中国工程院院士、国家新材料产业发展专家咨询委员会主任干勇在6月25日举行的“第三代半导体创新战略发布会”上表示，第三代半导体是我国在研发、应用上与发达国家差距较小，甚至有些地方是领先的，以后将会是我国新材料非常值得骄傲的领域。
在国际第三代半导体众联空间等支持下，我国第三代半导体科研等当前推进迅速。科技日报记者在采访中了解到，由北京华商三优新能源科技有限公司、泰科天润半导体科技（北京）有限公司等共同开展的大功率碳化硅器件新型充电桩在北京通州马驹桥充电场站投入应用。该充电桩运行稳定，电能转化效率高达96%，大大提高了充电效率与充电时间。
众联空间总经理林芸说，该新型充电桩示范工程就是在国际第三代半导体众联空间内孵化的。国际第三代半导体众联空间于2015年5月成立，围绕以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等为代表的第三代半导体器件和模块的技术应用项目，提供专业科技服务，独创出以“生态+平台+金融+体系+市场”五位一体的联盟孵化新模式。
第三代半导体材料及应用已成为全球半导体研究前沿和产业热点，我国正在通过国家重点研发计划等进行重要部署。如“中低压SiC材料、器件及其在电动汽车充电设备中的应用示范”项目是我国2016年战略性先进电子材料重点专项启动首批27个项目之一。
林芸说，国际第三代半导体众联空间，依托国际半导体照明联盟、国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟等三大联盟应运而生。独创出的“五位一体”联盟孵化新模式，有效整合了价值链优势互补的科研力量，开展跨领域的基础前沿性技术研究；联合完整产业链上的骨干企业，开展共性关键技术、创新应用技术、单项技术集成与系统解决方案研究；对接地方资源，实现技术成果的孵化转化和应用示范；聚集国际智力资源，形成技术和产业思想库，为我国抢占第三代半导体战略高地实现“弯道超车”提供巨大动力。
如泰科天润半导体科技（北京）有限公司联合中国科学院半导体研究所，成功研制出了1200V碳化硅器件并实现小批量化生产，掌握了SiC MOSFET器件设计、关键工艺和制造等全套技术，成为国际上少数几个能提供SiC MOSFET器件的公司，为打破国外技术垄断奠定良好基础。
科技部高新技术中心材料处处长史冬梅也表示，通过众联空间等，“中低压SiC材料、器件及其在电动汽车充电设备中的应用示范”项目顺利实施，将使我国率先实现碳化硅材料在电力系统中的应用，占领国际制高点，对推进智能电网建设，保障我国能源安全和推进全球能源互联网具有重大意义。
林芸说，国际第三代半导体众联空间以“大企业需求”为导向，特设立产业投资基金池，孵化光电子、电力电子、微波射频领域项目，打造有利于中小微创新创业项目成长的产业发展平台。
为了更好地提供专业科技服务，众联空间采用“1+1+2+6”服务模式。即“1”套物理空间、“1”场品牌活动、“2”个公共技术服务平台（线上+线下），“6”大专业化科技服务模块，即包括创业导师服务、校企工程师苗圃、产业渠道服务、人才直聘服务、投融资服务、虚拟孵化服务。
林芸说，该模式是众联空间打造专业化众创空间的强劲引擎，将持续为第三代半导体材料及应用的不断创新注入强大动力，为“大众创业、万众创新”搭建科技支撑、人才支撑、核心技术支撑,实现中小企业与政府、大学和科研院所、大企业、行业联盟的多方共赢。
据统计，目前众联空间内已有40多家企业入驻，100%的企业为专业领域企业，80%为博士团队组建，依托联盟大企业资源的联合孵化模式优越性慢慢突显。
