)；依不同堆栈结构技术又可分为BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG等。
在三星(Samsung)、东芝(Toshiba)、美光(Micron)/英特尔(Intel)及海力士(SK Hynix)各阵营陆续突破3D NAND Flash规模的技术障碍后，伴随大数据、云端应用、SSD等终端应用强烈需求下，3D NAND Flash技术已成为NAND Flash厂商在容量、效能及成本之间取得平衡的主要发展方向。
目前3D NAND Flash技术可谓百花齐放，然电容耦合效应该如何改善、可靠度该如何提升仍是主导未来3D NAND Flash技术发展的重要关键。
3D NAND Flash技术发展蓝图
注：CT指Charge Trap，以电荷缺陷机制储存数据；FG指Floating Gate，以浮动闸极储存机制储存数据。
数据源：各公司，DIGITIMES Research整理，2017/5
5.AMD全新企业级CPU与APU路线图曝光
说完了传闻中被 Ryzen 逼出来的英特尔“酷睿 i9”，这边外媒 VideoCardz 又晒出了 AMD 未来处理器的新路线图。由幻灯片可知，这批被曝光的是 AMD 的企业级 CPU 和 APU 新品，但日期标识却是 2016 年 2 月份，因此可能与实际情况有所出入。不过最令人感兴趣的，还是传闻中 AMD 正在规划的 7nm 工艺 48 核心单插槽 CPU 。
从路线图可知，其代号为“星际飞船”（Starship），可能是基于 32 核“那不勒斯”（Naples）架构的下一代皓龙（Opteron）处理器。
如果消息靠谱，那么 AMD 有可能在明年发布。当然我们也必须留点疑问，毕竟这是 14 个月前的路线图。
而在 Starship 之后，还可以见到基于 7nm 制程的“灰鹰”（Gray Hawk）和“河鹰”（River Hawk），其有望于 2019 年面世。
当然，这则新旧掺半的传闻，也让我们联想到了曾经的 16 核 Zen 处理器。幻灯片中称其为“雪鸮”（Snowy Owl），而且奇怪的是只可能提供 BGA 封装的版本。
更近期的传闻则称，新处理器还是会和 Naples 一样采用插槽式。不管怎样，幻灯片都指出“雪鸮”采用了 1~2 组与当前 Ryzen 芯片相同的“齐柏林”（Zeppelin）核心，并有 4~16 核的版本。
进一步往下看的话，我们还留意到了新款 APU 和“嵌入式 R 系列”CPU 的存在，其中后者的代号为“大角鸮”（Great Horned Owl）。
它采用了四个 Zen 核心 + 11 个 GCN CU 单元，支持 4K @ 60Hz 的 V9 视频解码、可同时带动 4 台 4K 显示屏。
幻灯片还指出，该 APU 的图形部分基于（与 Vega 相同的）GFX9 架构，并且支持 10-bit H.265 视频的编解码。连接性方面，其提供了 4×USB 3.1、4×SATA、双千兆以太网、16x PCIe 3.0 。
最后，“大角鸮”APU 有望提供 BGA 封装和 AM4 接口的版本，热设计功耗在 12W 到 65W 之间。cnbeta
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