晶圆上的国运：从张汝京到中芯国际的技术突围

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1948年深秋，南京城在战火余烬中迎来了一位特殊的婴儿——张汝京。中央医院产房里，冶金专家张锡纶握紧妻子刘佩金的手，迎接他们第二个孩子的降生。这个被命名为"汝京"的婴儿不会知道，五十年后自己将在中国半导体史上刻下浓墨重彩的一笔，日后中芯国际的创始人。

1970年，张汝京从台湾最高学府——台湾大学机械工程系毕业时，正值美国阿波罗登月计划震撼世界，他原想追逐航天梦想，却因华人身份被迫转向电子工程领域。这一偶然选择，如同蝴蝶扇动翅膀，最终掀起中国芯片产业的风暴。

1970年代，张汝京赴美深造，先后获得纽约州立大学水牛城分校工程科学硕士（1974年）和南卫理公会大学电子工程博士学位（1986年）。在纽约州立大学水牛城分校攻读硕士时，张汝京在犹太裔导师David Benenson的实验室里夜以继日地工作。实验室规定只能在深夜使用计算机，他常常从晚上9点工作到凌晨2点，这种近乎苦行的学术训练锻造了其严谨的工程思维。南卫理公会大学攻读博士期间，导师Jerome Butler甚至允许他在自家书房完成论文研究，这种跨越文化藩篱的师生情谊，为张汝京日后整合全球技术资源埋下伏笔。

德州仪器的二十年淬炼

1977年加入德州仪器时，张汝京恰逢半导体产业的黄金时代，自此开启了长达20年的职业生涯。在TI期间，张汝京参与了全球10座芯片厂的建设，积累了从技术研发到工厂管理的全链条经验。此时，台积电创始人张忠谋已是TI资深副总裁，命运齿轮的转动让他们两人在此相遇，两人的技术路径虽未交汇，但张汝京的专业能力已崭露头角。

在诺贝尔奖得主杰克·基尔比的DRAM研发团队中，张汝京亲历了从实验室创新到量产转化的完整链条：如何在保持0.5微米线宽精度的同时，将晶圆良率从35%提升至82%；怎样调整掺杂浓度梯度来平衡器件速度与功耗。这些微观世界的魔法，在他手中逐渐转化为可复制的工程规范。

在跟随建厂大师邵子凡博士，进行全球晶圆厂的布局。顶头上司邵子凡博士的提携和栽培下，张汝京形成了独特的“方法论”：每新建一座工厂，必先系统研究当地产业政策、人才储备和供应链生态。

在日本筑波，张汝京掌握了将生产良率管控精确到0.01%；在新加坡，张汝京摸索出跨文化团队管理的“分层协作激励”模式：美国团队负责工艺开发，日本专家主攻良率提升，东南亚工程师专注量产维护，这种分层协作体系使建厂周期缩短了40%。

这种在美、日、新等10个国家建厂的经历，使其成为全球屈指可数的“全产业链操盘手”。1997年，在德州仪器工作了20年之后，张汝京提前退休，并回到台湾创立世大积体电路，仅三年便实现盈利。在此期间，张汝京已经做好了在中国大陆建设芯片工厂的详细计划：世大第一厂和第二厂建在台湾，第三厂到第十厂全部放在中国大陆。

中芯国际奠基者的拓荒与隐退

1997年，当张汝京在台北新竹科技园竖起世大半导体旗帜时，台积电已占据全球代工市场52%份额。他祭出"反向代工"策略：为中小设计公司提供从架构优化到封装测试的全流程服务，甚至允许客户以知识产权入股。这种颠覆性模式使世大三年内拿下200家客户，8英寸晶圆月产能飙升至10万片。

然而，迅速崛起的世大引起了行业龙头台积电的警惕。最终在2000年1月，世大半导体作价50亿美元卖给了台积电。这次看似挫败的经历却成为了关键的转折——50岁的张汝京带着出售股份获得的10亿美元，以及更珍贵的300人技术团队，毅然决定跨越台湾海峡，最终化作上海张江农田里轰鸣的打桩机。

