专栏名称: 台懋科技
公司介绍,产品信息
目录
相关文章推荐
半导体行业联盟  ·  珠海!广东重点项目!第一片晶圆成功下线! ·  19 小时前  
21ic电子网  ·  分享一下单片机自定义printf函数 ·  昨天  
21ic电子网  ·  特朗普宣布,马斯克将任新职! ·  6 天前  
半导体行业联盟  ·  耐科装备,董事长,解除留置 ·  6 天前  
OFweek维科网  ·  突发!宁德时代旗下锂电大厂总经理换人! ·  1 周前  
51好读  ›  专栏  ›  台懋科技

台懋半导体 | MOS 管结构,原理及基本应用(四)

台懋科技  · 公众号  · 半导体  · 2024-11-14 11:45

正文

1. 三个极怎么判定

G (gate)—栅极,不用说比较好认

S (source)—源极,不论是 P 沟道还是 N 沟道,两根线相交的就是DS

D极(drain)—漏极,不论是 P 沟道还是 N 沟道,是单独引线的那边

2. N 沟道还是 P 沟道

箭头指向G 极的是 N 沟道 箭头背向G 极的是 P 沟道

3,寄生二极管方向如何

4.MOS 管用作开关时在电路中的连接方

关键点:

1,确定那一极连接输入端,那一极连接输出端 

2,控制极电平为?V 时 MOS 管导通

3,控制极电平为?V 时 MOS 管截止

N MOS:D 极接输入,S 极接输出

P MOS:S 极接输入,D 极接输出 反证法加强理解

N MOS 假如:S 接输入,D 接输出

由于寄生二极管直接导通,因此 S 极电压可以无条件到D 极,MOS 管就失去了开关的作用

P MOS 假如:D 接输入,S 接输出

同样失去了开关的作用

5. MOS 管的开关条件

N 沟道—导通时 Ug> Us,Ugs> Ugs(th)时导通 P 沟道—导通时 Ug< Us,Ugs< Ugs(th)时导通 总之,导通条件: |Ugs|>|Ugs(th)|

6,MOS 管重要参数

a,封装(外形,与PCB散热要求密切关联)

b,类型(极性 N MOS、P MOS)

c,耐压Vds(器件在断开状态下漏极和源极所能承受的最大的电压)

d,导通阻抗Rds(决定Id)

e,栅极阈值电压 Vgs(th)(开启电压)

f,输入容性阻抗值(结电容Ciss)

7,  MOS 管实物识别管脚

下面列部分封装及对应的管脚图,

 

8,粗略用万用表辨别 N NOS、P MOS

借助寄生二极管来辨别。将万用表档位拨至二极管档,红表笔接 S,黑表笔接 D, 有数值显示,反过来接无数值,说明是 N 沟道,若情况相反是 P 沟道。

静电敏感元件,测试需谨慎。

9、关于MOS 反向导通

在大多数 MOS DATASHEET中,并没有给出反向导通相关参数,但反向导通的应用 却是十分广泛的,在此给出我对反向导通的理解。

从上文我们可以得出结论,只要控制栅源电压使得导电沟道开启,那么漏极和源 极之间即可导通。而漏极和源极在结构上看是十分对称的,因此在栅源电压控制 得好,以及漏源电压没有使得体二极管导通的情况下,正向与反向导通皆可以参考数据手册中正向导通的电气参数。

那么是否存在反向导通时导电沟道和体二极管同时导通的情况呢?体二极管导通压降和导通内阻十分大,一般在栅源电压较大,使得 MOS 的导电沟道完全导通时,体二极管是不容易导通的,因为假设反向导通管压降能达到开启体二极管的压降,由于导电沟道的导通内阻很小,此时会产生相当大的电流,会超过 MOS管的额定电流,导致 MOS 管烧坏。若栅源电压较小,导电沟道的导通内阻较大时, 则可能出现导电沟道和体二极管同时导通的情况。

总结规律则为,在栅源电压使得 MOS 管不导通时,反向导通回路中,MOS 等效为 二极管。在栅源电压逐渐增加时,MOS 反向导通压降逐渐减小,导通内阻逐渐减 小。在栅源电压使得 MOS 完全导通时,反向导通回路中的 MOS 可大致等效为导线