1.力晶：中美签知识产权协议,大陆不可能去偷DRAM技术;
2.三星利用东芝混乱期加大投资在华半导体工厂;
3.Crucial推出128GB DDR4服务器内存;
4.3D NAND新技术加持 SATA SSD还有好光景;
5.台湾群联子公司合肥兆芯拟开放陆资入股
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1.力晶：中美签知识产权协议,大陆不可能去偷DRAM技术;
集微网消息，据台湾媒体报道，力晶集团董事长黄崇仁31日表示，DRAM制程技术已率先达到摩尔定律极限，加上中国大陆仍难突破三大厂的技术防线，在新应用需求快速成长，他预料未来几年，DRAM都会缺货，产业荣景会持续下去，绝不会只有二年。
面对中国大陆大举投入发展内存产业，黄崇仁认为，大陆已和美国达成协议，会尊重美国知识产权及保护美国企业的营业秘密，对岸不可能去偷技术，而且DRAM和晶圆代工的学习曲线长，挖人才只能缩短学习曲线，加上大陆新增一座厂投资，产出的成本是台湾的二倍，预料仍难和台商竞争，换言之，台湾DRAM厂仍会扮演重要供应地位。
黄崇仁表示，目前DRAM制程推进到1x纳米，已遭遇摩尔定律的极限，加上新建一座月产4万片的DRAM厂，高达50亿美元，金额相当惊人，生产的成本也将是目前台厂的二倍，他估算台厂生产一颗DRAM，成本约1.2美元，但采用新设备制程的成本超过2美元。
他强调，日前三星宣布在西安厂增建NAND Flash，未对DRAM有更进一步扩建，原因是DRAM制程已到瓶颈，三大厂往往1x纳米微缩，须投入更多资金升级设备，产出的成本反而比20纳米高，因此可预期未来三大DRAM厂在DRAM的投资会节制，不会轻易改变目前稳定获利的模式。
但DRAM的需求面，因近5年未见大规模新增产，供给已于去年下半年出现缺口，这还不包括未来物联网及5G，还有数据中心大量建置，需求更庞大的服务器以因应更大量的运算和影像储存需求，若再加汽车电子导入更多的影像传感，须搭配更多的储存运算，未来DRAM会一直缺货，除非三大厂打破供需平衡默契，否则荣景会持续下去，绝不会只有二年。
2.三星利用东芝混乱期加大投资在华半导体工厂;
韩国三星电子将向生产最尖端半导体内存的中国工厂投资约10万亿韩元，计划到2019年将该工厂的产能提高至目前的2倍。 在东芝忙于出售内存子公司的背景下，三星有意把中国打造成与韩国一样的最尖端产品量产基地，巩固其市占率榜首的地位。
三星计划在中国内陆地区的西安工厂设置用于智能手机等存储图像和文件的NAND型记忆卡的第2生产线。 与第1生产线加在一起，月产能将翻一番，按硅晶圆换算合计达到22万枚。 第2生产线预定于2017年年内开工，2019年之前投资约10万亿韩元。
在记忆卡领域，智能手机用记忆卡的容量逐渐增大，面向数据中心的交易也越来越多，指针产品的批发价格达到每个近3美元，比1年前高出50%以上。 很多企业想收购东芝的内存业务，除了看中当前的高价格外，还因为预见到中期市场的增长。
韩国还有声音认为，「现在东芝陷入危机，正是（三星）发动攻势的良机」（某证券分析师）。 在DRAM和液晶面板领域，三星也在日本企业投资停滞的时期多次实施大型投资，提高了市占率。
三星西安工厂的产品采用迭加存储单元、耐久性好且耗电量低的三维技术。 目前市场供不应求，三星方面判断投资效果会比较好。 日经中文网
3.Crucial推出128GB DDR4服务器内存;
Crucial近日发表服务器内存产品组合中的新品--128GB DDR4 LRDIMM。 新的DDR4服务器内存具备2666MT/s起跳的速度，将可提升每部服务器所安装的内存容量，以充分运用CPU和服务器硬件功能。 128GB DDR4 LRDIMM将会是该公司至今以来所推出产品中密度最高的服务器内存模块。
Crucial全球产品营销经理Michael Moreland表示，该公司致力于提供可靠、质量好以及密度高的服务器内存，来协助所有规模的组织，减少因服务器效能低落所造成的昂贵成本。 最新的Crucial 128GB DDR4 LRDIMM模块，将协助IT管理员延长目前基础架构的寿命，并同时透过理想的服务质量，以针对新服务器部署进行优化调整。
