1.韩国半导体出口额飙增,中国占六成以上；
2.集成电路2016年进口2271亿美元 芯片产业需在高端破局；
3.美国半导体材料巨头Entegris宣布加大在华投资；
4.高通将骁龙处理器改名为骁龙移动平台；
5.三星抢进 6nm制程，二代 10nm年底量产；
6.DRAM迈入3D时代！3D Super-DRAM是什么？
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1.韩国半导体出口额飙增,中国占六成以上；
集微网消息，日经新闻报导，韩国产业通商资源部15日宣布，因来自中国的内存需求旺盛，带动2017年2月份南韩半导体出口额较去年同月飙增近6成(增加57%)至65亿美元，金额连续第2个月创下史上新高纪录。
就项目别来看，2月份南韩DRAM、NAND Flash等「内存」产品出口额达42亿美元、较去年同月飙增超过8成；LSI等「系统半导体」产品出口额为18亿美元。
就出口国别来看，2月份南韩出口至中国的半导体金额达43亿美元、占整体比重高达近7成。
南韩半导体月出口额在截至2016年7月为止、大多维持在40-55亿美元左右水平，不过自去年8月起开始踏上走升基调，今年1月份扬升至64亿美元。
BusinessKorea 15日报导，三星电子决定砸下87亿美元，扩充南韩华城厂的DRAM产能。 三星人员表示，新产线约需两年时间建造，将视研发进度和制程转换良率，决定生产18nm制程DRAM，或更先进制程的DRAM。
三星电子代表说，三星DRAM的毛利率超过45%，尽管三星产品售价高，但是由于质量出众，优于竞争对手，在市场供不应求。 三星是内存霸主，去年在全球DRAM市占高达48%。
2.集成电路2016年进口2271亿美元 芯片产业需在高端破局；
集成电路2016年进口2271亿美元 芯片产业需在高端破局
本报记者 陈宝亮 北京报道
中国集成电路产值不足全球7%，而市场需求却接近全球1/3。正因为此，2016年，中国集成电路进口额依然高达2271亿美元，连续4年进口额超过2000亿美元，与原油并列最大进口产品。与此同时，集成电路出口金额为613.8亿美元，贸易逆差1657亿美元。
本届两会上，中国芯片产业第一次成为热议话题，在数十名代表的议案中现身。不难发现，2014年成立的1300多亿元的集成电路大基金，终于初显成效。
2013年开始，中国政府决心发展集成电路产业，出台《集成电路产业推进纲要》。同时，包括国家大基金、地方政府基金在内，国内集成电路产业基金总额已经超过4600亿元。政策、资本的双重驱动下，过去3年来，中国集成电路产业发生近百起并购整合，包括中芯国际、紫光集团等龙头企业已成规模， Intel、高通、德州仪器等国际巨头也已经在中国提高资本、技术投入。
在两会代表开始热议集成电路产业发展的同时，芯片企业思考的问题，成了如何突破高端市场。
展讯借道苹果供应商
2017年3月9日，紫光集团旗下展讯通信宣布与欧洲半导体公司Dialog建立合作伙伴关系。Dialog是全球最大的电源管理芯片公司，且一直是苹果的独家供应商。发布会上，双方透露近期将在中国成立合资公司。
在宣布合作之前，Dialog已经为展讯量身定制了芯片SC2705，并且被应用于展讯14纳米芯片SC9861G-IA中，该芯片在2月份的世界移动大会上正式推出，计划今年下半年量产。展讯通信是中国本土手机芯片设计公司，2014年被紫光集团收购，其后又获得Intel的90亿元注资，以及国家大基金的100亿元投资，成为中国芯片设计公司龙头企业。
2007年至今，展讯收入从12亿元增长至120亿元，10年增长9倍。2017年，展讯芯片出货量达到7亿套片，占全球基带芯片市场27%，连续多年位列全球第三，排在高通、联发科之后。但是，展讯绝大多数收入来自于低端市场。搭载展讯芯片的手机80%销往海外，畅销于印度、拉美等国家。
