1.三星砸54亿美元、7纳米提前建厂；
2.高通7纳米世代回归台积电势在必行 联手转进FinFET制程；
3.2017年全球整体IC市场规模年增16% 存储器车用IC成长幅度最高；
4.Lam Research科技长：存储器会转变成模拟处理器；
5.第二季NAND Flash品牌厂营收季成长8%，第三季价格续扬
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1.三星砸54亿美元、7纳米提前建厂；
集微网消息，三星电子决定提前兴建南韩华城的18号线，提高竞争力抢单。
韩媒BusinessKorea 19日报导，三星华城厂的18号线原定明年动工，如今三星决定提前至今年11月破土。18号线的建筑面积为40,536平方公尺，总楼面面积为298,114平方公尺。投资金额为6兆韩圜(54亿美元)，预定2019年下半完工，生产存储器以外的半导体产品。
华城厂为综合晶圆厂，生产DRAM、3D NAND flash、系统半导体等。18线将装设数十台先进晶圆代工所需的极紫外光(EUV)微影机台。三星提前施工，显示该公司有意强化晶圆代工竞争力。三星今年把晶圆代工部门独立出来，大举投资，并放话抢市。
路透社7月25日报导，南韩三星电子副社长、担任5月份新设立的晶圆代工事业部负责人的E.S. Jung 24日接受专访时表示，除了大型企业之外、也将抢攻中小型客户，目标在5年以内将晶圆代工市场份额扩增至现行的3倍、提高至25%的水准。Jung指出，“希望能成为晶圆代工市场上强大的第2把交椅”。
BusinessKorea、Korea Economic Daily、韩联社报导，三星晶圆代工共有三个厂区，S1厂在南韩器兴(Giheung)、S2厂在美国德州奥斯汀、S3在南韩华城(Hwaseong)。S3预定今年底启用，将生产7、8、10纳米制程晶圆。
去年底数据显示，全球晶圆代工龙头是台积电、联电排名第二、美国格罗方德(Global Foundry)名列第三、三星电子虽是小四，但是正急起直追。IHS Market数据显示，2016年三星晶圆代工营收为45.18亿美元，较2015年大增78.6%。
韩媒The Investor 6月27日报导，6月三星电子将斥资10亿美元投资德州奥斯汀厂，该厂房负责制造用于移动设备的系统单芯片(SoC)等。PhoneArena消息显示，奥斯汀厂是苹果A系列处理器的重要生产基地。
三星同时公布了晶圆代工的发展路径，当前主力为第二代10纳米FinFET，今年准备进一步研发8纳米，2018年进入7纳米，2020年转入4纳米。据传三星将跳级研发6纳米制程，预定2019年量产。
半导体业界透露，三星提前动土，也要用最先进的设备，切入7nm以下制程，全力抢食逻辑芯片代工订单，而且目标直指台积电大客户苹果的下世代A12处理器。
消息指出，三星可能挟掌握全球超过九成以上OLED面板产能的优势，逼迫苹果调整代工策略，将A12部分订单交给三星，但这部分未获三星高层证实。 三星将晶圆代工成立事业部后，曾宣示要在五年内将晶圆代工市占率扩增至现行的三倍，提高至25%的水平。
产业分析师指出，目前台积电7nm制程至少已有12个移动设备产品设计定案，还有从三星抢回来的高通订单，在7nm战役至少还领先三星一至二年以上。
台积电为回击三星在7nm全数导入极紫外光（EUV）作为曝光利器，也决定在7nm强化版提供EUV解决方案，巩固客户。 这项制程并订2019年下半年量产，和三星进度相近。
此外，台积电在5nm制程将全数导入EUV，目前5nm生产重镇规划在南科，相关建厂作业已经展开，预定2020年量产。
台积电董事长张忠谋曾说过，对竞争对手英特尔与三星，一直列为雷达上的劲敌。 因此，内部高度警戒，绝不让三星有任何见缝插针的机会，尤其防止机密外泄比以前更严密。
图表来源：经济日报
2.高通7纳米世代回归台积电势在必行 联手转进FinFET制程；
台积电、高通(Qualcomm)是全球少数可以投入7纳米以下高端制程的半导体技术领航者，高通技术授权事业工程技术副总Sudeepto Roy表示，与台积电近10年来的合作从65纳米开始，会一直走到FinFET制程世代。业界对此解读为高通在7纳米世代将重回台积电生产，在延续摩尔定律的艰钜道路上，台积电绝对是高通更值得信任的合作伙伴。