2000年4月，上海张江农田中竖起的打桩机，标志着中国半导体制造业的新纪元。不久之后，张汝京将德州仪器的“超速建厂法”发挥到极致：13个月建成首条8英寸产线，创下全球晶圆厂建设速度纪录。从具体战略实现来看，得益于张汝京将德州仪器经验进行本土化改造：从美国运来二手设备重新校准，聘请新加坡特许半导体工程师进行"工艺移植"，甚至说服日本信越化学在上海建厂供应光刻胶。这种全球资源整合能力，使中芯国际仅用13个月就实现8英寸产线量产，良率达到85%的行业奇迹。

与此同时，在突破0.13微米工艺时，张汝京独创堪称经典的"技术三级跳"：先通过收购德国摩托罗拉晶圆厂获得基础IP，再利用IBM授权进行工艺优化，最后引入东芝的铜互连技术实现超越。这种"引进-消化-迭代"的路径，使中国半导体制造水平缩短了与先进代差至少五年。2003年，当《半导体国际》将"年度最佳半导体厂"奖杯授予中芯国际时，其铜制程技术已比肩台积电，晋身为全球第三大晶圆代工厂。

从在上海张江打下中芯国际的第一根桩开始，张汝京深谙芯片制造业的周期规律，其战略魄力就体现在“反周期扩张”与“技术跃进”的双轨并行。一是选择在互联网泡沫破裂后的行业低潮期启动项目。二是利用设备价格暴跌的窗口期，以“低价换股”方式收购摩托罗拉工厂，并引入美国五大教会信用背书，突破“瓦森纳协定”对半导体设备的封锁。他不仅以三年时间完成同行业需十年积累的产能布局，即，仅用3年时间从4亿营收增长到2004年的81亿，并在纽交所和港交所上市，更是在2002年实现90纳米工艺的突破，使中国大陆首次与世界先进制程同步。

然而，这种激进扩张再次引起了行业龙头台积电的警惕。2003年及2006年，中芯国际先后两次受到台积电起诉，直接导致下游客户由于担忧法律风险而不再继续给中芯国际下单。由于法律诉讼等原因，导致公司也停止了先进制程追赶的步伐。具体进一步来看，2003年台积电以专利侵权为由发起诉讼，迫使中芯国际在2004年美股上市前签订和解协议，赔付1.75亿美元并支付专利费。同时张汝京的离场也颇具悲情色彩——2009年第二次诉讼和解之后，他作为和解条件签署离职文件，也导火索般引发了两年内近百名高管流失的震荡。

后张汝京时代的涅槃

2009年深冬，张汝京在签署和解协议次日递交辞呈。这个悲情时刻却催生了中国半导体史上最壮阔的技术长征。继任者邱慈云实施"农村包围城市"战略：避开与台积电在先进制程的正面交锋，将55纳米OLED驱动芯片做到全球市占率35%，在图像传感器领域培育出格科微等本土龙头。

邱慈云实施“三不”战略：不追求先进制程、不盲目扩产、不依赖国际市场。通过将产能利用率从60%提升至95%，中芯国际在2012年实现连续13季度盈利，中国市场收入占比从20%增至50%。这种“农村包围城市”的策略，本质上是依托本土市场需求构建技术护城河。

邱慈云的务实主义还体现在资本运作层面上，2015年起国资股东逐步主导中芯国际。他主导引入大唐电信、国家集成电路产业基金等国资股东，使国有股权比例从2012年的10%增至2015年的30%。这种股权结构调整既缓解了资金压力，也为后续技术攻关奠定政策基础。至2017年离任时，中芯国际已形成以北京、上海、深圳为中心的成熟制程产业矩阵。

