“兆易创新”渡劫，存储芯片的未来在哪？

今年整个半导体行业很多公司都有比较好的表现，不过不同的领域有不同的情况。

半导体属于高科技，一块小小的芯片包含了非常多的工艺步骤，而且大部分步骤都有很高的技术门槛，所以分工非常明确。

我之前写过一篇半导体行业文章，详细介绍了一块芯片的生产过程，以及涉及到的核心企业。

今天讲一讲存储芯片的国内龙头企业兆易创新。

一、公司

兆易创新是一家“存储芯片”龙头公司，创始人叫“朱一明”。

朱一明的出身很普通，不过是典型的学霸，

从小学开始，每次都是轻轻松松拿第一名，高考更是以全县第二名的成绩，考入清华大学，接连拿到学士和硕士学位。

毕业之后工作了一年，又留学美国的纽约州立大学，成为了杨振宁的“学生”。

然后就开始接触芯片领域，主要研究存储器。

技术积累到一定程度后，就想着创业，但是科研项目创业，资金是一道非常难跨越的门槛，个人创业必须要融资才能启动。

朱一明连续融资无数次之后，在2004年的夏天，终于遇到一位“贵人”。

他就是同样来自于清华大学的“李军”，当时是清华大学信息技术研究院院长。

双方有过两次沟通，朱一明向李军展示了自己研发的静态存储器模型。

不知道李军是真看好，还是纯粹只是想帮助一下这个校友，决定拉一把。

不过李军并没有投钱，只是介绍了另一位天使投资人“周顺圭”，最后周顺圭给朱一明投了10万美元，还把自己的车库低价租给朱一明使用。

就是靠着这笔钱，在周顺圭的车库里，朱一明开始了正式研发存储器芯片。

不过10万美元根本只够塞牙缝，很快就即将耗尽。

朱一明不得不继续寻找投资人，靠着人脉认识了《清华科技园技术资产经营》的薛军，经过多次沟通，薛军同意帮朱一明融资100万美元，不过有个条件，必须回国创业。

这根本就不用想，朱一明立马就带着团队回到国内。

2005年，在母校的帮助下，创立《芯技佳易微电子科技有限公司》，这就是兆易创新的前身。

值得一提的是，与《芯技佳易》几乎同期成立的还有两家公司，一家是《镇江隆智》，另一家是《武汉新芯》，这三家作为国内企业，当时知名度很高。

镇江隆智现在应该没人知道了，因为在2012年就被收购了。

但是镇江隆智有几位股东，大家可能听说过，明面上的股东是史方和吕美宣两位，实际上还有李迪与吕向东。

吕向东曾经在美光公司担任市场总监，离开镇江隆智后又创立《恒烁股份》，2022年8月在科创板上市，也是一家做存储芯片的公司。

至于《武汉新芯》，就是现在火遍全网的《长江存储》。

当年武汉新芯生存很艰难，在2016年被紫光集团收购，整合后改名长江存储，才有了现在的国货之光。

芯技佳易和镇江隆智都是做芯片设计，武汉新芯做芯片制造。

我国的芯片起步非常晚，这也是现在高端芯片落后的原因。

朱一明带领团队整整研究了4年，终于在2008年，研发出我国第一颗高速存储芯片“SPI NOR Flash”。

武汉新芯配合新建生产线进行制造，一切好像显得那么顺利。

但是2008年，金融危机席卷全球，众多行业全都陷入大萧条，朱一明再次面临资金链断裂的风险。

刚起步的民族芯片，风雨飘摇。

在这个重要关口，薛军再度出手，帮朱一明继续融资，这次由于已经有了很好的成果，2009年就拿到3000万，有惊无险的熬过金融危机。

荣获新生的朱一明，把公司名字改为《兆易创新》，从此坐上了快速发展的列车。

2008年研发出我国第一颗高速存储芯片“SPI NOR Flash”后，没过多久，三星等国际巨头，就被迫纷纷退出了我们的“NOR Flash”市场。

兆易创新当然就笑纳了他们腾出来的市场，理所当然的成为了全国第一，而且那个时候还是国内唯一。

随后几年，兆易创新在技术和业务上进行了扩张，而且发展都比较顺利。

成为我国内地最大的NAND Flash设计企业，也是最大的串口型NOR Flash设计企业，还是最大的32位MCU供应商，三星、苹果、华为这些公司都是他的客户。

