2018年6月30日，由第三代半导体产业技术创新战略联盟（以下简称“联盟”）、亚欧第三代半导体科技创新合作中心、张家港市政府联合主办，张家港高新技术产业开发区、张家港市科学技术局承办的“第三代半导体产业技术创新发展大会暨2018中国创新创业大赛第三代半导体专业赛东部赛区启动仪式”在张家港成功举办。
中国工程院院士、国家新材料产业发展专家咨询委员会主任干勇，中国科学院院士、南京大学教授郑有炓，中国科学院院士、中国科学院微电子研究所研究员刘明，科技部高新技术发展及产业化司副司长曹国英，科技部高新技术发展及产业化司原司长、联盟顾问委员会常务副主任赵玉海，科技部国际合作司原司长、联盟顾问委员会副主任靳晓明，科技部政策法规司原副司长、联盟顾问、中国科学学与科技政策研究会副理事长李新男，科技部高新司材料处原处长徐禄平，科技部高新司材料处调研员李志农，中国科学院半导体研究所研究员、国家新材料产业发展专家咨询委员会委员、国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项总体专家组组长陈弘达，福州大学教授，国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项总体专家组副组长、新型显示组长郭太良，北京大学理学部副主任，国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项总体专家组第三代半导体材料与半导体照明专家沈波，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员、国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项总体专家组第三代半导体材料与半导体照明方向副组长徐科，中国电子科技集团公司首席科学家程堂胜，浙江大学电气工程学院院长、长江学者盛况，株洲中车时代电气股份有限公司副总工程师刘国友，联盟理事长、国家新材料产业发展专家咨询委员会委员吴玲等领导、专家，以及近300位来自第三代半导体领域的研究机构、知名企业代表相聚一堂共论发展。张家港市委常委、常务副市长卞东方，张家港经济技术开发区党工委副书记、管委会副主任、张家港高新技术产业开发区党工委副书记、管委会主任、杨舍镇党委书记卢懂平等多位地方领导出席了会议。会议第一阶段由张家港经济技术开发区党工委委员、管委会副主任、张家港高新技术产业开发区党工委副书记、管委会副主任张雷主持。
张家港经济技术开发区党工委委员、管委会副主任、张家港高新技术产业开发区党工委副书记、管委会副主任 张 雷
干勇院士为大会致辞，他指出，第三代半导体是国家新材料发展计划的重中之重，关系到智能电网、智能制造、5G通讯、高端装备、军工等多个领域。联盟在第三代半导体产业发展上起到了非常重要的促进作用，成为了产业技术、组织、管理、集聚人才的核心。
中国工程院院士、国家新材料产业发展专家咨询委员会主任 干 勇
卞东方副市长代表主办方致欢迎词。他介绍了张家港在科技创新引领产业转型升级方面取得的成绩，提出希望把张家港建设成为半导体产业的新高地、新标杆而努力，也希望更多的项目可以落户张家港发展。
张家港市委常委、常务副市长 卞东方
曹国英副司长为会议致辞，肯定了张家港科技发展的创新思路。他指出，中美贸易摩擦的实质是科技竞争，我们要借此发现自己的短板，梳理第三代半导体发展思路，为产业的发展营造良好环境。联盟推动中国半导体照明走向强国积累了非常好的经验，第三代半导体的产业发展更需要联盟整合各方的力量共同推进。
科技部高新技术发展及产业化司副司长 曹国英
随后郑有炓院士、刘明院士、曹国英司长、赵玉海司长、靳晓明司长、李新男司长、卞东方副市长、卢懂平书记、吴玲理事长共同启动了2018中国创新创业大赛第三代半导体专业赛东部赛区。
2018中国创新创业大赛第三代半导体专业赛东部赛区启动
大会报告环节，由第三代半导体产业技术创新战略联盟于坤山秘书长主持。中科院微电子研究所刘明院士做了题为“微电子与光电子技术”的精彩报告。刘明院士认为信息化核心支撑是IC的快速发展，集成电路进一步发展呈现多元化发展趋势。她指出微电子产业的发展特点是学科交叉度高,分工度更加细化；同时受到市场的影响，前瞻科研转化较快。在光电子产业方面，核心光电器件依托CMOS商用平台开发取得了重要突破，传统微电子公司也在积极的投入到光电子产品开发中。
中国科学院院士、中国科学院微电子研究所研究员 刘 明
中国科学院院士、南京大学教授郑有炓发表了题为“第三代半导体国内外技术及产业现状与趋势”的精彩演讲。郑院士指出，第三代半导体作为先进的战略性新技术，对科学技术、经济社会发展起着战略性的支撑作用。以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料在高效固态光源和固态紫外探测等光电子、宽禁带电力电子和宽禁带射频领域有着广泛应用，第三代半导体产业化技术日趋成熟，产业前途极其光明。郑院士指出我们国家要把握机遇、与时俱进发展新兴的第三代半导体产业，不断创新产业化技术，加快创建产业生态系统。
中国科学院院士、南京大学教授 郑有炓
中国电子科技集团公司首席科学家陈堂胜先生做了题为“高频GaN微波功率器件及其技术发展”的精彩报告。陈堂胜指出，SiC基GaN HEMT同时具备高频率、高输出功率、抗辐照等特性，是高频高功率固态微波功率器件发展方向，GaN HEMT功率器件及MMIC已经全面进入工程应用，国内已建立体系性GaN功率器件产品技术，实现了装备应用自主保障。陈堂胜指出，材料结构的创新是实现GaN微波功率器件迈向更高工作频率的关键，目前中电科55所实现了多款具有国际领先水平的高频GaN功率MMIC研制。
中国电子科技集团公司首席科学家 陈堂胜
福州大学严群教授发表了题为“MicroLED-推动下一代显示技术革命”演讲，严教授从显示技术的演进出发，介绍了演示技术发展历程和趋势。他重点指出MicroLED的应用是非常广泛的，几乎能满足现在所有显示的需求，是显示方面下一代的优秀技术，但距其成为主流的显示技术还有诸多的挑战和困难需要我们去克服。
福州大学教授 严群
株洲中车时代电气股份有限公司副总工程师刘国友先生发表了题为“新能源汽车与功率半导体技术”的精彩演讲。刘先生指出，现阶段Si IGBT器件广泛应用于各种电力电子装置中，在很大提高了我们的生活质量和舒适性，而新兴的SiC MOSFET器件在新能源汽车领域有着广泛的应用前景。高电流密度、沟槽栅SiC、基于全铜工艺技术的功率模块、多功能集成式功率模块是新能源汽车用功率模块的技术发展趋势。陈堂胜指出，SiC基材料取代Si基材料是功率器件技术发展趋势，然而SiC产业发展需要一个过程，当前仍面临着很大的技术挑战。
