1.IC Insights：明年DRAM市场急踩刹车 产能扩充和资本支出增长是主因
2.消息称三星将有意减缓明年内存芯片产出
3.长江存储计划明年第四季度量产64层3D闪存：10万片/月
4.NAND控制芯片迎接1X纳米时代 进入门槛已抬高
5.硅片再涨价9%：12吋晶圆单价将突破110美金
6.产能短缺英特尔被迫重启22纳米工艺生产主板芯片
7.IPM有望破局？国内首条SiC IPM产线在厦门投产
8.我国集成电路用硅几乎完全依赖进口
9.韩法院再次下令禁止OLED技术人员跳槽中国
10.新iPhone无济于事 鸿海股价下降38%市值跌至台第三
1.IC Insights：明年DRAM市场急踩刹车 产能扩充和资本支出增长是主因
IC Insights在2018年McClean报告的年中报告中更新了33个主要IC产品类别中每个类别的销售增长预期。
IC Insights预计，DRAM、汽车专用逻辑芯片、无线通讯专用模拟芯片、工业/其他专用模拟芯片、消费专用逻辑芯片、NAND闪存共7个产品类别将超过今年整个IC市场预期的16%增长率。其中，有3个IC产品类别的销售额最多。DRAM市场以1016亿美元的销售额保持第一，NAND闪存以626亿美元的紧跟其后，计算机和外围设备专用逻辑芯片以276亿美元的销售额排在第四位。
在销售增长速度方面，DRAM市场以39%的增长速度连续第二年领跑IC市场，速度放缓。总体而言，预计共有13个产品类别将实现两位数增长，28个IC产品类别实现正增长，这一数据略低于2017年的29个市场。
今年1~8月DRAM均价不断上扬，IC Insights认为DRAM的平均售价（以及随后的市场增长）已达到顶峰，随着DRAM市场的产能扩充和资本支出增长，2019年DRAM市场的上升趋势或将停止。
汽车专用逻辑芯片市场以29%的增长速度排在第二位，成长幅度出现一定下滑。随着新车内使用的电子系统增多，如倒车雷达、死角侦测器等，IC Insights预计2018年每辆新车的芯片销售额将达540美元。无线通讯专用模拟芯片市场的涨幅将从去年的9%提升到23%，主要因为对无线连接的需求持续增长。同时，这一需求带动医疗/健康电子系统的发展，促进工业/其他专用模拟芯片市场的增长。
2.消息称三星将有意减缓明年内存芯片产出
知情人士表示，三星电子计划明年限制内存芯片产量，从而在预计内存芯片需求放缓之际保持供需平衡。该知情人士说，此举将有助于维持或推高半导体价格。他表示，三星目前预计动态随机存取存储器的位元成长率不到20%，而NAND闪存的位元成长率约为30%。三星今年早些时候表示，预计2018年DRAM内存和NAND闪存的位元成长率分别为20%和40%。
位元成长率是衡量内存芯片市场需求的一个关键晴雨表。较弱的预测可能导致芯片制造商削减诸如设备和材料订单的投资，同时限制供应，推高价格。如果三星真的削减DRAM内存的位元成长率，这表明该公司对目前的寡头垄断市场结构感到满意。
半导体业务目前是三星规模最大、最赚钱的业务，因为它为自己的设备生产芯片，同时向其他智能手机制造商销售内存芯片。芯片业务在2017年创造了35.2万亿韩圆(合314亿美元)的营业收入，较上年同期增长了一倍多，帮助推动该公司的盈利达到创纪录水平。
3.长江存储计划明年第四季度量产64层3D闪存：10万片/月
据Digitimes报道，紫光投资的长江存储传来新动态。CEO杨士宁博士透露，公司计划在明年第四季度量产64层堆叠的3D NAND闪存芯片。资料显示，今年4月份，长江存储在武汉的工厂开始设备安装，今年晚些时候投产32层3D闪存。杨士宁表示，32层产品非常成熟，已经开始少量接单。
不过，从成本和市场接纳度来看，64层的竞争力更强，长江存储也将投入更多的精力在这一代上。关键技术方面，长江将引入全新3D NAND架构Xtacking，即在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路，从而将I/O速度提升到3Gbps。
要知道，目前世界上最快的3D NAND I/O速度的目标值是1.4Gbps，而大多数NAND供应商仅能供应1.0 Gbps或更低的速度。长江存储希望在64层3D闪存量产后，公司的毛利率可以转正，届时月产能预计10万片。
4.NAND控制芯片迎接1X纳米时代 进入门槛已抬高
