【会员动态】聚力成与战略伙伴助力客户发展氮化镓功率芯片

聚力成与战略伙伴助力客户发展氮化镓功率芯片

2019年4月9日 聚力成与战略伙伴联颖光电，依照客户定制要求，正式产出新一代半导体材料氮化镓功率芯片。

在芯片电性上表现突出,藉由客制化的制程, 产出增强型氮化镓晶体管，满足不同功率应用需求。产品具备具备高耐压,低电阻及优异的输出功率。

GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)被称为是第三代功率半导体器件。由于硅物理特征的局限性，GaN HEMT将逐渐取代硅器件在电力电子领域中的多数应用，进一步提高电力电子系统的效率及减小体积、降低制造成本。晶体管有D-Mode(耗尽型)和E-Mode(增强型)两种。D-Mode的晶体管其漏极D和源极S之间平时处于常开的低阻态，而E-Mode的晶体管其漏极D和源极S之间平时处于常闭的高阻态，电力电子的电路拓扑中，为有效控制和方便使用，通常需要开关器件处于常闭的E-Mode的晶体管，然E-Mode的制作难度高，市场尚未有成熟量产产品，因此意义重大。

本晶圆的成功标志着聚力成半导体领先技术, 为国内第三代半导体领域发展助力。