“全球60%的市场都是低端市场，但低端市场的收入可能只有20%，利润集中在中高端，”展讯通信董事长兼CEO李力游告诉记者：“低端市场展讯已经做到最大、达到天花板，现在必须要做中高端了。”
2016年，展讯尝试进入中高端市场，采用Intel架构推出首款16纳米4G芯片SC9860，这款芯片为展讯打开了高端市场的机遇。再推出第二款芯片时，展讯顺利迎来了巨头合作。除了Dialog的电源管理芯片之外，展讯还采用了Imagination的图像处理GPU芯片，Intel的CPU以及14纳米制造工艺。Intel、Imagination也均为苹果的供应商。
“站在巨人的肩膀上”，可以帮助展讯降低高端市场的门槛，李力游介绍，目前该芯片已经接到几家公司的订单，并交由Intel制造生产。
不过，现阶段来看，2017年的高端旗舰手机几乎全部计划采用高通835芯片，展讯则必须与联发科在中端市场鏖战。目前，展讯拥有2500多项专利，其中包括19件双卡双待核心专利、32件双卡双待双通专利，李力游介绍，“展讯是目前全球唯一掌握双卡双待双通技术的公司。”
2016年，高通芯片出货量8.4亿颗，收入超过150亿美元。联发科暂未公布其2016年财报，不过其市场份额从25%提升至28%。然而在2017年1月，联发科收入同比下滑14%。
借助国际领先企业实现弯道超车的芯片公司并非只有展讯。2014年，中芯国际得高通援手，制造工艺从40纳米提升至28纳米。2015年6月，中芯国际又与高通、华为、比利时微电子研究中心（IMEC）成立合资公司，合作研发14纳米工艺。受益于工艺提升，2016年，中芯国际收入大幅增长30%，达到29亿美元，同时，中芯国际预计今年启动7纳米工艺的研发，是全球第五家表态研发7nm工艺的半导体公司。
此外，国内存储器、传感器产业公司也均开始寻找国际领先企业合作。
仍需10年追赶
事实上，真正吸引国际公司的是中国庞大的芯片需求市场。根据工信部发布的《2016年电子信息制造业运行情况报告》，2016年电子器件行业生产集成电路1318亿块，同比大幅增长21.2%。但是，中国集成电路产值不足全球7%，而市场需求却接近全球1/3。正因为此，2016年，中国集成电路进口额依然高达2271亿美元，连续4年进口额超过2000亿美元，与原油并列最大进口产品。与此同时，集成电路出口金额为613.8亿美元，贸易逆差1657亿美元。
2016年，集成电路制造领域投资规模增长了31%，但相比于目前的需求空缺而言，投资仍远远不足。
根据清华大学微电子研究所所长魏少军介绍，“虽然总体产能投资还不够，但从工艺节点来看的话，目前已有产能和计划产能基本都集中在40-90纳米阶段，等这些产能先后开出来后，势必会造成资源过度集中，出现结构性过剩的问题。” 同时，国家集成电路大基金总裁丁文武也建议，“各地在发展IC产业时，要避免”遍地开花“开工厂的现象，更要避免低水平重复和一哄而上，形成泡沫。”
造成这一现象的原因，是整个产业链先进工艺的严重匮乏。虽然目前部分设计企业已经开始与中国公司开始技术合作，但高端制造工艺、设备仍然在对中国企业进行技术封锁。
2017年1月6日，美国总统科技顾问委员会发表了《确保美国在半导体领域长期领导地位》报告，该报告认为中国芯片业已经对美国相关企业和国家按照造成严重威胁，虽然目前中国芯片产业仍然落后，但有机会通过产业政策缩小与美国的技术差距，再通过更低的价格取而代之。建议美国总统对中国芯片产业进行更严密的审查，目前，中国集成电路的进口产品有接近50%来自美国。
根据国家《集成电路产业推进纲要》规划，到2030年，中国集成电路产业链主要环节达到国际先进水平，一批企业进入国际第一梯队，实现跨越发展。这也就意味着，在这一规划中，中国企业至少还需要10年多时间去学习、追赶。21世纪经济报道
3.美国半导体材料巨头Entegris宣布加大在华投资；
核心提示：美国Entegris公司（NASDAQ： ENTG）15日在上海宣布，与福建博纯材料有限公司签订协议以扩大在中国的业务，博纯材料将在其位于泉州的工厂制造Entegris特殊化学品。