闪存控制芯片及存储器解决方案厂商群联电子董事长潘健成他直言：“NAND Flash控制芯片进入非常昂贵的1x纳米等级的晶圆制造阶段、加计3D NAND验证成本高于2D，从种种IC开发现状看出，除非抬高IC设计后来者进入门槛，如果单单只做IC设计生意，其获利是大不如从前的”。而这也应证半导体先进制程不断推进下，IC厂商所面临的另一波淘汰赛开始。
潘健成也以目前全球PCIe规格效能跑分评鉴最佳的自家SSD控制芯片PS5012-E12为例，该颗芯片除应用累积数十年的研发技术功力外，在人力、时间、设计工具、晶圆先进制程光罩费、3D NAND验证费等等，若资源全部换算为可被评估的费用，总计超过1.55亿人民币，相较18年前群联初创业时的环境，所需投入的成本多了好几倍。
他进一步说明，5G、物联网、车联网、以及人工智能等多项创新科技的资讯存储需求只增不减，人类使用存储器容量的提升仍会为产业带来商机，群联过去的商业模式不只卖IC，未来将运用多年来的产业经验值，如逾1,700件自有IP专利、逾千名的研发人员、专注经营快闪存储器应用所掌握的市场弹性、一年逾13亿美元的营收、以及年平均出货6亿颗IC等规模经济这6大实力。
5.硅片再涨价9%：12吋晶圆单价将突破110美金
就在外资圈传出半导体硅晶圆明年价格涨幅恐将低于10％之际，包括环球晶、合晶等硅晶圆厂近期与半导体大厂针对明年上半年合约价进行协商，2019年上半年合约均价预估较今年下半年调涨7～9％，12吋硅晶圆平均单价来到108～112美元价位。对硅晶圆厂来说，现在产能全线满载运作，明年上半年价格调涨后，营收及获利表现可望再上层楼。
今年以来半导体硅晶圆就呈现供不应求情况，一线晶圆代工厂及记忆体厂上半年敲定的12吋硅晶圆合约单价约在95美元左右，下半年则顺利调涨6～8％幅度，平均合约单价来到101～103美元之间。也就是说，12吋硅晶圆价格在暌违将近8年时间后，针对一线大客户的合约平均单价再度重回100美元以上。
业者表示，半导体硅晶圆的新产能要等到2020年下半年才会开出，明年全年仍会是供不应求市况，虽然硅晶圆厂与大客户陆续签订长约，价格协商也改为半年一次，但价格涨幅并没有因为时间拉长而缩小。以明年合约价走势来看，上半年调涨7～9％，下半年也会有5～7％的涨幅，全年涨幅至少达15％左右，外界对于价格涨幅在明、后两年将逐步缩小的预期并不正确。
6.产能短缺英特尔被迫重启22纳米工艺生产主板芯片
由于在10nm制程上遇到问题，英特尔正在努力保持14nm晶圆供应，并且采取第一项措施来避免硅短缺。英特尔选择了不同的工艺生产大批量的硅片，首先获得此待遇的是英特尔芯片组芯片。
英特尔目前重新启用22nm节点生产H310芯片组，减轻了14nm硅的供应紧张，H310是英特尔第8代和第9代处理器最简单和最低端的芯片组，并且广泛用于大量的办公室和消费者PC，由于对机载通信的要求较低，可扩展性有限。这款便宜的芯片组占据了英特尔14nm制程生产线容量。现在采用22nm制程生产之后，H310芯片组被重新命名为H310C。对比H310C和H310芯片组照片，尺寸差异很明显。
H310C芯片组采用sSpec SRCXT，据称尺寸为10mm x 7mm，而14nm H310（sSpec SRCXY）尺寸仅为8.5mm x 6.5mm。最初的H310设计的额定功率为6W TDP，但预计不会发生太大变化，或影响OEM设计的任何阶段。事实上，它可能为系统制造商带来更多选择，这也意味着英特尔将在H310C上恢复对Windows 7的支持。
7.IPM有望破局？国内首条SiC IPM产线在厦门投产
9月18日，国内首条碳化硅智能功率模块(SiC IPM)生产线在厦门芯光润泽科技有限公司正式投产。芯光润泽是一家设计、研发、制造SiC第三代半导体功率器件与模块的企业。
如今，智能功率模块全球市场规模超100亿美元，中国市场需求总量占比超70%，但自给率不足7%。今年，芯光润泽研发出国内首款碳化硅智能功率模块，成为国内首家将SiC IPM量产的企业。
碳化硅作为一种宽禁带（WBG)半导体材料，可以用来制造各种耐高温的、高频、高效大功率器件，应用于硅材料难以胜任的场景,可广泛应用于各类白家电。据统计，如果全国空调将碳化硅器件替代硅器件使用，相当于节约了3个三峡大坝的年发电量。
8.我国集成电路用硅几乎完全依赖进口
1-7月，有色金属行业规上企业实现利润910亿元，同比下降3.4%，其中冶炼企业利润同比下降9.4%，加工企业利润同比下降9.8%。1-7月，有色金属工业完成固定资产投资同比下降6%，自2014年以来持续下滑。这是19日开幕的2018年中国硅业大会暨光伏产业博览会上透露的信息。
