【发展】3D NAND深孔蚀刻速度提升一倍；DeepSeek问世，大摩、里昂看好AI前景；韩国2024年工业生产指数上升1.7%

1.韩国2024年工业生产指数同比上升1.7%

2.DeepSeek问世，大摩、里昂看好AI前景

3.3D NAND深孔蚀刻速度提升一倍，推动高密度储存发展

1.韩国2024年工业生产指数同比上升1.7%

当地时间2月3日报道，韩国统计厅发布的“2024年12月和全年产业活动动向”资料，去年工业生产指数在半导体出口回升的助推下同比上升。

资料显示，去年工业生产指数同比上升1.7%，为113.6（2020年数值为100）。规模以上工业生产同比提升4.1%，带动整体工业生产增长。服务业生产同比增长1.4%，增幅为2020年（-2%）以来最小。零售销售同比下降2.2%，降幅为2003年（-3.2%）以来的最大值。

设备投资增长4.1%。竣工产值下降4.9%，降幅为2021年（-6.7%）以来最高。

2.DeepSeek问世，大摩、里昂看好AI前景

针对DeepSeek的影响，摩根士丹利（大摩）、里昂证券等纷纷出具最新报告指出，对于AI前景仍抱持正面看法。

其中，大摩在DeepSeek问世之后已发布多篇相关研究报告，且与产业专家讨论相关影响。大摩亚洲科技团队认为，中国大陆AI将迎头赶上。里昂则认为，大型语言模型（LLM）的竞争离结束仍太早，因此成本效率提高后，最终仍将用来训练更智慧的模型。

大摩美股分析师摩尔（Joe Moore）调降英伟达目标价，但维持“优于大盘”评级，且认为英伟达Blackwell及其他AI产品的需求仍然强劲。

3.3D NAND深孔蚀刻速度提升一倍，推动高密度储存发展

泛林半导体、科罗拉多大学博尔德分校（University of Colorado Boulder）及美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室（PPPL）的研究团队，最新研究取得了重大突破，他们成功开发了更快速精准的等离子蚀刻制程，将3D NAND深孔蚀刻速度提升了一倍以上，这为更高密度、更高容量的储存装置奠定了基础。

据调研数据显示，该团队通过精确化学成分调整，利用氢氟化等离子体取代传统氢气和氟气组合，显著提升了蚀刻效率与精度。在蚀刻氧化矽、氮化矽交替层时，蚀刻速率从每分钟310奈米提升至640奈米，提升超过一倍，蚀刻品质同步提升。

此外，研究团队还探讨了三氟化磷（PF3）在二氧化矽蚀刻中的作用，发现添加PF3可将二氧化矽蚀刻速率提高四倍，但对氮化矽影响较小。这项突破性研究不仅革新了3D NAND制造技术，也为未来高密度、高容量资料储存开辟了道路。

根据市场现状，随着人工智慧、物联网等技术驱动数据量呈指数级增长，对更快速、高密度资料储存方案的需求日益迫切。3D NAND快闪记忆体以其垂直堆叠单元、最大化空间利用的优势，已成为未来储存的关键方向。

未来预测，这项研究将推动电子设备发展，并为人工智慧、大数据等技术应用提供更强大的基础设施。同时，也有望进一步推动3D NAND技术的广泛应用和市场需求的增长。

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