高通和台积电近10年来的合作轨迹从2006年一起开发65纳米制程，2007年开发45纳米制程，延续到2010年合作28纳米制程，然随着半导体产业转进至FinFET制程世代之后，高通与台积电的技术合作表面上看似断了线，因为当年在关键的16/14纳米制程抉择点上，高通碍于众多考量，选择采用三星电子(Samsung Electronics)14纳米制程，而非台积电16纳米制程。
高通与三星的合作横跨两个半导体制程世代，从16纳米一路到10纳米制程，近期高通在7纳米制程重回台积电生产的传言甚嚣尘上，业界分为两派说法，一是高通手机应用处理器(AP)订单将采用台积电的7纳米制程生产，另一派说法则是高通将先释出基频(baseband)芯片给台积电的7纳米生产，但最关键的AP晶圆代工，高通仍在台积电与三星之间考虑。
然就最近动态看来，台积电7纳米重获高通订单已是势在必行。高通坦言，全球半导体产业中可以驱动高端制程技术不断往前发展的公司，已是凤毛麟角，台积电在先进制程技术上花很多力气，包括极紫外光(EUV)技术等发展，高通和台积电彼此对于研发技术都一直有双向沟通，且同步擘划未来3~5年的技术愿景蓝图。
Roy强调，高通拥有最强大的IC设计能力，结合台积电擅长的低功耗、高密度、高品质等精湛生产制造能力，彼此合作是强强联手，况且台积电董事长张忠谋与高通创办人Irwin Jacobs彼此私交甚笃，未来双方技术研发合作绝对是紧密互存。
高通从2006年开始每年营收的20%都投注在研发费用上，历年来累积的研发费用已高达470亿美元，2017年手上握有的专利高达13万个，奠定高通在全球通讯芯片龙头的坚固地位。
另外，高通与台湾科技产业高度相互依存，不仅是在半导体产业，还包括手机、电脑，甚至是未来的物联网等各个产业层面上，与鸿海、仁宝、纬创、宏碁等台厂都有十分紧密的合作关系，近期诺基亚(Nokia)发表的年度旗舰手机Nokia 8，便是采用高通Snapdragon 835处理器芯片，且由富士康负责生产制造。DIGITIMES
3.2017年全球整体IC市场规模年增16% 存储器车用IC成长幅度最高；
在DRAM、汽车特用逻辑与模拟芯片、NAND Flash，以及工业∕其他特用逻辑芯片等市场规模大幅成长的推动下，预估2017年全球整体IC市场规模将会年增16%。
据调研机构IC Insights最新公布预估，在33类IC产品中，2017年计有29类产品市场规模会出现年增，并且其中有10类产品市场规模年增幅度将会大于(等于)10%。仅显示器驱动芯片、4/8位元微控制器、SRAM，以及闸阵列(Gate Array)等4类产品规模会出现年减。
2017年市场规模年增幅度最高的IC产品是DRAM，达55%。IC Insights表示，由于2017年上半全球DRAM平均售价(ASP)强劲攀升，因此DRAM产品市场规模年增幅度会重新跃居各类IC产品之冠，并不意外。
近5年全球DRAM市场规模每年成长幅度呈现强烈波动。2013与2014年DRAM规模分别年增32%与34%，居各当年各类IC产品规模年增幅度之首。2015与2016年DRAM规模分别年减3%与8%，在各当年IC产品年增率的排名中，也分别跌至第18与26名。然而，预估2017年DRAM又会以年增55%，再度排名第一。
除DRAM外，2017年汽车特用逻辑芯片、NAND Flash、工业∕其他特用逻辑芯片，以及汽车特用模拟芯片等类IC产品市场规模年增幅度，也都会高于当年整体IC市场规模年增幅度，分别达48%、35%、32%与18%。
至于市场规模年增幅度也达到双位数百分比的其他类IC产品，尚包括讯号转换(年增13%)、32位元微控制器(年增12%)、电脑与周边特用逻辑芯片(11%)、电源管理模拟芯片(11%)，以及16位元微控制器(10%)等。
资料显示，2016年仅有21类IC产品市场规模出现年增。此外，显示器驱动芯片、4/8位元微控制器、SRAM，以及闸阵列等4类产品2016年与2017年市场规模将会连续年减，不过2017年减幅度已较2016年收缩。DIGITIMES
4.Lam Research科技长：存储器会转变成模拟处理器；
新的运算架构在硅谷成为热门话题，尽管存储器以及微处理器目前仍旧是2个不同的元件，随着信息量持续增加，半导体产业很有可能会走上结合存储以及逻辑元件的路。摩尔定律见证半导体产业持续推出更快、更便宜、更节能的芯片，然而摩尔定律的速度变缓是产业面临的挑战。电移(electromigration)、温度迁移(thermal migration)、动态电流密度等物理效应考验摩尔定律，通过工程技术克服制造瓶颈的难度的更高、费用更为昂贵。
