1.杨士宁:长江存储2020年赶上世界前端 有信心折旧完成前盈利；
2.SEMICON China狂潮登场 三星、中芯国际揭露半导体技术愿景；
3.中国存储器产业发展论坛：探索中国存储器产业发展道路；
4.合肥高新区助力“中国IC之都”建设；
5.新能源车“接棒”驱动功率半导体市场新引擎；
6.上海微电子与ASML建立合作伙伴关系
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1.杨士宁:长江存储2020年赶上世界前端 有信心折旧完成前盈利；
长江存储执行长杨士宁点出，为何长江决定跨入存储领域？他表示，半导体组件可分为四大块领域：首要运算CPU、存储、通讯及第四部分涵盖了物联网(IoT)感测器、模拟IC等较为分散的领域。然CPU领域行业生态较为复杂、通讯芯片领域也已经形成fabless+foundry稳固态势，大举跨入存储这一领域仍是大有可为的。杨士宁引用《DIGITIMES》2017年1月中旬一篇分析，精准点出了大陆发展存储产业的战略思考。分析指出，大陆当下大力发展存储产业是正确的。
杨士宁分析，从半导体存储器技术分类来看，目前DRAM和NAND闪存储存的总产值占全球存储器产业的95%。未来10年，IBS数据预计，NAND闪存储存的需求量还将持续增长10倍，主要应用在云端运算、智能终端机等领域。尤其大陆市场更有庞大的内在需求。
他说，有人说长江存储跨入此一市场对当前存储半导体是“打破平衡”，然他却认为正好相反，不论DRAM或是NAND市场都处于一个并“不平衡”的状态，不平衡来自于都集中在一家独大的公司，集中度越来越高。长江存储作为新的参考者，正好是要来“平衡”此一状况。
杨士宁指出，存储器是个大好的机会。大陆在先进IC的制造领域，大陆市占率为5~10%，同时在人才汇聚、国际合作的机遇和产业生态支持方面，大陆正面临一个最好的时期。
在正确的时间点，投入必要的领域就能获得客观条件的支持。大陆在全球存储器市场中，拥有55%的市场需求，有强大内需支撑。而从资金方面，国家大基金从资金和政策给予及大支持，就要看第三：人才的纵深。三大纵深：市场、资金、人才，长江存储三大发展到位。
DRAM产能 能购并就购并
杨士宁透露，有许多美国企业找上门来，希望与长存储合作。长江存储将通过自主研发与国际合作两者相结合，抓住每一个购并投资的机遇。有好的机会“能购并就购并。”
以DRAM来中，两个增加的难度存在，一方面是竞争对手手里仍有大量折旧完的产能存在，2D NAND也是如此。另一方面，现阶段DRAM市场的增长需求变得相对缓慢，很难实现经济效益。所以不会再去拚产能，因为在怎么拚也拚不过折旧尽的厂商，发展DRAM更会选择机遇寻找购并进一步实现DRAM产能的扩充。
他也提到，非常可惜台湾存储产业几十年持续投资了3、4千亿美元却没有自主性，最后付诸东流。在大陆大力发展积体电路时期，如何做好自主可控，持续发展非常重要。
全力发展3D NAND技术扩产
他指出，至于NAND方面寻找合作研发愿意联合研发的伙伴。3D NAND不论从物理特性或其架构上都具备成本优势条件，未来10年内，现今所有NAND厂都将转移到3D NAND建新的厂，所以论每家都面临同样的折旧压力。长江存储并不担心，只要全力解决技术问题即可。他强调，长江存储的目标是“在折旧期内实现盈利。”
全球存储器公司都在3D NAND产品积极准备中，2018年将会有更多64层3D NAND的产品量产上市，长江存储不会简单的跟随行业脚步，将通过跳跃式的发展，目标在2019年实现与世界前端差半代技术，2020年追赶上领先技术，与世界并行。至于目前发展，杨士宁表示“我还算满意。”
据杨士宁透露，长江存储32层3D NAND产品进展顺利，电气特性等各项指标非常好。他相当自豪的说，长江存储预计2018年第1季进设备机台，这是全球最大一层平面工厂，2019年就要达到产能满载目标，目前“压力巨大。”
“阵地战”与“运动战”结合
