![]()
本文来自
digitimes
，如转载不当，请及时联系后台处理，谢谢。
中国大陆发展
3D NAND
、
DRAM
、
NOR Flash
存储器大计正如火如荼地展开，初步分工将由长江存储负责
3D NAND
及
DRAM
生产，武汉新芯则专职
NOR Flash
和逻辑代工。
2016
年底长江存储将兴建首座
12
吋厂，最快
2017
年底生产自制
32
层堆叠
3D NAND
芯片，尽管落后目前三星电子
(SamsungElectronics)
、东芝
(Toshiba)
技术约
2
个世代，然大陆终于将全面进军
NAND Flash
领域。
据了解，存储器是信息系统的基础核心芯片，亦是最大宗的集成电路产品，同时还是我国进口金额最大的集成电路产品。
2014
年，全球存储器市场规模约
700
亿美元，约占全球集成电路市场份额的
25%
，同比增长约
10%
。而我国是全球最大的电子信息产业基地，电子整机所用存储器市场需求约
2465.5
亿元，占我国集成电路市场规模的
23.7%
。
2014
年，我国集成电路进口额
2176.2
亿美元，是我国进口额最大的产品，其中存储器进口额占
24.9%
。因此该项目的布局，为我国打破主流存储器领域空白，实现产业和经济跨越发展提供了重要支撑。
在过往的发展中，大陆尽管并未赶上
NAND Flash
存储器世代，但在存储器技术改朝换代之际，大陆直接切入新世代
3D NAND
技术，有机会另辟一片天。有鉴于过去扶植晶圆代工产业经验，大陆这次为让存储器产业落地生根，采取集中资源生产策略，不仅避免资源分散，并杜绝恶性竞争导致产能供过于求情况。
大陆过去有众多地方政府和企业集团争取扮演存储器生产中心角色，包括合肥市政府、中芯国际及京东方等，后来由武汉新芯出线，然随着紫光集团加入战局，大陆原本以武汉新芯为主轴的存储器发展大计，出现架构性的改变。
2016
年紫光集团与武汉新芯合资成立长江存储，武汉新芯成为长江存储旗下
100%
持股的子公司，并对于未来存储器生产达成初步分工。
据武汉新芯介绍，长江存储的注册资本分两期出资。一期由国家集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北国芯产业投资基金合伙企业
(
有限合伙
)
和武汉新芯股东湖北省科技投资集团有限公司共同出资，在武汉新芯集成电路制造有限公司
(
即“武汉新芯”
)
的基础上建立长江存储。二期将由紫光集团和国家集成电路产业投资基金股份有限公司共同出资。
长江存储将主要负责
3D NAND
和
DRAM
生产制造，武汉新芯先前宣布动工的
12
吋新厂，其实是隶属于长江存储旗下，该座厂房分为三期，首期建设将于
2016
年底启动兴建，第二期预计
2018
年完成兴建，第三期在
2019
年完成，总规划产能为单月
30
万片，总投资额
240
亿美元。
长江存储
3D NAND
技术主要来自于飞索
(Spansion)
，飞索在
2014
年底卖给
Cypress
之后仍保持独立营运，由于飞索过去与三星签下
Charge Trap
技术授权合约，每年为飞索带来丰厚的授权金，而
Charge Trap
正是
3D NAND
技术关键，大陆透过与飞索合作取得跨入
3D NAND
技术的门票。
第一阶段长江存储将以
3D Nand Flash
做为切入点，通过美国飞索半导体（
Spansion
，现已并入
Cypress
）技术支持取得快速发展，第二阶段目标到
2020
年月产能达到
30
万片，赵伟国称藉此长江存储将能进入世界内存企业的第一梯队，这阶段将能贡献中国芯片制造自产率的
8%
，中国目标在
2020
年芯片自给率要达到
40%
，以此来看，长江存储就占了其中近四分之一的产能。
长江存储规划
2017
年底量产
32
层堆叠
3D NAND
芯片，这将是大陆首颗自制的
3D NAND
芯片，尽管相较于三星、东芝目前已量产
64
层堆叠技术，预计
2017
年底可进入
72
层或
96
层技术，大陆
3D NAND
技术仍是约落后
2
个世代，但大陆在存储器自制总算开始冲刺并酝酿超车。
至于独立运营的武汉新芯未来将专职
NOR Flash
和逻辑代工业务，旗下