据网站Semiconductor Engineering报导，除了芯片相关议题， 资讯量爆炸也考验着半导体产业。随着物联网(IoT)的发展，可预见在未来10年内，很可能会有上兆个的连网物件透过感应器传递资讯。不论是道路状况、空气品质，甚至是血糖都将由感应器监控。当感应器搜集资料时，不论这些资料究竟有没有用，都需要微处理器的判别。
这不仅需要大量运算能力，更重要的是重新思考运算架构。随着资料量增加，移动处理器或许比移动资料更有意义。科林(Lam Research)科技长Rick Gottscho谈到这可能的改变，认为半导体产业将历经整合逻辑元件及存储器。Gottscho认为存储器终将变成具备快速资料传输能力的模拟处理器，在这样的架构之下，耗能将降低，速度也会更快。
Gottscho指出，若从挥发存储器转变为非挥发存储器，可增强效能以及耗能。此外，考量如何处理模拟资讯，例如利用不同的加速器或是处理器，包括绘图处理器(GPU)、可编程逻辑闸阵列(FPGA)、数字信号处理器(DSP)等，减少CPU必须处理的资料量。更有效率的DRAM以及SRAM，或是硅光子(silicon photonics)的运用，这些不同技术的进步，针对不同的应用重整资讯流，都有可能提升效率。
不同的封装方式也可能改变长久以来的物理限制，例如2颗芯片并列，然而如何能够达成量产，则是另外的考验。上述许多的新技术以及解决方案可能在未来数年实现，不论最后是哪个应用成为市场主流，胜出的方案必定能够在耗能以及效能上有长足的进步。DIGITIMES
5.第二季NAND Flash品牌厂营收季成长8%，第三季价格续扬
集微网消息，集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，今年第二季整体NAND Flash市况持续受到供货吃紧的影响，即便处于传统NAND Flash的淡季，各产品线合约价平均仍有3-10%的季增水平。由于第三季智能手机与平板计算机内的eMMC/UFS以及SSD合约价仍持续小涨，2017年将是NAND Flash厂商营收表现成果丰硕的一年。
DRAMeXchange资深研究经理陈玠玮指出，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面临微缩限制，NAND Flash原厂纷纷转进垂直堆栈制程(3D/Vertical-NAND)，但在转换期间所带来的产能损失，已持续造成整体供需失衡，进而使合约价持续上扬，预计今年整年仍将处于供不应求的状态，预期要到2018年随着各原厂在64/72层3D-NAND制程成熟后，才能缓解目前缺货局面。
三星电子(Samsung)
从各大NAND Flash原厂第二季度营运表现来看，三星受惠于整体供需状况吃紧、高容量企业级固态硬盘的亮丽表现及整体产品配置的成功布局，第二季营收较今年第一季成长11.6%，达47亿美元。
SK海力士(SK Hynix)
第二季度SK Hynix整体营收为13亿美元，较前一季度衰退0.7%，原因在于进入第二季度中国智能手机需求不如预期，导致位元出货量季减6%。然而，受惠于整体NAND市场库存水位偏低以及供给持续吃紧，促使整体产品线平均售价仍比第一季提升8%，获利率维持在高点。
东芝半导体(Toshiba)
东芝半导体现阶段受限于金流问题，整体3D-NAND产能投资上仍然受制，未能开出较多产能；现阶段在产品规划仍然以满足苹果需求为重心，其次才是手机存储应用与SSD产品线。
第二季度在市场供货仍然吃紧下，东芝半导体在产品议价上仍维持相当优势，也让第二季度营收成长0.5%，来到23.2亿美元，虽然位元出货量受制于现况并未成长，但仍维持稳定获利水平。
西数(Western Digital)
去年完成SanDisk整并后，西数的零售市场业务营收持续增加，较去年同期成长达约36%。值得一提的是，相较于整体PC市场需求的劣势，西数仍能藉此以较优势的产品区隔来增加行动业务与零售端存储产品的营收，此两项产品占比总和已超过50%。其第二季度整体营收较上季度成长8.6%，相较于去年同期约成长70%，其中来自于数据中心的Enterprise SSD与零售渠道的Client SSD营收成长最为惊人，分别达到7%与14%年增率。
美光(Micron)
美光受惠于持续成长的Enterprise SSD需求、市场供货吃紧，以及单位成本在3D-NAND产出增加下而有所改善，使其在NAND的获利率持续上升。美光第二季位元出货量较前一季度成长，让NAND Flash相关产品的营收较前一季成长20.8%，达17.1亿美元。
