仅次于光刻！国家电投：半导体重大突破！氢离子注入机交付！

我国半导体技术取得重大突破

9月 11日 消息，国家电投所属国电投核力创芯（无锡）科技有限公司（以下简称“核力创芯”）暨国家原子能机构核技术（功率芯片质子辐照）研发中心，完成首批氢离子注入性能优化芯片产品客户交付。

氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节，在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体产品制造过程中起着关键作用。

技术壁垒的突破与国产化的里程碑

国家电投旗下的核力创芯科技有限公司成功完成了首批氢离子注入性能优化芯片产品的客户交付，这一成就标志着我国在半导体制造领域取得了重大技术突破。

氢离子注入作为半导体晶圆制造中仅次于光刻的关键环节，其核心技术及装备工艺的掌握对于提升我国半导体产业的整体水平至关重要。

长期以来，该领域的技术及装备被国外垄断，严重制约了我国半导体产业的高端化发展。核力创芯的技术突破，不仅打破了这一僵局，更补全了我国半导体产业链中缺失的重要一环，为半导体离子注入设备和工艺的全面国产替代奠定了坚实基础。

自主创新的力量

核力创芯在面临外国关键技术及装备封锁的严峻挑战下，坚持自力更生、自主创新的道路，用不到三年的时间，突破了多项关键技术壁垒，实现了100%自主技术和100%装备国产化。这一成就不仅彰显了我国科技工作者的智慧和勇气，也为我国半导体产业的自主发展树立了新的标杆。

首批交付的芯片产品经过严格的工艺及可靠性测试验证，主要技术指标达到国际先进水平，获得了用户的高度评价。展望未来，随着核力创芯等企业的持续创新和发展，我国半导体产业有望实现更加快速和高质量的发展，为全球半导体产业的格局带来深远影响。

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