新华社记者高少华
上海（CNFIN.COM / XINHUA08.COM）--美国Entegris公司（NASDAQ： ENTG）15日在上海宣布，与福建博纯材料有限公司签订协议以扩大在中国的业务，博纯材料将在其位于泉州的工厂制造Entegris特殊化学品。
Entegris是一家专为全球微电子及其他高科技行业提供特殊化学品和先进材料处理解决方案的公司，2016年销售额达12亿美元。目前，Entegris在美国和韩国制造特殊化学品，并在中国的北京、上海和西安有相关业务。此次与博纯材料的合作将在中国扩展产能，并缩短对中国客户的供货周期。
Entegris亚太区全球销售总裁李迈北在接受记者采访时表示，Entegris自2001年正式在华开设分支机构，目前来自中国市场的营收占全球总营收的10%，预计未来几年市场份额还将持续增长，Entegris在今后十年也将考虑直接在中国投资建厂。
“此次与博纯材料合作将显著提高Entegris的产能，以满足我们所服务的行业对特殊化学品日益增长的需求。”李迈北称。目前，在中国，Entegris的产品被广泛应用于半导体、LED、显示屏等领域。中芯国际、三安光电、京东方等都是Entegris的客户。
在全球半导体领域，中国大陆正成为全球市场增长的引擎和重点投资地区。未来几年全球计划新增20座12英寸晶圆厂，其中有17座在中国大陆。随着中国大陆新建晶圆厂的增加，也为全球半导体设备、材料、服务、以及关键系统等供应商提供了重要市场机会。
4.高通将骁龙处理器改名为骁龙移动平台；
本周，高通公司宣布它们决定改变提供硬件的方式，将高通骁龙处理器改名为“高通骁龙移动平台”，这应该能够更好地区分高通全部产品线。 高通骁龙处理器本质上就是一个平台，借助这个平台，智能电话（或其他智能设备）可以处理，连接和递送数据到终端用户。
高通表示，它为智能手机提供的产品在过去几年中被外界误读。高通公司产品营销副总裁Don McGuire表示：骁龙不仅仅是一个单独的组件，不是一颗单独的CPU，它是一块芯片，但也是多种技术集成，包括硬件，软件和服务，这些都不是简单的“处理器”这个词可以替代。
高通博客表示，这本质上是一个推广，扩大公众对高通技术在当今世界大多数智能手机上应用的认知。高通骁龙移动平台包括：片上系统（SoC），内建CPU，GPU，DSP和调制解调器、RF前端、高通快速充电、高通Aqstic音频DAC、Wi-Fi 802.11ac和11ad、触摸控制器和指纹技术。
本周高通还宣布，他们将把SoC产品分为两个品牌。高通移动将用于所有200级“移动平台”，而所有高端将继续使用骁龙品牌。高通希望这种命名能够反映高通从移动PC和服务器到汽车，IP摄像机，无人机，VR / AR耳机等所有需要改变和超越的地方。cnBeta
5.三星抢进 6nm制程，二代 10nm年底量产；
三星电子野心勃勃，全力抢攻晶圆代工业务，该公司宣布第二、三代 10 奈米制程量产时间，并表示未来将增加 8 奈米和 6 奈米制程，呛声台积电意味浓厚。
三星电子 15 日新闻稿称，三星电子 10 奈米 FinFET 制程良率稳定，能及时满足客户需求，增产情况顺利。 三星第一代 10 奈米制程 LPE（Low Power Early、10LPE），于去年 10 月量产，已经出货 7 万组硅晶圆。
三星电子晶圆代工主管 Jongshik Yoon 说，10LPE 之后，第二代 10 奈米制程 LPP「10LPP」将在今年底量产。 第三代 10 奈米制程 LPU「10LPU」明年量产，将持续提供业界最具竞争力的制程技术。
与此同时，三星表示，发展路径图增加了 8 奈米和 6 奈米制程，效能和功耗都表现更佳，承继 10 奈米和 7 奈米的创新技术，更具成本竞争力。 三星将在 5 月 24 日召开「美国三星晶圆代工论坛」（US Samsung Foundry Forum），届时会提供更多细节。精实新闻
6.DRAM迈入3D时代！3D Super-DRAM是什么？
