1.SK奢求议决权！东芝或改用西部数据收购提案；
2.苹果iPhone新机NAND Flash供货缺口达3成；
3.东芝存储器竞标案下隐藏的苹果和鸿海的私心；
4.iPhone 8闪存供货量不足 苹果被迫求助三星；
5.MRAM的进展与研发方向
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1.SK奢求议决权！东芝或改用西部数据收购提案；
集微网消息，据日本媒体报道，由于 SK 海力士向东芝要求希望获取东芝存储器的议决权，导致东芝开始着手观察第二备案，其中包含考虑改用目前和东芝处于对立情势的西部数据(WD)的收购提案。
作为日美韩联盟的一员、考虑收购东芝存储器一事，韩国SK Telecom社长朴正浩表示，“这是为了对抗三星电子所必要的举措”。朴正浩是SK集团会长崔泰源的亲信，负责让SK海力士加入日美韩联盟的协商要务。
使用于智能手机、服务器的存储器依用途分为NAND型快闪存储器和DRAM，朴正浩指出，半导体业界分析，未来将变成顾客要求套装供应（同时供应NAND和DRAM）的时代。目前东芝存储器缺少DRAM业务、SK则在NAND领域太弱，因此“两家公司合作预估将能实现相乘效果”。
在日美韩联盟原先的提案中，产业革新机构(INCJ)及日本政策投资银行计划合计取得东芝半导体 2/3 议决权，剩下的33.4%由美国贝恩资本取得(出资额8,500亿日圆)，SK则以融资的形式提供 4,000 亿日圆资金给贝恩。
据多位关系人士指出，东芝在6月21日选定日美韩联盟为优先交涉对象后，SK就提出要求，希望拥有能在未来最高取得TMC 33.4%议决权的权利。SK向被选为优先交涉对象的企业联盟提出提案，计划以取得可转换公司债(CB)的形式提供资金，也就是说，未来SK很有可能将能取得TMC议决权，而这可能将和东芝对外说明的内容有所出入。
另一位关系人士指出，经济产业省已向SK要求，希望SK能以融资的形式提供资金、而不是CB，但SK不接受该请求。
对此，东芝社长纲川智在6月28日举行的定期股东会上重申，“SK不会拥有议决权、因此能防止技术外流”。东芝表示，因和日美韩联盟内多个当事者之间的调整仍需时间、因此现阶段尚未达成共识。
为了阻止东芝将存储器业务卖给第三方，西部数据5月先提出国际仲裁、6月又向加州高等法院声请的禁制令，试图以这项交易未得该公司同意加以封杀， 加州高等法院预计7月14日(日本时间15日)开庭审理，且最快可能会在当天作出裁决，而东芝开始考虑改用西部数据提案的目的，就是要对SK施加压力。
东芝正急于出售芯片业务部门，以弥补美国核电子公司西屋电气成本超支产生的数十亿美元亏损。
2.苹果iPhone新机NAND Flash供货缺口达3成；
苹果(Apple)iPhone新机发表在即，近期业界传出iPhone 8入门款存储器容量将从128GB起跳，但主要供应商东芝(Toshiba)、SK海力士(SK Hynix)转进64层及72层3D NAND Flash制程良率不如预期，导致苹果新机NAND Flash供货缺口高达30%，苹果虽希望三星电子(Samsung Electronics)供应更多数量，然三星自有如意算盘，让苹果更坚决要借着东芝TMC(Toshiba Memory Company)竞标案来掌握NAND Flash货源。
全球NAND Flash产业正经历近5年来最严重的缺货潮，由于大型数据中心对于云端储存存储器需求强劲，加上苹果下半年将问世的iPhone 8新机入门版存储器规格拉升到128GB，最顶级机种配备存储器更达256GB，将引发Android手机阵营在硬体规格竞逐效法，半导体业界预期NAND Flash缺货潮将一路蔓延到2017年底。
由于半导体产业刚好遇上2D NAND技术转进3D NAND的过渡期，包括三星、东芝、美光(Micron)等存储器厂纷转进64层3D NAND技术，海力士为了超车，一举抢进72层技术，但各家供应商3D NAND制程良率都不如预期，导致NAND Flash大厂都无法供应足够数量给客户。
半导体业者透露，包括SK海力士、东芝、三星、西部数据(已收购SanDisk)等都是苹果NAND Flash主要供应商，然现在看来，SK海力士、东芝都无法供应足够数量，导致苹果在NAND Flash供货缺口恐高达30%，尽管苹果希望三星、西部数据能够支援更多3D NAND货源，但三星有自己的盘算，而西部数据亦传出心有余而力不足。
事实上，多年来苹果与三星之间的存储器供货关系分分合合，苹果一度想要摆脱三星在存储器、处理器(AP)供货上的钳制，并大力扶植东芝、美光、SanDisk等NAND Flash供应商，但经历不断缠斗之后，三星在DRAM和NAND Flash势力仍相当强大，苹果仍必须与三星往来，这次半导体产业转进3D NAND的新里程碑，却出现惨烈的缺货潮，苹果恐得再向三星低头。
