96层3D NAND英特尔大连工厂二期项目正式投产

9月21日，英特尔大连非易失性存储二期项目投产启动仪式在大连举行。省委副书记、省长唐一军出席启动仪式。

活动期间，唐一军饶有兴致地参观了二期项目办公楼和生产车间，了解项目投产运行情况。他指出，英特尔大连非易失性存储二期项目的合作建设过程，是辽宁扩大对外开放的写照和缩影，新项目优质高效建成投产，让我们看到了“大连效率”，创造了“大连速度”，是英特尔公司建设发展的奇迹，也是辽宁对外经贸合作的典范。今年是中国改革开放40周年，辽宁将以更宽广的胸襟、更宽阔的视野，在更宽的领域、更高的层次，深化改革、扩大开放、推动创新。希望以此次英特尔二期项目投产为新起点，进一步深化拓展双方合作，继续扩大在辽投资规模，实现互利共赢发展。

英特尔公司是全球知名的集成电路领军企业。2006年7月，英特尔亚洲控股有限公司与大连市政府签署了总发展协议，在大连出口加工区B区建设了占地面积60公顷的英特尔半导体(大连)有限公司，用于逻辑芯片的研发生产。2015年10月，英特尔二期项目落户大连，生产非易失性存储器芯片。经过不到三年时间，二期项目顺利实现了建成投产，创造了英特尔工厂建设历史的新纪录。启动仪式上，英特尔宣布新投产的非易失性存储二期项目将采用世界最先进的96层3D NAND存储芯片制造技术实现量产。

省及大连市领导谭作钧、崔枫林、谭成旭、肖盛峰，英特尔全球副总裁、全球非易失性存储事业部总经理凯文·埃斯法亚尼，英特尔全球副总裁、英特尔半导体(大连)有限公司总经理梁志权出席启动仪式。