中国半导体奋起直追，华力微瞄准FD-SOI工艺

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中国的半导体制造工艺与海外先进工艺尚存两三代落差，国内公司能量产的还是28nm工艺，三星、TSMC及Intel今年都要推10nm工艺了，不仅是制程工艺代差，这其中还存在着FinFET技术差距。目前中芯国际等公司还在追赶14nm FinFET工艺，但是国内或许还有第二种技术路线——FD-SOI工艺。除了前不久落户成都的GlobalFoundries晶圆厂使用22nm FD-SOI工艺之外，上海的华力微电子在攻关28nm及14nm FinFET工艺之外，二期晶圆厂也有可能采用FD-SOI工艺。

尽管FinFET与FD-SOI师出同门，因为这两种技术中前TSMC CTO胡正明教授都是发明人之一，不过它们在半导体厂商中的受追捧程度不同，FinFET鳍式晶体管技术成为TSMC台积电、三星、Intel、UMC联电及GlobalFoundries、中芯国际等厂商的主流选择，FD-SOI在晶圆厂中的接受度并不高，AMD从28nm也放弃了SOI工艺，主推该工艺的主要是IBM、ST意法等半导体公司，GlobalFoundries在收购IBM晶圆厂之后重新推FD-SOI工艺，成都工厂的22FDX工艺来源于此。

FD-SOI与FinFET工艺的孰优孰劣很难一言而尽，尽管FinFET目前占据上风，但FD-SOI也有可取之处，特别是在低功耗方面，GlobalFoundries的22FDX工艺可以把电压做到0.4V，非常适合移动、IoT物联网芯片等低功耗，而且成本低廉，这也是GF没放弃FD-SOI工艺的原因。

至于国内公司，在突围14nm FinFET工艺之外也没有放弃FD-SOI工艺，GF在成都建立FD-SOI工厂开了个好头，其他公司也可能会跟进FD-SOI工艺了。上海华力微电子（Shanghai Huali Microelectronics，简称HLMC）去年底宣布投资387亿元建设第二座12英寸晶圆厂，工艺路线是28nm、20nm及14nm FinFET，月产能4万片晶圆，预计2018年试产，2022年量产。

来自digitimes的消息称，除了FinFET工艺之外，华力微电子公司也在考虑FD-SOI工艺的可能性，相对FinFET工艺它的成本更低廉，更适用于IoT物联网等芯片。

华力微电子也不是国内首个计划采用FD-SOI工艺的半导体公司了，同样是位于上海的新傲科技2015年就开始生产8英寸SOI工艺了，使用的是法国Soitec的Smart Cut技术。

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