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超预期点：

1. 专家认为 H 2024 年 910 产量约 50w ， HWJ 2024 年产量约 20-30w 颗。

2. H+ 长鑫两家公司同时推进 HBM 产线，近两年国内需求约 530w ，大头是华为，会切换为国产 HBM ，产能缺口大。

3. 深算 3 号性能对标 A100 ，且已经在生产过程中，进度有望超预期。

Q ：长鑫 HBM 的进展和后续节奏？

A ：国内目前仅有长鑫有实际产品。 2020 年 10 月开始规划，找了通富和长电，和长电的合作项目在 23 年 1 月取消，只有通富继续合作。 23 年 5 月中下旬成功在通富微电生产出国内首批基于 3D 封装的 HBM 颗粒，规格是 8 层堆叠 HBM2, 容量 8GB 。 24Q1 有一批产品在生产，预计 3 月中旬完成晶圆到封测，出货量 1k 颗 8Hi 8GB HBM2 ，作为最终产品由长鑫销售或送样。

长鑫下一步规划在 23H1 已经在通富同步开展， HBM2E 还是 8 层方案，项目周期持续至 26H2 。根据现有项目安排， HBM2 的终端需求逐渐缩小，预计 24Q4 会有 10w 颗出货，之后不再做 HBM2 ， 25Q1 开始小批量 HBM2E 。

Q ：长鑫 HBM 和海外大厂在层数和容量的差异？

A ：现在 HBM2E 主流是 8Hi 16GB ， 4Hi 8GB ， HBM3 是 8/12Hi 。这与单 die 容易有关， HBM2 制程为 16-19nm ， HBM2E 14-16nm ，后续单 die 容量更高需要到 1 α、 1 β制程能力。

Q ：产品良率情况？

A ： HBM2 以 DRAM 裸晶圆模式发给通富微电，裸晶圆现有良率 83% 左右；封装良率 72% 左右；最终产品良率 50%-60% 。后续还有提升空间，晶圆良率需要长鑫提升；国际大厂封装良率在 85% 左右，还有 10pct 以上的提升空间。

提升良率的方法：第一，通富现在是一条中试线，设备都是其他事业部凑的，后续做成量产线良率会提升很多。第二，封装过程中最大良率损失在于堆叠， 4Hi/8Hi 目前都是 C2W 的方式，逻辑晶圆放最下面，每个逻辑晶圆的芯片上堆

4/8 次形成重组晶圆，最后进行切割，堆叠过程可能歪了，层数越高失败概率越大，解决方式之一是晶圆厂在两片晶圆做 Hybrid Bonding 形成一片晶圆，这样封装厂堆叠的次数可以减半，有效提升封装良率。 Hybrid Bonding 对晶圆的良率

损失非常大，目前仅用两片做， SK Hynix 和三星都有相关技术，长鑫的工艺已经在通富研发导入， HBM2E 可能会用到。

Q ： HBM2E 会比 HBM2 封装难度更高吗？

A ：如果只是晶圆从 HBM2 升级到 HBM2E ，封装环节没有良率变化。但长鑫 HBM2E 还在研发状态，真正量产时通富将有量产线，且长鑫可能会用到 Hybrid

Bonding 减少堆叠次数，所以良率会有提升，预计到 80% 以上。跟国际头部 85%

的良率可能会有 knowhow 部分的差异在。

Q ：长鑫是否会导入沛顿？

A ：目前长鑫 DRAM 封测合作方：沛顿 50% 、通富 30% 、长电 20% ，长电越来越少，流向通富和沛顿。 HBM 封测技术和传统 DRAM 有很大差异，传统 DRAM 主要用 FCBGA ， HBM 需要类似 TSV 的技术和设备，目前只有通富、长电、盛合晶微有这方面工艺。沛顿可能之后会有项目开展。

Q ：长鑫 HBM 封装端价值量？价格是否有性价比？

A ：目前封装 8Hi HBM 200 元 / 颗，毛利率 30% 左右，净利暂时没有算（至少 20%

左右）。

目前长鑫的产品性能对标 SK Hynix ，几个指标几乎相当：（ 1 ）带宽 300Gb/s 以上（ SK Hynix 310Gb/s 左右）；（ 2 ）长鑫可以堆更多层数，容量没有差异；（ 3 ） I/O 速率与 SK Hynix 相当， 2.4Gbps ，可以做平行替代。