这么好的表现，上市就是理所当然的啦，不过2016年上市后不到一个月，就停牌，因为收购《北京矽成半导体》失败，被《北京君正》这位国内芯片领域大佬给抢走了。

为什么兆易创新要在刚上市就火急火燎进行收购？

因为兆易创新依靠静态存储器（SRAM）起步，不具备研发动态存储器（DRAM）的实力，最好的办法当然是收购一家具备该技术的企业。

收购失败后，不得已只能自己投资研发，正好这个时候合肥伸出了橄榄枝，2016年，合肥与兆易创新共同出资，成立《长鑫存储》，主要研发项目之一就是DRAM芯片。

计划总投资160亿，兆易创新承担20%，这个项目后来腾讯和阿里也都投资了。

虽然没能收购矽成半导体，不过仅仅3个月后，成功收购了《上海思立微》。

这是一家做人机交互的公司，主要产品是传感器SOC芯片，用在触控屏上面，比如指纹识别等等。

思立微是很优秀的，之前指纹识别芯片做到了全球第三，触控芯片做到了全球第四，具备成熟的研发和销售系统。

兆易创新从此具备“存储器+MCU微控制器+传感器”的强大产业链。

也就是从这个时候开始，兆易创新的市值连续涨了6个月，翻了5倍。

市场如此疯狂也是有原因的，2019年，兆易创新的NOR Flash做到了全球第三，更何况还有长鑫存储DRAM这支后备力量。

国内做DRAM原本还有一家公司，叫《晋华集成》，这是福建投资成立的，当时长鑫存储和晋华集成被称为DRAM双雄。

不过2017年的时候，美国制裁晋华集成，公司的发展受到打击。

原本晋华集成是和台湾的联电合作，共同开发DRAM市场，不过美光公司跳出来，起诉晋华集成和联电侵权。

联电毫无骨气，灰溜溜就撤了，留下晋华集成寂寞孤单冷。

不过2022年初，晋华集成宣布成功研发出25nm芯片，现在还有不错的底子。

长鑫存储就成为了我国唯一能拿得出手的DRAM企业，原本长江存储也想做DRAM芯片，合作方是中芯国际，不过2008年退出了该行业，专心做闪存，当然现在又重新在做了。

长鑫存储不但有先发优势，还有技术优势，技术是当年买了《奇梦达》的。

奇梦达这家神奇的公司，是《英飞凌》把旗下的逻辑芯片和存储芯片剥离出来的子公司，而英飞凌就是西门子的旗下的半导体部门。

来头很大，出道即巅峰，短时间成为全球超级巨头，在我国多个地区都成立了研发中心，比如西安和东北等等。

后来金融危机击垮了奇梦达，我们迅速抄底，多家芯片公司一起瓜分了奇梦达在中国的资产。

长鑫存储就拿到了DRAM技术这块肥肉。

作为股东的兆易创新，当然享受这一红利，2020年开始代销长鑫存储的DRAM芯片，直接让业绩翻一倍。

当然现在存储行业国际三巨头依然还是三星、SK海力士和美光，国内还是只能做中低端产品。

二、业务

兆易创新业务分三大块：“存储芯片、微控制器MCU和传感器”，其中存储器又分为“NOR Flash、 NAND Flash和DRAM”这三类。

今天重点讲DRAM，其他产品略微提一下。

NOR Flash是代码型闪存芯片，主要用来存储代码及少量数据，是兆易创新的传统产品，从成立第一天起就做这个。

公司推出国内首款容量高达 2Gb、高性能的 SPI NOR Flash 产品系列，是物联网设备代码存储应用的首选。

2022年兆易创新的NOR Flash车规级产品累计出货量就已经突破1亿颗。

从细分领域来看，Serial NOR Flash 市占率又提高了，现在全球排名第二。

NAND Flash是数据型闪存芯片，分为大容量和小容量，大容量难度很高。

兆易创新自从2013年推出世界第一颗SPI NAND Flash芯片以来，经过十年的发展，现在已经量产38nm和24nm工艺节点。

NAND Flash的容量较大，一般在1GB~8GB之间，而且写入速度快，所以正好和NOR Flash形成互补，同时作为主要的非易失闪存。

现在如果研究不深的技术人员，很可能都分不清NOR Flash和NAND Flash，因为随着技术的发展，两者性能重复的区域越来越大，所以很多情况都可以直接相互替代。

