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闻①：
DARM和NAND现货市场价格走低，涨价周期或将结束
从去年年中开始DRAM和NAND的就进入了涨价周期，大家应该都明显感受到内存和SSD价格比去年同期贵了不少，但这波涨价可能就到此为止了。根据
TrendForce
的最新现货市场价格趋势报告，DARM和
NAND闪存
现货市场价格短期内均未见明显回升迹象。
DARM现货市场价格走势和合约市场是背离的，未见转机迹象，除了内存模组厂库存过剩外，消费级市场也维持疲弱，尚未见旺季效应。
此外国内自5月底开始严厉打击走私行为，导致重新植球的DRAM芯片现货价格持续下跌，短期内难以反弹，整体而言主流芯片现货均价较上周下跌2.54%。重新植球是一种修复DRAM芯片的技术，通过更换芯片底部的锡球来修复芯片。在许多情况下，这可以使DARM再次工作，但这种芯片不如新的DRAM可靠。
同样由于SSD制造厂库存充足，现货NAND闪存市场交易同样疲软，尽管现货供应商降价，但需求仍未复苏。这已经导致现货价格和合约价格之间的分歧持续存在，市场人士对第三季是否会出现补库需求仍持观望态度。512Gb TLC晶圆现货本周下跌0.57%，报3,309美元。
总体而言，由于需求疲软，DRAM和NAND闪存市场在定价方面都面临重大挑战，TrendForce预计价格短期内不会回升。此外上游厂商也开始停止NAND闪存的减产，并准备增加产量，这举措可能会对NAND闪存供应和价格产生重大影响。
原文链接：https://www.expreview.com/94364.html
哟！这不内存和闪存嘛！几天不见怎么拉了？？不是要涨价吗？？怎么涨不动了？？与2016年那波浪潮不同，这次的存储芯片涨价风波来的也快去的似乎也快？前几天我们刚讲了铠侠已经回复全部NAND产能，有望拉低价格，今天看来是真的了。这个东西就像是囚徒困境一样， 大家都减产控制产量，大家就都涨价挣钱，但一但有一家忍不住了想着趁高点卖一波，那就像气球泄了气一样，收不回来了。到今天，NAND和DRAM芯片都有走低的迹象，看来降价应该不远了，就是不知道什么时候能降回前两年白菜价的好时代。
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闻
②：
美光在全球范围内加大HBM3E生产，或选择马来西亚建造新工厂
此前美光曾表示，希望到2025年，能占据20%至25%的HBM市场份额，力争提高到与传统DRAM相当的水平。对于具体如何去实现，美光并没有详细的说明，不过进一步扩大产能是必然的。
据相关媒体
报道
，美光除了在日本和中国台湾扩大产能外，还考虑在马来西亚生产HBM3E，并加强在美国的研发业务。考虑到美光至2025年的HBM产能都已经被客户预定，建设新工厂变得势在必行。
美光在马来西亚是有封装和测试基地的，所以选择在该地区新建DRAM工厂存在可行性。马来西亚有着相对成熟的半导体供应链，英特尔和AMD都在此建有封装设施。不过有业内人士称，美光不太可能在马来西亚生产DRAM芯片，因为需要耗费数年时间，而且资金投入也比较大，更大的可能性是建立组装产线，完成HBM3E的组装工作。
目前美光最大的HBM生产基地在台中，不但生产DRAM芯片，还会进行组装、封装和测试。美光打算进一步提升该地区工厂的产能，不过暂时还不清楚具体的计划。同时美光将在日本广岛县建造一座新的DRAM工厂，在广岛的新工厂位于现有的Fab 15附近，计划2026年初开工建设，目标2027年末完成工厂主体建筑建设和第一批工具的安装，但不包括后端封装和测试。其中将安装极紫外（EUV）光刻设备，以1-gamma（1γ）工艺生产DRAM芯片，未来还会过渡到1-delta工艺。
此外，美光还在美国爱达荷州博伊西新建一座DRAM工厂，并扩大了研发设施，为接下来的HBM4做准备。这也是美国20年来本土首个新建DRAM工厂，同时也是爱达荷州有史以来最大的私人投资项目。
原文链接：
https://www.expreview.com/94366.html
站在内存类产品顶端的HBM3E也有了新消息，之前我们说过，美光和海力士均表示自家2024年产能已经预定一空，这也导致了专业卡HBM3E内存的涨价和供不应求……不过这个情况可能会随着美光新工厂的建立得到改善，但对于一家独家的NVIDIA来说，肯定不会因为成本下降就降价……另外，三星也在紧张筹备中，或许等三星入局，成本还将继续下降。
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闻
③
：
新版13/14代酷睿K/KF/KS不稳定问题相关指导发布，英特尔称eTVB非根本原因
此前英特尔针对第13和14代酷睿处理器的游戏稳定性问题推出了“Intel Default Settings”配置文件，其中降低了核心电压并限制这些处理器的升压余量，但并没有解决本质问题，只是降低了问题发生的可能性，并会导致性能下降。此前有
报道
称，原因是eTVB功能相关的微代码算法中的值不正确，Raptor Lake在高温下增加频率和相应的电压可能会降低处理器的可靠性，受影响平台包括Raptor Lake-S和Raptor Lake Refresh-S。
今天英特尔
发布
了第13和14代酷睿K/KF/KS处理器不稳定问题的相关指导（2024年6月），分享了导致不稳定问题的确认因素，以及当前的用户指南。同时英特尔还感谢社区用户对此的耐心，表示正与合作伙伴持续调查用户汇报的不稳定问题，未来将继续分享调查的最新进展，直到最终得出结论。
英特尔根据分析认定，导致第13/14代酷睿K/KF/KS处理器不稳定问题的一个已确认的因素是： 由于先前的BIOS设置导致处理器在高温下仍能以睿频加速的频率和电压运行，从而导致的处理器电压输入升高。
在调查不稳定问题时，英特尔确实发现了eTVB算法中的一个瑕疵，这可能会影响第13/14代酷睿K/KF/KS处理器的运行条件。英特尔已经为eTVB瑕疵开发了补丁，并正在与我们的OEM/ODM主板合作伙伴合作，在2024年7月19日之前作为
BIOS更新
的一部分推出该补丁。随着与合作伙伴的深入调查，英特尔希望确保所有用户都清楚第13/14代酷睿K/KF/KS处理器的推荐设置。英特尔还建议用户检查主板厂商的网站，以获取最新的相关BIOS更新。
推荐设置通过了广泛的测试和验证，确保了第13/14代酷睿K/KF/KS处理器的最佳稳定性和可靠性。英特尔强调，超频或使用高于推荐功耗设置的用户需自行承担风险，可能会使保修失效或影响系统健康。
此外，英特尔称当前发现的eTVB瑕疵和不稳定问题相关，但并不是不稳定问题的根本原因。这意味英特尔与合作伙伴的分析调查将持续下去，可能会提供新版的第13/14代酷睿K/KF/KS处理器推荐设置。
原文链接：
https://www.expreview.com/94356.html
另外，之前的Intel 13代/14代酷睿不稳定的情况也有了新的调查结果。此前，曾有相关机构指出原因是eTVB功能相关的微代码算法中的值不正确，但Intel否定了这一结论。而今天，Intel终于也拿出了官方的调查结果，Intel认为是BIOS设置导致处理器在高温下仍能以睿频加速的频率和电压运行，从而导致的处理器电压输入升高，也就是依旧保持之前的言论，认为是主板厂商过于激进的BIOS设定的缘故。这个答案应该就是最终答案了，想来Intel也不会再对该问题继续跟进或处理。