他进一步表示，除了站在正确的战略思考，更重要的是执行力，把事情做好。要想创业成功，找对人、砸对钱和做对事是3个必要条件。首先，要有实干精神，有胸怀有勇气，更要有创业成功的经验，其次把更多投资放在先进技术和有经济效益的领域。
在国际化的体制下，通过市场化的竞争，集结全国资源聚集全球人才，长江存储大规模投资建厂仿佛“阵地战”，每个极为可能的购并机会将成为“运动战”，做好“阵地战”与“运动战”相结合，才更有机会成功。
DIGITIMES
2.SEMICON China狂潮登场 三星、中芯国际揭露半导体技术愿景；
大陆半导体在全球风云崛起，14日盛大登场的第29届SEMICON China备受业界注目，率先打头阵的“中国国际半导体技术大会”，包括中芯半导体执行长邱慈云、三星研发中心执行副总姜虎圭等纷在会中揭露未来半导体技术布局和发展方向。
大陆疯狂投资半导体8/12吋晶圆厂、逻辑/存储器等先进制程技术，吸引全球半导体大厂纷到大陆投资设厂，由国际半导体协会(SEMICON)和中国电子商会(CECC)主办的SEMICON China，全球半导体上、中、下游供应商将与会，成为这几年相关半导体产业盛会最吸睛的焦点。
邱慈云在揭露半导体高阶制程布局时指出，中芯全力挺进14纳米和7纳米制程技术，2017年将正式投入7纳米制程研发，估计半导体进展到7纳米制程世代，只会有5家竞争者，包括中芯、英特尔(Intel)、台积电、三星电子(Samsung Electronics)及GlobalFoundries。
中芯收购欧洲晶圆厂LFoundry约70%股权，是大陆第一家买下欧洲半导体的企业，展现扩展全球版图的企图心，在中芯既有的北京12吋厂、深圳8吋厂、天津8吋厂、上海12/8吋厂之外，LFoundry将是中芯在欧洲另一个生产基地。
邱慈云表示，十分看好半导体在大数据、云端运算、人工智能(AI)、物联网(IoT)等领域应用，包括微处理器(MCU)、感测器、IGBT电晶体、微机电系统(MEMS)、射频(RF)、嵌入式非挥发性存储器(eNVM)等芯片技术，中芯已准备好65、55、40及28纳米等制程技术平台备战。
姜虎圭则针对三星在晶圆代工领域技术和蓝图指出，物联网、MCU等主要采用28纳米制程，移动通讯相关技术则是用14/10纳米，而GPU、AI、服务器、先进驾驶辅助系统(ADAS)等应用则会转进7纳米制程技术平台。其中，28纳米将是长寿的半导体制程，为达到更低功耗、改善成本结构，三星推出28纳米FD-SOI(28FDS)技术，且与意法半导体进行技术合作。
2017年大陆兴建晶圆厂总支出金额将超过40亿美元(SEMI统计资料)，占全球晶圆厂总支出达70%，预计到2018年大陆建造晶圆厂相关支出金额上看100亿美元。
SEMICON China 2017开幕主题演讲将汇集全球半导体重量级企业和高层，包括设备商Lam Research总裁兼执行长Martin Anstice、ASML总裁兼执行长Peter Wennink、比利时微电子(IMEC)执行长Luc Van den hove、英特尔(Intel)副总裁何军、封测大厂日月光集团营运长吴田玉等，将分享对于全球产业发展趋势的看法。
SEMICON China 2017包括四大主题展区，分别为IC制造、集成电路材料产业联盟、MEMS、LED和蓝宝石，并首次举办智能汽车电子、智能制造、绿色厂务科技等论坛，另外，同时间还有FPD China 2017，该展览涵盖触控屏幕专区和OLED专区覆盖制造、设备、材料和零组件等。DIGITIMES
3.中国存储器产业发展论坛：探索中国存储器产业发展道路；
3月14日，由SEMI主办、JEDEC协办的“中国存储器产业发展论坛”与SEMICON China 2017同期召开。论坛力邀各路半导体行业风云人物，共同探讨在移动通讯、云计算和物联网的驱动下，中国企业如何学习先进经验，借助市场和资金的优势，在国际竞争中获得应有的地位，共同推动全球以及中国存储器市场的发展。
本次论坛的主题演讲主要分为以下几个部分：
一、 彭安：存储器最新发展简介
有着28年丰富半导体行业经验的富微电子有限公司的首席策略官和业务发展副总裁，JEDEC主席特助和委员会JC63及JC64.8副主席彭安先生在演讲中指出：“随着全球存储器产业升级的到来，存储器市场将会迎来巨大的增长机遇。”