半导体业者表示，苹果对于NAND Flash需求量极大，为顺利掌握NAND Flash货源，苹果积极参与东芝TMC竞标案，原本传出苹果有意与鸿海联手夺下东芝TMC竞标案，但日前传出苹果可能加入“日、美、韩联盟”，该联盟系由日本产业革新机构(INCJ)、美国投资基金和SK海力士所组成，苹果可能提供金援来换取关键零组件的货源保障。
苹果对于东芝NAND Flash部门的竞标案极具企图心，且苹果一路以来的考量，都是选择会赢的阵营，并非一定要与鸿海联手，由于目前看来“日、美、韩联盟”的赢面较大，苹果加入该阵营是合理的选择。
半导体业者认为，由于各项终端应用对于NAND Flash需求量愈来愈大，NAND Flash恐长期处于缺货状态，每年可能仅有2~3个月供给较为舒缓，让NAND Flash成为半导体关键物资，大陆虽极力扶植长江存储，但仍是3D NAND领域新兵，估计3~5年内3D NAND市场仍是由三星、海力士、东芝、美光等国际大厂所独大。DIGITIMES
3.东芝存储器竞标案下隐藏的苹果和鸿海的私心；
3D NAND已经是科技产业的战略物资，原本被美日韩三阵营锁住的封闭型游戏场，意外爆出东芝(Toshiba)卖子赎身一案，让全球科技巨擘为之疯狂。最戏剧化的莫过于鸿海一路的出招，最震惊的则是苹果(Apple)鸭子滑水的布局，彼此的看似合作又随时保持弹性，足见3D NAND技术的迷人！
苹果是全球最大的NAND Flash采购者，最大供应商又是劲敌三星电子(Samsung Electronics)，苹果想自己掌握NAND Flash供货是可以理解的。
苹果曾经面板、处理器(AP)、3D NAND/DRAM全数的关键零组件都被三星钳制，现在AP已经交给台积电，但AMOLED又被三星掐住脖子，至于存储器的采购，苹果多方扶植供应商，现在遇到东芝一案，自然认为是机不可失。
供应链透露，外界都将苹果和鸿海归纳为一个阵营，其实对、但也不对，因为苹果的目的是对东芝势在必得，而选择哪一个阵营只是手段而已。换言之，哪个阵营有赢面，苹果最终选择该阵营，所以苹果加入日本官民基金产业革新机构(INCJ)为主的日美联盟，其实也不用讶异。
鸿海最大客户是苹果，苹果占鸿海营收超过50%，传出这一年来DRAM和NAND Flash双双缺货而价格飙涨，鸿海认为采购存储器的价格简直被扒一层皮，因此兴起了自己做存储器的想法。日前传出鸿海董事长郭台铭找上旺宏董事长吴敏求，在时机上十分很敏感。
业界透露，郭找上吴的当下，其实双方高来高去，郭看上旺宏的12吋厂，加上手上有NOR Flash技术，以及自己开发的3D NAND技术，加上还有一个卡住东芝的关键NAND Flash专利，如果可以拿下旺宏自然是最漂亮的。
但旺宏打的算盘是鸿海手中的钱，旺宏手上的3D NAND技术未来若要量产抢进主流市场，单凭一己之力会比较辛苦，尤其未来要买机台设备时，也需要大笔资金，鸿海既然对自己有意，或许可以彼此谈谈，但据了解，双方各自心事最后都是羞于说破。
在东芝竞标案这个局里，业内人其实都看的很清楚，东芝TMC的人只想要一个财务伙伴，不希望具有主导性的人把手伸进来，因此日本INCJ的人马一直是众望所归，鸿海因为有红色供应链的色彩，无辜被贴上标签。
不同于过去DRAM厂尔必达(Elpida)前例，尔必达当时营运大亏，且无预警申请破产想逼政府出手相救，东芝TMC的状况不一样，受惠这一波NAND Flash缺货涨价，TMC获利会非常出色；加上独立之后有更多的自主性，脱离母公司后的营运方针可望更具弹性，因此身价是洛阳纸贵，且对于选择新买家具有一定的影响力。
在这个局中，看得口水直流得肯定是大陆，因为大陆千方百计砸重金就是想要建立自己的3D NAND供应链，现在有个现成的漂亮卖家在眼前，但却连参与追求的资格都没有。但没办法，现在美日最担心的就是大陆自建半导体供应链的大动作，尤其是储存产业又涉及国防机密，自然要防得滴水不漏。DIGITIMES
4.iPhone 8闪存供货量不足 苹果被迫求助三星；
新浪科技讯 北京时间7月6日晚间消息，来自台湾地区的行业消息称，苹果公司(以下简称“苹果”)新一代智能手机iPhone 7s、iPhone 7s Plus和iPhone 8正遭遇NAND闪存芯片供应不足的问题。
自iPhone 7开始，苹果引入了新型闪存3D NAND闪存。这种新型闪存由英特尔和镁光的合资企业所研发的一种新的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存的限制。
