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单晶卤化铜钙钛矿 （CsCu
2
I
3
） 因其无毒成分和卓越的紫外线 （UV） 光检测能力而受到广泛关注。然而，单晶 CsCu
2
I
3
的表面缺陷尤其是碘 （I） 缺陷
和自陷激子缺陷
，限制了其
光电检测性能
进一步
提升
。
基于此本文提出了
I 蒸气
氛围
下退火实现CsCu
2
I
3
单晶材料的再结晶
可以抑制自陷激子和
I
缺陷
，I 蒸气
氛围退火处理的
CsCu
2
I
3
单晶材料
显示出明显的
（ll0） 取向
以及I空位的减少
。与原始 CsCu
2
I
3
相比，I 蒸气
氛围
下
退火处理
的 CsCu
2
I
3
紫外探测器
的开/关比提高了 9.1 倍，从 181 增加到 1655。具体来说，I 蒸气
氛围
下
退火处理
的 CsCu
2
I
3
紫外光电探测器在 370 nm（光强度 2.8 mW cm
-2
）处表现出窄带响应度，FWHM 为 ~ 50 nm，高探测率 （3.1×10
11
Jones） 和快响应速度（上升时间 0.11 ms，衰减时间 1.89 ms）。I 蒸气氛下
退火处理
I 基钙钛矿的方法
有可能
在
光电探测
领域可能具有很大的应用前景。
Figure 1
.
a)
The schematic of the fabrication and I
2
treatment steps of centimeter CCI123 perovskite.
b)
XRD spectra of CCI123 before and after I
2
treatment and their corresponding Raman spectra
c)
.
d, e)
SEM images of CCI123 before and after I
2
treatment.
f)
HRTEM image of CCI123 and the inset
is the corresponding SAED pattern.
g-i)
XPS spectra of Cs, Cu, and I before and after I
2
treatment, respectively.
Figure 2
.
a)
Calculated energy bandgap of CCI123 before and after I
2
treatment.
b)
PL spectra of CCI123 before and after I
2
treament, respectively and the inset is the PLE spectrum
c)
The corresponding time-resolved PL decay and fitting curves.
d)
Illustration of relaxation mechanism of the visible emission of CCI123.
Figure 3
.
a)
Crystal structure of CsCu
2
I
3
.
b, c)
Crystal structure of CsCu
2
I
3
with I vacancy recorded as I
vacancy1
and I
vacancy2
, respectively and their calculated defect formation energy
d)
.
e, f)
Calculated energy band diagrams of pure CsCu
2
I
3
and the one with I
vacancy1
defect, respectively.
Figure 4
.
a)
Schematic diagram of the CCI123 PD and the inset is the corresponding optical image.
b)
IV curves of CCI123 (before and after I
2
treated) under dark and 370 nm light illumination.
c)
IT curves of CCI123 (before and after I
2
treated) under 370 nm light at 3 V.
d)
Responsivity and detectivity of the treated PD (at 3 V).
e)
IT curves of the treated PD with different voltages.
f)
Responsivity dependent on voltage.
g)
IT curves of the treated PD under different light intensities.
h)
Photocurrent dependent on light intensities.
i)
Transient response times.