最新数据显示，到2016年为止，全球半导体市场规模与上一年相比增长1.1%，达到3389亿美元。预计到2017年将会继续保持6.5%的增长速度，达到3610亿美元。而这其中个存储器市场将会以年增长12.8%远超其他领域，总体市场规模也将达到866亿美元。就半导体产业的细分市场而言，2017年，增长速度最快的将会是传感器、模拟和存储器市场。
而在存储器市场中，DRAM从2016年第二季度开始就保持着非常良好的发展势头，预计这种趋势将会在2017年一直延续下去。在彭安先生看来，推动DRAM市场快速发展的因素在于，大数据对于存储产品的需求，以及手机市场的蓬勃发展对于低电压型存储产品的需求是DRAM市场增长的两个主要原因。
“存储技术现在是，并将始终是摩尔定律的引导者。”彭安先生指出，“虽然摩尔定律目前已经受到了很大限制，但是到目前为止工艺制程并不是DRAM发展的最大难题，在20nm工艺之后，DRAM市场还有很长的路要走。”
未来，DRAM市场面临的主要挑战是，如何能够满足市场尤其是大数据市场对于存储的近乎爆发式的需求增长，如何能够更好的降低DRAM的能耗以及更好的控制成本。而JEDEC推出的标准将能够很好的帮助厂商解决这些问题。据彭安先生透露，用于DDR5的JEDEC技术将会在今年推出，并将会在2018年推出样片。
“中国存储器市场拥有着完整的产业链、巨大的市场，在中国也有着像长江存储技术公司，福建晋华和兆易创新这样优秀的存储器公司，JEDEC希望中国存储器制造商能够更好的参与到产业变革中去，成为全球存储器产业的领导者。”彭安先生在演讲最后表示。
二、 DeanA.Klein：存储器创新的历史与未来
“存储器在我们的日常生活中扮演着非常重要的角色，不论我们有没有注意到，存储器存在于我们身边的很多产品中，可以说存储技术是所有电子产品中必须用到的技术。”美光先进存储器解决方案副总裁DeanA.Klein先生在题为“存储器创新的历史与未来”的演讲开始时表示。
DeanA.Klein先生首先带我们回顾了存储器的发展历史，无论是早期的Drum Memory，还是后来的Core Memory，以及随着半导体技术的出现而产生的DRAM存储技术，存储技术使得我们能够以更加高效的速度存储数据，以更加便捷的方式管理周边的电子设备。
这其中，DeanA.Klein先生尤其强调了半导体工艺在DRAM发展中起到的作用，从1999年至今，随着半导体工艺的发展，存储器的精细程度以及存储空间页呈现了极大的增长，那么随着摩尔定律的终结，DRAM市场的未来在哪里呢？
DeanA.Klein先生认为，3D NAND技术将会是未来的方向，它能够使得存储器在摩尔定律的基础上更好的提高存储器的性能，满足各种应用的需求。
举个例子来说，个人电脑，智能手机、服务器、工业市场、汽车，不同的细分市场对于存储器的需求都不尽相同，有的市场需求安全性高的产品，有的市场需求更加便携的产品，有的则是需要非常大存储空间的产品。这些需求，这些细分市场都在不同程度上驱动着存储器市场的发展。
“在我看来，这些市场需求就是存储器的未来所在。”DeanA.Klein先生，“这些需求带来了新的发展机遇与挑战，不同的需求要求存储器厂商必须在工艺、封装技术以及应用方面有所突破与创新。满足市场的需求，就是找到了存储器市场的未来。”
三、 纳秒级存储：超快固态硬盘和非易失存储器的应用
但是在西数新一代平台技术高级主任ZvonimirZ.Bandic先生看来DRAM技术还有着非常多的的挑战与限制，并不是完全适用于每一个应用场景。
例如，DRAM的价格是非常昂贵的，并且很难很好的应用在超过4TB的容量上。但是在大数据分析、高性能计算这样的场景中，对于存储空间的需求是非常巨大的，DRAM犹豫其自身的限制需要非常多的数量才能够满足应用的需求。但是随之而来的问题是，DRAM本身的功耗并不是很低，大量的DRAM堆砌，厂商的能耗也非常高。这时候，我们就需要其他的技术来更好的解决这一问题。