但来自台湾地区的行业消息称，苹果的3D NAND闪存供应商SK Hynix和东芝的成品率均较低，导致产量较之前的预期低30%。
为了解决该问题，苹果不得不将三星纳入到闪存供应商之列。与SK Hynix和东芝相比，三星的3D NAND闪存成品率比较稳定，因此产量有保证。
在iPhone 7中，苹果使用了48层NAND闪存。有消息称， iPhone 8的NAND闪存将达到64层，意味着同等空间下将能存储更多数据额。
凯基证券(KGI)分析师郭明錤(Ming-Chi Kuo)本周一曾表示，今年iPhone 7s、iPhone 7s Plus和iPhone 8将配备64GB和256GB两种存储空间选项。
由于财大气粗，苹果可以确保自己的3D NAND闪存供应量。而其他手机厂商就没有这么幸运了，必将受到供应量有限的影响。据预计，3D NAND供应问题要到2018年才能得到缓解。(李明)
5.MRAM的进展与研发方向
MRAM是新兴的存储器，为晶圆制造代工业竞争主轴之一。先讲结论，MRAM的最近发展令人兴奋。它虽然是新兴的存储器，却成为传统上以逻辑线路为主的晶圆制造代工业竞争主轴之一。
MRAM研发的挑战一直都是良率和微缩。良率的提升除了晶圆厂各自在制程上的努力之外，机器设备厂商也出力甚多，这是几家大机器设备厂商先后投入这即将兴起设备市场良性竞争的结果。MRAM相关制程主要有磁性材料的蚀刻(etcher)与溅镀(sputter)两种设备，最近新机型的溅镀设备表现令人惊艳，这将有助于晶圆厂MRAM制造良率的提升。
微缩的进展来自于材料和制程的进步：MRAM中存储单元MTJ (Magnetic Tunnel Junction；磁性穿隧结)中磁性材料的PMA (Perpendicular Magnetic Anisotropy；垂直磁各向异性)加大了3倍。简单说，磁铁的磁性变强了，因此用较小的磁铁，其磁矩也足以抵抗热扰动，长久保存数据，所以MTJ可以变小。（注）
但是目前MRAM微缩的瓶颈不在于MTJ，而是在于电晶体。主要原因是翻转MTJ中磁矩的效率都有待改进－不管是以前用电流产生的磁场来翻转磁矩，或者是目前的STT (Spin Transfer Torque；自旋移转转矩)。翻转磁矩要有足够大的写入电流，电晶体就要够大。但是由于上述PMA的改善，MTJ可以缩小，要翻转它的磁矩所需的电流下降，电晶体可以再微缩，功耗也下降了，写入速度变快。以前MRAM中的数据如果要维持10年，MTJ的直径必须在30nm以上。现在有PMA的长进，三星预计2020年MRAM达到18nm是充分可能的。
MRAM如果当成单独(stand-alone)存储器，它只是存储器的一种，而且价格暂时还压不下来，只能在特定利基市场应用。如果应用在嵌入式存储器，它几乎是不可或缺的。eSRAM面积巨大无比，幸好所需的容量较少，也与逻辑线路相容，尚可忍受。对于eFlash嵌入式快闪存储器，目前就几乎束手无策了，自90nm以降，eFlash不太能随制程微缩，现在它占整个芯片面积的百分比越来越高，功耗的表现也差。
现在新兴的、高成长率的IoT芯片以及车用电子的制程都慢慢的移到40/28nm了，eFlash的问题变得很急迫。如果eFlash不能改成可微缩、低能耗的eMRAM，则在逻辑线路的制程微缩近乎白搭－用的制程比较贵，面积的改善却只有一点点。这是为什么晶圆代工厂商除了努力推进10nm以下的制程外，还要分出资源去照顾这一块的理由。
除了以STT翻转磁矩、写入数据的方式外，学界与业界目前也正在研发SOT(Spin-Orbit Torque；自旋轨道转矩)与VCMA(Voltage Control Magnetic Anisotropy；电压控制磁各向异性)两种更有效率的翻转磁矩方式，代价是MRAM的结构可能变得复杂。这是性能持续改善的研发投资，不能不做。但是如果STT MRAM的写入电流可以再下降些，使得写入速度与DRAM的10ns相仿佛，则半导体业将有很长时间继续使用STT MRAM－毕竟这是半导体业一向的哲学，将一项技术用到春蚕至死丝方尽！
注：MRAM中存储单元MTJ (Magnetic Tunnel Junction；磁性穿隧结)由多层的磁性、氧化物、金属等薄膜所构成，这些薄膜有些只有几个分子厚。MTJ的特殊性质PMA (Perpendicular Magnetic Anisotropy；垂直磁各向异性)－产生存储单元所需磁矩的物理特性－则是由磁性薄膜与氧化层的界面效应所决定。MTJ的元件表现深受薄膜品质所影响，所以溅镀设备性能的提升将有助于晶圆厂MRAM制造良率的改善。eettaiwan
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