我以前用这个东西的时候，差别就大很多。

微控制器MCU这个东西功能很强大，可以把“CPU、内存、计数器、USB、A/D转换、UART、PLC、DMA、LCD驱动电路等等一大堆的东西，都集成在一起，就是MCU，像一台微型简化版的电脑。

兆易创新的内32位MCU在国内是领先的，Arm®通用型MCU排第一，但是这个行业竞争很激烈。

传感器的业绩占比很低，也不是兆易创新的主业，只是收购《上海思立微》带出来的业务。

主要产品就是用在手机上触摸屏上的指纹识别，不过也是是中国排名第二的指纹传感器供应商。

下面重点说一下DRAM，因为是当前市场中最为重要的系统内存，在计算系统中占据核心位置，广泛应用于服务器、移动设备、PC、消费电子等领域。

兆易创新自己原本是没有DRAM技术的，自从长鑫存储投产之后，才有了这个产品。

DRAM叫动态随机存取存储器，它跟静态存储器（SRAM）不一样，静态存储器存入数据后，不刷新也不会丢失数据。

动态存储器需要周期性的充电，从而定时刷新，所以叫“动态”，这玩意不能断电。

如上图所示，兆易创新目前量产的主要是DDR4和DDR3L这两款，其中DDR4 在机顶盒、电视、通信等领域用得比较多。

DRAM的技术难度非常高，所以领域市场处于高度集中甚至垄断态势。

全球老大当然是三星，从九十年代开始，三星就一直是DRAM全球第一，这么多年也一直都是三星的核心。

据说在三星内部，天才级人物必须去DRAM，能够当上DRAM管理层的更是天才中的天才，所以技术一直全球领先。

三星的DRAM技术最强大的一个点，就是他的微缩技术，也就是能在更小的面积上集成更多的电路。

按照工艺上的划分，前面三代分别是1x、1y、1z，然后第四、五、六代分别是1a、1b、1c，当然第六代还没出来，现在巨头就是在1a和1b上面下功夫。

当然这个跟我们国内没关系，因为这几代都是基于10纳米的，兆易创新的DDR4已经量产的最高水平是18.5纳米.

即便是现在正在新建的DDR5生产线，工艺也突破不了，因为设备被封锁了，逻辑芯片封锁在14纳米，DRAM封锁在18纳米，NAND封锁在128层。

这很无解，设备不卖给我们，短时间内我们也不可能研发出先进的光刻机，所以现在选了一个折中思路，在系统框架上创新，用落后的工艺尽可能提高性能，比如华为的麒麟9000S芯片就是这么做出来的。

不过这终究是有限制的，整体性能还是没法跟先进工艺生产出来的相比。

三星是2016年第一家宣布DRAM10纳米1x工艺开始量产，现在已经更新迭代8年了。

即便是SK海力士和美光，也是2017年开始量产1x工艺。

不过神奇的事情在2021年发生了，那年1月份，美光居然率先宣布开始量产第四代1a工艺，强压三星一头。

其实从第四代开始，之前采用的氟化氩（ArF）光刻设备已经没法满足1a工艺的需求，所以三星和SK海力士后来都采用了极紫外（EUV）光刻设备。

而美光做法不一样，他一开始没有更换设备，只是升级技术，采用“多重图案化”的方式来进行微缩，所以速度更快一些。

但是这个技术增加了工艺复杂程度，所以效率更低，不是长久之计，于是去年美光也开始采用EUV光刻设备。

而且他跳过了第四代和第五代，直接进入了第六代1c工艺，据说现在正在试生产，明年开始正式量产。

但是现在高端DRAM主要还是集中在第四代和第五代，美光这两代采用的都是DUV设备，不知道是出于无奈，还是有他独到之处。

三星是最先采用EUV光刻设备的，但是前期好像试错浪费了不少时间，所以即便已经投入了几千亿韩元，应该已经部署了30台以上的EUV光刻设备，目前也还没有完全切换过来。