“NVM技术在这些应用场景中则能够很好的解决上述问题。”ZvonimirZ.Bandic先生在演讲中表示，“NVM具有非易失、按字节存取、存储密度高、低能耗、读写性能接近DRAM的性能。”
此外，超快速固态硬盘硬盘也可以解决这些问题，超快速固态硬盘尤其是使用PCI-E接口NVM产品在速度上将远超使用传统的PCI-E接口的SSD硬盘。固步自封，单纯的使用单一的产品是远远无法适应市场的。
“针对新的应用领域，我们需要更多的存储器标准来适应不同的市场，不同的应用。”ZvonimirZ.Bandic先生表示。“例如在网络服务中，我们不仅仅需要传统的产品，我们还需要采用新的存储器结构来服务于网络市场，因为这一市场有着其自身的特点。”
四、 特殊存储器市场的需求与挑战
不同的存储器细分市场有着不同的需求，这一趋势在特殊存储器市场表现的尤其明显，兆易创新市场分析师曹堪宇先生的演讲很好的佐证了这句话。
曹堪宇先生在演讲中指出，存储器市场规模约占总体半导体市场的四分之一左右，而在存储器市场总，有10%左右是特殊存储器市场，由此可见，特殊存储器市场并不是一个非常小众的市场，也有着巨大的发展空间。而特殊存储器市场则主要以2D NAND和NVRAM这两种技术为主。根据数据显示，2D NAND和NVRAM近年来都始终保持着非常良好的发展势头。
特殊存储器在市场中也扮演着非常重要的角色，首先，特殊存储器市场始终随着存储器市场的发展而不断发展，并没有呈现出任何萎靡的态势，特殊存储器市场进一步细化了存储器的产品种类，满足了越来越多产品的需求。其次，特殊存储器推动了存储器产品进入更多的行业领域，由于特殊存储器产品能够满足非常多的特殊需求，因此能够应用在很多的领域甚至是新领域当中。最后，特殊存储器产品也创造了很多新的技术和发展机会，很大程度上促进了存储器的发展。
同时，曹堪宇先生还例举了目前在国内从事特殊存储器的一些公司，并指出了他们在今后发展过程中可能遇到的一些挑战，公司规模，研发成本，无晶圆厂的模式、基础性的研究都可能制约公司的发展。
此外，对于中国存储器市场发展还存在一些威胁：政府影响，资源过度消耗，低ROI投资的影响，中国存储器市场在全球的总份额不超过1%，并且没有主要的相关技术支持，全球存储器市场已经饱和，中国市场将会是全球存储器企业的下一个战场，对于本地企业来说会有巨大的冲击，这些都会影响中国未来市场的发展。
五、 Flash Memory的封装技术
来自江苏长江电子的CTO梁新夫先生则在演讲中更多的介绍了存储器产品的封装技术，尤其是Flash Memory所使用的封装技术。
根据2015年的数据显示，全球半导体市场达到3340亿美元的规模，其中有四分之一是存储器市场贡献的，在梁新夫先生看来，在全球大数据的浪潮下，数据的重要性凸显，已经成为科技领域的“石油”，这种地位在未来的数十年中将会逐渐凸显。
而这其中，随着近年来手机便携式设备，智能可穿戴设备以及汽车中越来越多电子设备的采用，市场对于Flash Memory的需求越来越多，“2020年，超过500亿的物体将会连接网络，而他们都需要Flash Memory，这将是市场发展的绝佳机会。”
但是我们必须面对的现实是，中国企业的技术还相对落后，无法满足市场的需求。中国DRAM和NANDFlash市场随着手机市场的发展出现爆发式增长，即便如此中国的存储器产品很多都依赖进口，每年中国大约消耗全世界30%左右的存储器产品，这一市场是非常巨大的。
“新的技术正在到来，到2025年，中国希望能够自主解决本土的50%左右的DRAM和NAND需求。”
以3D NADN闪存为例，2015年，中国企业的产品还是以2D NAND为主，约占总产量的93%，绥中中国企业的技术升级以及3D技术的采用，预计到2025年，3D NAND将会达到97.5%的市场份额，这些都是会在未来几年中发生的。
六、3D NAND技术的挑战
然而，来自LamResearch的技术总监Rich Wise先生对于3D NAND未来的发展趋势并不是非常乐观。
