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本文综合了PConline和超能网的相关报道
现在的智能手机存储容量越做越大，很早之前，手机能有个8GB、16GB都称得上顶配，随着科技的进步，软件的更新速度不断加快，手机功能越来越多，用户对存储容量的需求量也越来越高。特别是近几年，手机ROM更是到了疯狂的256GB（像iPhone 7 Plus、ZenFone 3尊爵、ZenFone 2 Deluxe）。
虽然不确定未来会不会有更高的规格，但是很明显的是256GB会持续很长一段时间。为啥会这样呢？
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一、智能手机为何最大ROM只有256GB？
成本受限
大家都知道容量越大，成本越高。而大部分成本取决于存储介质（存储颗粒），相同容量的情况下，SLC的价格要明显高于MLC和TLC，虽然容量的提升反映在成本的具体数字上可能仅为几百一千。但考虑到手机要大规模生产，聚沙成塔这成语相信大家都懂。
TLC=Trinary-Level Cell，即3bit per cell，该类芯片传输速度较慢，寿命短，生产成本低MLC=Multi-Level Cell，即2bit per cell，该类芯片传输速度一般，寿命一般。至于SLC=Single-Level Cell，即1bit per cell，这类芯片几乎只出现在企业级SSD上，成本较高，当然速度和寿命也是三者中最出色的。
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存储颗粒的三种类型
颗粒规格的限制
比较出名的三星、镁光、现代、东芝这些上游存储颗粒供应厂商，其颗粒规格现时尚未突破256GB。由于手机不像电脑那样体积庞大，供应商们通常只能把一颗存储颗粒装在小小的手机内，因此手机容量就取决于这颗存储颗粒的规格。
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iPhone 7 nand flash芯片
手机内部空间限制
手机内部空间寸金尺土，目前还无法做到两颗存储颗粒共存，早期的解决方案是插入手机内存卡（TF卡），不过为了轻薄化与传输速度，很多手机都取消了拓展内存卡的功能。但庆幸的是如今手机内置容量都比较大，正常用个2~3年不成问题。
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TF内存卡
手机更换周期缩短
现在的智能机更新换代速度非常快，一年一换甚至一年两换的大有人在。之前中央电视台的《东方时空》栏目曾经做过调查，结果表示“52%手机用户平均一年以内换一部手机”。因此对于消费者来说，够用就好，太大也用不完。而厂商更是紧贴着用户的需求进行设计/生产。
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大环境下云存储的发展
随着科技进步，网速也越来越快，而现在的4G也逐渐取代了之前的3G，未来的5G也呼之欲出，网速的不断提升就衍生了一个新的名词——云存储。作为新兴的存储技术，与传统的购买存储设备和部署存储软件相比，云存储有着成本低、见效快、便于管理、方式灵活等优点，在保证数据安全的情况下，很多用户更愿意把数据存在云端，所以并不需要太多的本地存储空间。
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云存储
二、未来发展新趋势:3D NAND
什么是3D NAND？
3D NAND的概念其实不难理解：其原理简单说来就是“堆叠”，目前由英特尔和镁光研究出了一种将它们堆叠最高32层的方法。这么一来，一个MLC的闪存芯片上就可以增加最高32GB的存储空间，如果是单个TLC闪存芯片则可增加48GB。就目前来说3D NAND闪存属于一种新兴的闪存类型，通过把存储颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。
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3D NAND
3D NAND技术的优点
3D NAND的亮点在于它采用的是立体、垂直堆叠的方式来提高单颗粒中包含芯片的数量，堆叠层数的提高最终会带来容量的成倍提升，极大的提高产品的使用寿命；3D NAND可以提供更高的指令运行效率，使产品的运行性能得以提升；简化了编程阶段，有效减少了产品待机和工作时的能耗。
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3D NAND
目前，三星、SK Hynix、东芝/闪迪、Intel/镁光这几大NAND豪门都已经涉足3D NAND闪存了，而武汉新芯科技主导的国家级存储器产业基地，更是国内首家新建的12寸晶圆厂，投产后直接生产3D NAND闪存，可以说未来3D NAND就是突破移动设备ROM容量的必备技术。
四大NAND豪门的3D NAND闪存及特色
在主要的NAND厂商中，三星最早量产了3D NAND，其他几家公司在3D NAND闪存量产上要落后三星至少2年时间，Intel、美光去年才推出3D NAND闪存，Intel本月初才发布了首款3D NAND闪存的SSD，不过主要是面向企业级市场的。
这四大豪门的3D NAND闪存所用的技术不同，堆栈的层数也不一样，而Intel在常规3D NAND闪存之外还开发了新型的3D XPoint闪存，它跟目前的3D闪存有很大不同，属于杀手锏级产品，值得关注。
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四大NAND豪门的3D NAND闪存规格及特色
上述3D NAND闪存中，由于厂商不一定公布很多技术细节，特别是很少提及具体的制程工艺，除了三星之外其他厂商的3D NAND闪存现在才开始推向市场，代表性产品也不足。
三星：最早量产的V-NAND闪存