SK海力士投入要小很多，只有不到10台的EUV光刻设备，所以量产规模不是很大。

这样一对比下来，三巨头现在等于是还没有真正进入最新技术的竞争状态，因为EUV光刻设备算是刚完成部署，未来真正的竞争点是3D DRAM。

目前竞争激烈的是HBM，属于DRAM第三代和第四代技术。

不过HBM属于堆叠DRAM，美光去年才入局，三星依赖的是1a工艺，目前都没能解决散热问题，只有SK海力士采用1b工艺，所以遥遥领先

HBM是被AI带火的，市场需求突然大增，让几大国际巨头全都转产HBM，导致DDR3和DDR4产能大减，尤其是DDR3，几乎被他们放弃了。

在他们顾不上中低端产品的情况下，市场出现了供不应求，比如DDR5价格大涨，即便是DDR3行情也很不错。

这就给了兆易创新一个机会，兆易生产不了DDR5，但是DDR3完全没问题，DDR4也有少量产能，所以今年上半年兆易创新业绩大涨，

最早今年的年底，最迟明年，三星、SK海力士和美光应该都会停产DDR3，因为他们需要把精力放到高端产品去，然后对于他们高昂的成本来说，DDR3这种中低端产品，已经没有了竞争力。

所以这对于兆易创新，是一大利好，目前市场的主流依然还是DDR3和DDR4，高端技术跟不上，能够把主流市场拿下来，把钱赚到手，再图谋高端技术，也是一种很好的生存方式。

三、业绩

兆易创新连续下滑两年的业绩，今年终于扭转了。

今年上半年营收36亿，同比增长22%，归母净利润5.17亿，同比大增54%。

营收增长主要是因为存储芯片收入大增，上半年拿下26亿的营收。

虽然那兆易创新的半年报没有公布具体的产品销量的收入，但DDR3和DDR4量价齐升，肯定是贡献业绩增量的核心因素之一。

按照公司的说法，上半年DRAM的采购代工金额大概4.5亿，今年整年大概8.5亿左右。

如果下半年还能维持现在的盈利能力，今年存储芯片贡献的业绩那就还是很可观的。

上半年的盈利能力改善了很多，毛利率虽然提高不多，但是净利率从去年的2.8%，提高到现在的14.33%。

去年兆易创新计提了6.1亿的资产减值，主要是思立微这家子公司业绩不理想，计提了3.73亿的商誉减值，还有之前高成本存货，计提了2.37亿，所以去年的利润影响很大。

如果抛开这一点来说，兆易创新的业绩实际上是还没恢复以往的。

半年报的其他财务数据都很正常，有一项是值得提一下的。

其他权益工具投资现在31个亿，增加了15个亿。

这个在几个月前倒是就发布过公告，增资长鑫科技。

关于兆易创新和长鑫科技之间的关系，很微妙，而且很复杂，再而且还很敏感。

在地位上属于兄弟公司，因为董事长都是朱一明，他是兆易创新的实控人，在长鑫科技的表决权也最大，达到25.27%，所以两家公司并没有隶属关系，增资之后兆易创新的持股比例也1.88%。

在业务上属于合作关系，兆易创新主要是做设计，而长鑫是集设计、研发、生产、销售一体化的IDM企业。

也就是一个设计，一个生产，理论上配合得挺好。

但是最大的问题是长鑫没有上市，而兆易创新又主要做低端产品，这里面可能会有一些外界不知道的诸多情况。

不得不说长鑫是有技术实力的，目前已经和通富微电合作，生产出了第一批HBM颗粒。

四、总结

虽说国际巨头减产中低端产品，对于国内存储芯片企业来说，是一大利好，毕竟让出来那么大的市场空间。

但是中低端存储芯片因为技术门槛不是很高，并不是兆易创新一家吃独食。

所以DDR3和DDR4的繁荣期不会很长，因为国内竞争会很快变得非常激烈，这也是国际巨头准备退出的原因之一，反正竞争不过。

但是对于包括兆易创新在内的国内存储芯片企业来说，后面的业绩压力会很快加大。

首先价格压力会传导到营收，然后兆易创新这类企业只是设计芯片，并没有生产制造能力，下游生产企业按照现在这个趋势，很可能会带来成本的提升，所以利润端也会承压。

归根结底，国际巨头转战高端产品，既是无奈之举，也是另一条康庄大道。

兆易创新想要真正闯出一片天地，还是要往高端突破才行。

但是整个半导体行业都受限于设备，等于是集体渡劫。

什么时候高端设备不再是问题，可能才是兆易创新的出头之日！

关于我对兆易创新的其他观点和估值，放在专栏里本文下面了。

朋友们，发财手点个“赞”和“在看”呗

关注兆易创新和我分析的其他优秀公司的朋友，可以参考下面会员专栏数据，会持续更新所计算出来的理想买入机会和风险边际。