随着云计算、大数据、物联网等应用的发展，未来NAND的需求会持续增加，这就意味在可见的未来里，存储产品的需求量的大增，会带来庞大的市场价值。
对于3D NADN市场在未来的发展，他持有肯定的态度，Rich Wise先生认为，随着3D NAND技术的成熟，存储容量和成本的降低是未来的必然趋势，而且3D NAND技术在一定程度上也实现了这一目标，但是3D NAND始终存在着一些技术限制和挑战。
3D NAND闪存在性能、容量、可靠性、成本等方面有全面性的优势，而堆栈层数也是3D NAND闪存一个重要指标。
这些挑战包括了制程，cell架构，集成度、可靠性、阵列架构和芯片设计等多方面的挑战，尤其是对于基础懦弱的中国来说，挑战更是巨大。
六、 新时代的存储器封装挑战
来自TechSearch的E.JanVaedaman女士在演讲中则更多的强调了封装技术对于存储器产品的挑战。
经过几年的高速发展，手机新增用户增长速度开始放慢，全球手机的销量和产量增速也逐渐趋缓，因此手机应用功能的发展和手机本身的结构升级对手机芯片市场发展的影响越来越大。智能手机为了容纳更多的功能，必然要求手机中的芯片无论是在功能上还是在能耗上做到越来越小，越来越少。这就要求手机中使用的芯片必须越来越小。
以现在的手机芯片为例，存储芯片一般都位于手机的最外层，这主要是用于存储芯片所使用的工艺决定的。“更小的封装，更小的引脚是存储器封装未来的必然趋势。”E.JanVaedaman女士表示。
然而现在的封装技术很难达到这样的要求，“采用TSV封装的3D IC设计虽然能够解决封装大小的问题，但是在成本问题上却很难满足手机芯片的需求。”毕竟手机存储芯片很难使用高成本的解决方案。
目前，存储器产业在全球的各个国家，诸如美国、日本、韩国和中国都非常受关注，但是想要解决存储器的封装问题，在E.JanVaedaman女士看来，我们需要的不仅仅是技术，还需要从已有的案例中吸取经验。
“先进的封装技术将会是存储器产业成功的关键钥匙，但是我们还需要很长的路要走，就像美信的产品一样，从2002年开始设计，一直到2015年才实现量产。但是我们必须要牢记存储器封装的重要性。”E.JanVaedaman女士表示。SEMIChina
4.合肥高新区助力“中国IC之都”建设；
合肥联合微电子研究中心（UMEC）在内的七大创新性平台是合肥综合性国家科学中心建设的重要支撑，该平台在借鉴比利时联合微电子中心（IMEC）建设和发展经验的基础上，由合肥市政府联合中国电子科技集团第三十八研究所等相关科研院所和高校联合建设，主要打造集成电路产业创新孵化的平台、产学研结合的纽带、高端人才培养的基地、国际合作的桥梁，从而为合肥市集成电路产业创新型跨越发展提供助力。
2月27日，合肥综合性国家科学中心建设正式启动，合肥创新正式进入国家序列。而作为科学中心七大支撑平台之一的合肥联合微电子研究中心（UMEC），却为合肥高新区承接以集成电路为代表的微电子产业提供了畅行通道。合肥高新区一位负责人在接受《中国企业报》记者采访时说，综合性国家科学中心和联合微电子研究中心平台的建设启动，对于合肥高新区而言，无疑将为打造“中国IC之都”贡献绵薄之力。
产业链完善、
关联产业基础雄厚
合肥高新区自1991年经国务院批准为首批国家级高新技术产业开发区以来，经过25年的发展，在全国高新区综合排名跻身第7位，培育形成了集成电路、智能家电、生物医药、高端装备制造等战略性新兴支柱产业，先后获批国家自主知识产权示范园区、国家首批双创示范基地、国家级侨梦苑暨侨商产业集聚区等荣誉称号，各种政策资源叠加。
合肥高新区负责微电子产业招商的负责人告诉记者，集成电路产业作为高新区重点扶持和发展的首位产业，截至目前已集聚集成电路产业相关企业80余家，从业人员超过1.2万人，设计类企业主要有中电科38所、联发科、杰发科、北京君正、台湾群联、美国敦泰、灿芯半导体、世芯电子、深圳芯海电子、安谱隆半导体等；制造类企业主要有富芯微电子等；封装测试企业主要有杭州矽力杰等；材料和设备企业主要有芯碁微装等；公共服务平台主要有合肥集成电路设计验证分析公共服务平台（ICC）等，获批建设安徽省集成电路战略性新兴产业集聚发展基地，产业链完善，关联产业智能家电等基础雄厚。