三星是NAND闪存市场最强大的厂商，在3D NAND闪存上也是一路领先，他们最早在2013年就开始量产3D NAND闪存了。在3D NAND路线上，三星也研究过多种方案，最终量产的是VG垂直栅极结构的V-NAND闪存，目前已经发展了三代V-NAND技术，堆栈层数从之前的24层提高到了48层，TLC类型的3D NAND核心容量可达到256Gb容量，在自家的840、850及950系列SSD上都有使用。
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三星最早量产了3D NAND闪存
值得一提的是，三星在3D NAND闪存上领先不光是技术、资金的优势，他们首先选择了CTF电荷撷取闪存（charge trap flash，简称CTF）路线，相比传统的FG（Floating Gate，浮栅极）技术难度要小一些，这多少也帮助三星占了时间优势。
有关V-NAND闪存的详细技术介绍可以参考之前的文章：NAND新时代起点，三星V-NAND技术详解
东芝/闪迪：独辟蹊径的BiCS技术
东芝是闪存技术的发明人，虽然现在的份额和产能被三星超越，不过东芝在NAND及技术领域依然非常强大，很早就投入3D NAND研发了，2007年他们独辟蹊径推出了BiCS技术的3D NAND——之前我们也提到了，2D NAND闪存简单堆栈是可以作出3D NAND闪存的，但制造工艺复杂，要求很高，而东芝的BiCS闪存是Bit Cost Scaling，强调的就是随NAND规模而降低成本，号称在所有3D NAND闪存中BiCS技术的闪存核心面积最低，也意味着成本更低。
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东芝的BiCS技术3D NAND
东芝和闪迪是战略合作伙伴，双方在NAND领域是共享技术的，他们的BiCS闪存去年开始量产，目前的堆栈层数是48层，MLC类型的核心容量128Gb，TLC类型的容量可达256Gb，预计会在日本四日市的Fab 2工厂规模量产，2016年可以大量出货了。
SK Hynix：闷声发财的3D NAND
在这几家NAND厂商中，SK Hynix的3D NAND最为低调，相关报道很少，以致于找不到多少SK Hynix的3D NAND闪存资料，不过从官网公布的信息来看，SK Hynix的3D NAND闪存已经发展了3代了，2014年Q4推出的第一代，2015年Q3季度推出的第二代，去年Q4推出的则是第三代3D NAND闪存，只不过前面三代产品主要面向eMCC 5.0/5.1、UFS 2.0等移动市场，今年推出的第四代3D NAND闪存则会针对UFS 2.1、SATA及PCI-E产品市场。
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SK Hynix的3D NAND闪存堆栈层数从36层起步，不过真正量产的是48层堆栈的3D NAND闪存，MLC类型的容量128Gb，TLC类型的也可以做到256Gb容量。
Intel/美光：容量最高的3D NAND闪存
这几家厂商中，Intel、美光的3D NAND闪存来的最晚，去年才算正式亮相，不过好菜不怕晚，虽然进度上落后了点，但IMFT的3D NAND有很多独特之处，首先是他们的3D NAND第一款采用FG浮栅极技术量产的，所以在成本及容量上更有优势，其MLC类型闪存核心容量就有256Gb，而TLC闪存则可以做到384Gb，是目前TLC类型3D NAND闪存中容量最大的。
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美光、Intel的3D NAND容量密度是最高的
384Gb容量还不终点，今年的ISSCC大会上美光还公布了容量高达768Gb的3D NAND闪存论文，虽然短时间可能不会量产，但已经给人带来了希望。
Intel的杀手锏：3D XPoint闪存
IMFT在3D NAND闪存上进展缓慢已经引起了Intel的不满，虽然双方表面上还很和谐，但不论是16nm闪存还是3D闪存，Intel跟美光似乎都有分歧，最明显的例子就是Intel都开始采纳友商的闪存供应了，最近发布的540s系列硬盘就用了SK Hynix的16nm TLC闪存，没有用IMFT的。
Intel、美光不合的证据还有最明显的例子——那就是Intel甩开美光在中国大连投资55亿升级晶圆厂，准备量产新一代闪存，很可能就是3D XPoint闪存，这可是Intel的杀手锏。
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3D XPoint闪存是Intel掌控未来NAND市场的杀手锏
这个3D XPoint闪存我们之前也报道过很多了，根据Intel官方说法，3D XPoint闪存各方面都超越了目前的内存及闪存，性能是普通显存的1000倍，可靠性也是普通闪存的1000倍，容量密度是内存的10倍，而且是非易失性的，断电也不会损失数据。
由于还没有上市，而且Intel对3D XPoint闪存口风很严，所以我们无法确定3D XPpoint闪存背后到底是什么，不过比较靠谱的说法是基于PCM相变存储技术，Intel本来就是做存储技术起家的，虽然现在的主业是处理器，但存储技术从来没放松，在PCM相变技术上也研究了20多年了，现在率先取得突破也不是没可能。
相比目前的3D NAND闪存，3D XPoint闪存有可能革掉NAND及DRAM内存的命，因为它同时具备这两方面的优势，所以除了做各种规格的SSD硬盘之外，Intel还准备推出DIMM插槽的3D XPoint硬盘，现在还不能取代DDR内存，但未来一切皆有可能。
总结：
科技在进步，我们永远无法预知未来，未来的手机又会发展成啥样呢？目前，小编还是建议大家购买64GB、128GB的手机更为合适，够用就好。考虑到用户需求的问题，相信之后很长一段时间也不会出超过256GB存储规格的手机。摩尔精英
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