2018年11月20日，第三代半导体产业技术创新战略联盟（简称“CASA“）发布三项联盟标准 T/CASA 003-2018 《p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片》、T/CASA004.1 《4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语》、T/CASA004.2 《4H-SiC衬底及外延层缺陷图谱》。三项标准由东莞市天域半导体科技有限公司技术总监孙国胜牵头，按照CASA标准制定程序（立项、征求意见稿、委员会草案、发布稿），反复斟酌、修改、编制而成。标准的制定得到了很多CASA标准化委员会正式成员的支持。
标准主要起草单位包括：东莞市天域半导体科技有限公司、全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、株洲中车时代电气股份有限公司、山东天岳晶体材料有限公司、中国科学院微电子研究所、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、山东大学、台州一能科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所。
T/CASA 003-2018《p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片》规定了4H碳化硅外延晶片的分类和标记、要求、试验方法、检测规则、标志、包装、运输和储存。附录部分详细说明了采用光学成像方法快速获取4H-SiC外延片样品表面的缺陷、利用原子力显微镜获取表面粗糙度，并详细说明了外延层的厚度与掺杂浓度检测方法。
T/CASA004.1-2018《4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语》规定了4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语和定义，其中包括4H-SiC材料、缺陷共性用语、衬底缺陷、外延层缺陷以及工艺缺陷五部分，其中工艺缺陷包括抛光（CMP）、离子注入、高温退火与氧化等相关工艺产生的缺陷。
T/CASA004.2-2018《4H-SiC衬底及外延层缺陷图谱》标准阐述了4H-SiC衬底及外延缺陷的图谱，其中包括4H-SiC衬底缺陷、外延缺陷以及工艺产生的缺陷；给出了4H碳化硅（4H-SiC）衬底及外延层的主要缺陷、工艺与加工缺陷等方面的形貌特征图谱，说明了缺陷的特点、性质及其对外延生长或器件特征参数的影响，分析了产生的原因及消除方法，并进行了分类。
衬底缺陷包括位错、层错、微管、碳包裹体、晶型包裹体、双Shockley型堆垛层错、螺位错、刃位错、基晶面位错、小角晶界、划痕、CMP隐含划痕；