直到2017年，梁孟松的加盟带来戏剧性转折。这位曾由台积电转投三星，随后跳过20nm直接攻克14nm FinFET，助力三星夺回苹果A9订单，重创台积电的三星大功臣，加盟中芯国际之后，用三年时间完成28nm到7nm五代技术的跨越。在14nm FinFET工艺研发中，仅300天将14nm FinFET良率从3%提升至95%，并跳过10nm直接研发N+1（等效7nm）和N+2工艺。在梁孟松的带领下，中芯国际2019年实现14nm量产，2020年N+1工艺风险试产，标志着中国大陆首次进入先进制程领域。

技术长征与生态重构

2017年梁孟松加盟后，中芯国际开启“双重追赶”战略：在14nm FinFET工艺上突击先进制程，同时将55nm至28nm成熟工艺做到“成本极致”。这种“双轨制”在2020年美国技术封锁下显现实效——当华为海思转单中芯国际，其14nm工艺良率已稳定在95%。更深远的影响在于产业生态：通过牵头成立集成电路创新中心，中芯国际培育出北方华创、中微公司等设备供应商，使半导体设备的国产化率从2016年的8%提升至2024年的35%。

正如数年前张汝京曾在无尘车间里对年轻工程师说："我们这代人建的是工厂，你们要建的是生态。"

在梁孟松的掌舵下，中芯国际的营收结构发生质变，进而在2020年带动全年营收同比激增24.8%，净利润增长141.5%。这种技术势能的释放，使中芯国际在全球代工市场的份额从3.6%跃升至2020年的5.3%，成为华为海思、兆易创新等本土设计企业的战略依托。特别是在美国技术禁令下，其14nm工艺支撑了华为基站芯片、AI加速器的替代方案，构建起“非美系”供应链的关键节点。

这位拥有台积电、三星双重顶尖履历的“工艺狂人”，以“用三年跑完同行业十年道路”的激进技术路线，将中芯国际从成熟制程的泥潭中拽入先进工艺的赛道。梁孟松带来的不仅是技术突破，更是研发体系的颠覆性重塑。他打破中芯国际传统的“工艺改良”路径，建立以“技术世代”为目标的攻坚体系：将2000余人研发团队拆分为并行工作组，采用“预研一代、验证一代、量产一代”的叠加模式，使28nm HKMG+、14nm FinFET、N+1工艺的开发周期重叠度达40%，极大提升研发效率，同时带领中芯国际的28nm工艺良率在半年内从68%飙升至98%，达到国际一线水平。

全球棋局中的中国坐标

梁孟松的价值远超个体技术贡献。他证明了中国半导体产业可以通过“顶尖人才+工程化组织”实现非线性突破，其带领中芯国际完成的五个技术世代跨越（28nm→14nm→12nm→N+1→N+2），重构了全球半导体研发的效率标尺。更重要的是，梁孟松培育出中国大陆首个具备5nm技术认知的工程师群体，这些掌握FinFET、GAA晶体管核心原理的人才，正成为长江存储、合肥长鑫等企业的技术中坚，形成“星火燎原”的扩散效应。

正如梁孟松在辞职信中所述：“我来中国大陆本不为高官厚禄，唯愿鞠躬尽瘁报国。”

梁孟松的职业生涯始终缠绕着技术民族主义与全球产业规则的冲突。其“技术迁移”模式——从台积电带至三星的FinFET经验，再复制到中芯国际——虽创造产业奇迹，却也引发持续的法律纠纷与地缘风险。台积电对其发起的长达9年的“竞业禁止”诉讼，最终迫使中芯国际在N+2工艺研发中采用完全自主的SAQP（四重曝光）方案，这种被迫创新的“封锁倒逼”反而催生出中国大陆独特的工艺路径。这段历程，既是个人理想主义与技术实用主义的激烈碰撞，更是中国半导体产业从技术追随迈向创新主导的成人礼。