仰赖内存的服务器应用程序，如虚拟化作业、内存内部数据库运算和高效能运算(HPC)等皆需要大量的RAM。 该公司所推出的最新服务器模块，可支持许多耗用海量存储器的运算应用程序，如Microsoft SQL、Oracle、Microsoft Azure、VMware VDI、Cloudera、Hortonworks和SAP HANA。 新电子
4.3D NAND新技术加持 SATA SSD还有好光景
虽然固态硬盘(SSD)控制器芯片业者竞相推出低成本PCIe解决方案，希望藉此推动PCIe SSD从高阶PC及服务器市场向下渗透到主流市场，但有鉴于PC产品的汰换周期逐渐拉长，目前仍有许多使用中的PC仅支持SATA接口，因此，威腾(Western Digital, WD)将藉由双品牌策略及结合3D NAND新技术， 抢攻族群数量仍相当庞大的SATA PC用户升级商机。
WD资深产品线经理Jared Peck表示，虽然在高阶PC与服务器市场上，固态硬盘的主流接口已经全面转向PCIe及NVMe，但在消费型PC市场上，SATA接口仍是桌上型与笔记本电脑所采用的主流储存设备接口。 根据WD内部掌握的市场信息判断，在消费型市场上，SATA要被PCIe全面取代，恐怕还需要好几年时间。 因此，对SSD供货商来说，SATA还是一个相当值得耕耘市场。
不过，传统2D NAND Flash技术的发展已遇上难以突破的瓶颈，是业界公认的事实。 NAND Flash制程的微缩已逼近物理极限，随着制程节点从43奈米一路往15奈米挺进，闸极之间的接近效应(Proximity Effect)也越来越显著，导致制程难以继续微缩下去。 另一方面，能在单一晶胞(Cell)上储存更多位的MLC、TLC、QLC技术，对储存密度的提升效益也越来越低，从SLC升级到MLC，还能带来100%的密度提升效益，但从MLC升级到TLC，密度成长的效果只有32%，若从TLC提升到QLC，则效益更仅剩下25%。 而且，在单一晶胞上储存更多位，还得付出数据储存可靠度降低的代价。
因此，如何在单位面积上提供更高的储存密度，同时驱动储存成本持续下降，对SSD产业链来说，是一个相当重要的课题。
Peck指出，3D NAND Flash是一个很理想的解答，不仅能提高储存密度，也不会带来储存可靠度下滑的副作用。 以威腾在COMPUTEX期间发表的64层3D NAND SSD为例，其容量从250GB起跳，最高可达2TB，且耐久度可达500TBW。 根据WD内部研究，依据用户的数据读写需求及SSD容量差异，在最严苛的条件设定下，该公司基于3D NAND的SSD，耐久度至少在3.5年以上，最长则可超过70年。
除了耐久度优势外，3D NAND Flash还可以带来更高的读写性能，而且比传统2D NAND Flash更省电。 WD新推出的3D NAND SATA SSD可以将SATA的带宽使用到极限，读写速度分别达到560MB/s与530MB/s，而且数据读写的耗电量只有2D NAND产品的70%。 这意味着消费者的笔记本电脑电池续航力可以稍微延长一些。
除了3D NAND新技术带来的效益外，WD同时祭出双品牌策略，以便尽可能囊括所有用户族群。 针对DIY用户与PC/3C通路商，WD将以WD Blue作为主打品牌；针对综合型通路与一般消费族群，则会主打SanDisk品牌。 至于在在线通路部分，则会是WD Blue与SanDisk双品牌并行。 WD在PC DIY族群中有很高的品牌认知，SanDisk则是普罗大众所熟知的品牌，双品牌各有不同强项。 新电子
5.台湾群联子公司合肥兆芯拟开放陆资入股
集微网消息，群联董事长潘健成昨天透露，旗下大陆子公司合肥兆芯考虑开放中资入股，惟释股比例与对象尚未确定。
群联大陆子公司合肥兆芯，去年营业额约1亿多元人民币，营运以研发为主，同时也有部分业务拓展。
大陆厂商在资本市场资金充足，反观群联在台本益比依旧偏低，潘健成分析，这削弱了台湾产业的竞争力，未来10年内一定会看到本益比偏低造成的伤害。
潘健成指出，就国际并购角度而言，台湾公司的本益比根本没有能力并购其他公司，不被并购就已经很幸运，为进一步强化与大陆合作关系，群联子公司合肥兆芯考虑让中国厂商入股。
群联今年Computex展刚刚推出一系列Flash控制芯片，相关产品导入量产将在下半年。
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