价格： SK 海力士 HBM2 8GB 120 美金，长鑫还没有定价，内部希望 60-70 元

/GB ， 8GB 500 元左右。

Q ：国内其他 DRAM 厂商有做 HBM 的计划吗？

A ：国内仅有长鑫 + 通富一条产线正在生产，长鑫做设计和晶圆制造，通富做封测。还有一条生产链是由 H 牵头， 23 年 10 月份立项，现在形成一个小团队，设计端是 H ，流片是福建晋华和北京昇维旭，封测端是盛合晶微和长电微电子。计划 24H1 晶圆流片， H2 封测端封装导入， 25 年不断调试， 26Q3 推出最终产品，项目定义基于 12Hi HBM3 ，可能先做 4/8Hi 。

Q ：盛合晶微产能有限，是否有产能去做 HBM ？

A ：盛合现有能较紧，但其实 CoWoS 产线 99% 的设备和流程可以和 HBM 共用，需要增购和开发的只有 1% ，技术上不是难点。从产能看，盛合晶微正在扩产， 26 年应该能满足需求。但扩产过程也给了其他家机会，最终不一定在盛合晶微做，也可能在长电微电子。盛合晶微长期做 CoW ， oS 和测试是长电做，目前长电微电子是帮盛合晶微做 HBM3 的测试，但长电也在布局 2.5D/3D 封装， 24 年长电微电子会形成一条小规模 2.5D/3D 封装线，包括 CoW 和 oS 。

Q ：长鑫和 H 的 HBM 封装用什么工艺？涉及设备和材料？

A ：长鑫 HBM2 目前使用 TCB 热压键合， HBM2E 还是 TCB 。 H 的 HBM3 现在技术还是 TCB ，但盛合晶微和长电微电子在做 Hybrid Bonding 前期调研，可能面向 HBM3E 。

TCB 热压键合现有设备都是进口，通富的 TCB 主要以 BESI Datacon 为主，也有个位数的 ASMPT 设备。盛合晶微 TCB 目前全部是 BESI 。长点微电子 23 年开始买设备，目前也是 BESI 。

Q ：海外厂商是用 TCB 还是 Hybrid Bonding ？

A ： HBM3E 之前的次代都可以用 TCB 覆盖， HBM4 不能用 TCB ，因为 HBM4

的 I/O 更密集，而 TCB 需要做 Bumping 。 HBM3E 上三星也有开始用 Hybrid

Bonding ，主要因为三星的封测端技术由于 SK 海力士，希望在这上面有营销噱头提升市占率。

Q ：长鑫和 H 在没有 EUV 的情况下能做到第几代？后续是否有补救办法？

A ： HBM3 要求在 14nm 以下，有项目开展必定有解决方法，不清楚是否有 EUV ，但可以通过类似重复曝光的方式进行补救。长鑫的产品还不涉及太精细的光刻技术， HBM2E 在 14-19nm 之间。

Q ：国内 HBM 需求空间如何测算？

A ：国内最大的出货量是昇腾，昇腾只在盛合晶微制造，盛合晶微今年预计出货 50w 颗昇腾产品，单个对应 6 颗 HBM 需求，每颗 HBM 1500 元左右。第二大是寒武纪，一年约 20-30w 颗，对应 6 颗 HBM 。其他家加起来约 10w 颗，平均对

应 5 颗 HBM 。国内 AI 芯片预计出货量 90w 颗，对应约 530w 颗 HBM 需求。

Q ： HBM 提升速率主要靠晶圆还是封装环节？

A ： 90% 靠晶圆制程， 10% 靠封装技术提升。一是用 Hybrid Bonding 取代 TCB ，减少寄生电容，二是用好的材料进行散热。

Q ：国内产能的规划？

A ： （ CoWoS 产能和 HBM 产能等比互换，产线互通， 1 颗 CoWoS 芯片 =4 颗

HBM 芯片） 通富现有 CoWoS 产能 5k 颗 / 月（折合 HBM 产能 2w 颗 / 月，目前实际运行 1k/ 月），今年年底完成量产线建设后，产能至少 200w 颗 / 年，一共 206w 颗 / 年。盛合晶微现有产能 160w 颗 / 年，到今年底 280w 颗 / 年。长电微电子现有产能 0 ，到今年底 6w 颗 / 年。甬矽电子到 25H1 形成一条 6w 颗 / 年产线。