3D Super-DRAM是什么？为何需要这种技术？
就算3D NAND的每位元成本与平面NAND相比较还不够低，NAND快闪存储器已经成功地由平面转为3D，而DRAM还是维持2D架构；在此同时，DRAM制程的微缩也变得越来越困难，主要是因为储存电容的深宽比(aspect ratio)随着元件制程微缩而呈倍数增加。
因此，为了要延长DRAM这种存储器的寿命，在短时间内必须要采用3D DRAM解决方案。什么是3D超级DRAM (Super-DRAM)？为何我们需要这种技术？以下请见笔者的解释。
平面DRAM是存储器单元阵列与存储器逻辑电路分占两侧，3D Super-DRAM则是将存储器单元阵列堆叠在存储器逻辑电路的上方，因此裸晶尺寸会变得比较小，每片晶圆的裸晶产出量也会更多；这意味着3D Super-DRAM的成本可以低于平面DRAM。
3D Super-DRAM与平面DRAM结构比较
3D Super-DRAM重复使用了运用于平面DRAM的经证实生产流程与元件架构；当我们比较平面与3D两种DRAM，储存电容以及存储器逻辑电路应该会是一样的，它们之间的唯一差别是单元电晶体。平面DRAM正常情况下会采用凹型电晶体(recessed transistor)，3D Super-DRAM则是利用垂直的环绕闸极电晶体(Surrounding Gate Transistor，SGT)
3D Super-DRAM架构
平面DRAM最重要也最艰难的挑战，是储存电容的高深宽比。如下图所示，储存电容的深宽比会随着元件制程微缩而呈倍数增加；换句话说，平面DRAM的制程微缩会越来越困难。根据我们的了解，DRAM制程微缩速度已经趋缓，制造成本也飙升，主要就是因为储存电容的微缩问题；这个问题该如何解决？
平面DRAM储存电容深宽比会随制程微缩而增加
平面DRAM的储存电容恐怕无法变化或是修改，但是如果使用存储器单元3D堆叠技术，除了片晶圆的裸晶产出量可望增加四倍，也能因为可重复使用储存电容，而节省高达数十亿美元的新型储存电容研发成本与风险，并加快产品上市时程。
垂直SGT与凹型电晶体有什么不同？两者都有利于源极(source)与汲极(drain)间距离的微缩，因此将泄漏电流最小化；但垂直SGT能从各种方向控制闸极，因此与凹型电晶体相较，在次临限漏电流(subthreshold)特性的表现上更好。
垂直SGT与凹型电晶体特性比较
众所周知，绝缘上覆矽(SOI)架构在高温下的接面漏电流只有十分之一；而垂直SGT的一个缺点，是没有逆向偏压(back-bias)特性可以利用。整体看来，垂直SGT与凹型电晶体都能有效将漏电流最小化。
接着是位元线寄生效应(parasitics)的比较。平面DRAM的埋入式位元线能减少储存电容与位元线之间的寄生电容；垂直SGT在最小化寄生电容方面也非常有效，因为位元线是在垂直SGT的底部。而因为垂直SGT与埋入式电晶体的位元线都是采用金属线，位元线的串联电阻能被最小化；总而言之，垂直SGT与凹型电晶体的性能与特征是几乎相同的。
垂直SGT与凹型电晶体的寄生电容比较
不过垂直SGT与凹型电晶体比起来简单得多，前者只需要两层光罩，节省了3~4层光罩步骤；举例来说，不用源极与汲极光照，也不需要凹型闸极光罩、字元线(word line)光罩，以及埋入式位元线光罩。如果你有3D Super-DRAM制造成本高昂的印象，这是不正确的；3D Super-DRAM的制程与结构，还有元件的功能性与可靠度都已成功验证。
垂直SGT需要的光罩层数较少
下图是3D Super-DRAM与平面DRAM相较的各种优点摘要：
编译：Judith Cheng
(参考原文： Why 3D Super-DRAM?，by Sang-Yun Lee，本文作者为3D Super-DRAM 技术供应商BeSang执行长)eettaiwan
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