合肥市科教和人才资源丰富，产业环境良好，政策体系完备。在高新区集成电路产业人的共同努力下，高新区集成电路产业2016年完成产值78.1亿元，同比增速达47.6%。
创新能力
助力产业迅猛发展
成立于2013年12月，前身是2010年4月成立的联发科技股份有限公司汽车电子事业部，现为联发科技股份有限公司（全球半导体公司排名第11名）子公司，总部位于合肥高新区，在深圳设立研发和市场中心。杰发科专注从事车载信息娱乐系统芯片产品和解决方案的提供，目前在国内车载导航芯片后装市场中处于领先地位。
该公司常务副总经理萧培君表示，今年1月18日，腾讯旗下上市公司北京四维图新科技股份有限公司拟以38.75亿元价格收购杰发科技100%股权，目前并购正在进行中。腾讯的全资收购说明了杰发科技的发展潜质，但如果有国家级的科研机构所形成的创新科研氛围，加上技术力量的实际支持，企业将会发展得更好更快。
合肥兆芯电子有限公司成立于2015年6月，为台湾群联电子有限公司（台湾地区设计企业排名前十）全资子公司，注册资本1800万美元，主要从事企业与军工级存储产品及固态硬盘芯片的设计和研发。来自台湾的总经理王智麟说，如果可能他们也可以参与到科研中来，企业可以作为科研人员的实践平台，让科研成果就地转化。
合肥矽迈微电子科技有限公司成立于2015年12月，注册资本4.5亿元人民币，由合肥市产业引导基金和矽力杰半导体技术（杭州）有限公司共同成立。矽迈微电子致力于成为一家专注于半导体先进封装的科技公司，拟在高新区投资建设先进半导体特种工艺和高密度技术封装测试工厂项目。项目一期目前正在建设中。
该公司总经理谭小春快人快语，他说，联合微电子研究中心是微电子企业的福音，它的建成和营运，必将吸引来自世界各地的电子行业科技精英，对提升这一行业的科技水平，营造世界创新科研中心大有益处。
在采访中，位于合肥高新区内的安谱隆半导体（合肥）有限公司和合肥芯碁微电子装备有限公司，这两家微电子企业都深有同感，他们认为，联合微电子研究中心的建设必将给合肥市整个微电子产业带来更多的技术支持。
在产业和技术上
取得新突破
合肥高新区管委会负责人告诉记者，虽然全区近两年在集成电路产业发展上成绩显著，但也清醒地认识到高新区集成电路产业发展存在的设计服务类企业体量偏小、创新和技术水平与先发地区尚有差距、高层次人才相对匮乏、公共服务平台建设亟待完善等问题。承接联合微电子研究中心建设正是破解这些问题的最佳切入点。
上述负责人认为，合肥高新区集成电路产业当前正处于奋力爬坡，推进产业创新跨越发展的重要战略机遇期，通过UMEC的建设必将提升合肥市和高新区集成电路产业的技术水平和研发实力、加速中高端技术人才的聚集、有利于一批项目的孵化和成长，为高新区集成电路产业的发展注入新的强劲动能。
在技术创新上，积极组织园区集成电路企业参与联合微电子研究中心的建设，参与到产业共性技术研究平台中去，通过和科研院所、高等院校等的合作，在前沿和基础技术研究方面取得突破，争取掌握一批先导性、爆发性的技术，提升高新区集成电路企业的技术水平，争取在技术水平上跨入全国前列。中国企业报
5.新能源车“接棒”驱动功率半导体市场新引擎；
赛迪顾问发布的数据显示，受电子信息制造业生产增速总体加快的影响，2016年我国功率器件市场规模持续扩大，达到1496．1亿元，同比增长7．2％，增速较2015年有所回升。然而，观察下游应用市场的拉动效力，2017年以手机和移动通信基站为代表的通信类整机产品产量将有所回调，相关功率器件产品市场规模增速将有所放缓，而工业控制类产品仍将保持稳定、消费电子穿戴设备等产品尚未形成爆发式增长，计算机产品快速下滑……在此情况下，汽车电子市场对于功率半导体拉力的重要性就不断凸显出来，成为2017年中国功率器件市场增长的关键因素。
中国功率半导体行业2017年初即取得良好开局：在收购恩智浦公司RF Power部门后，建广资产又以27．5亿美元收购了恩智浦公司标准产品部门，该部门主要产品之一是功率半导体MOSFET产品线。未来，中国功率半导体企业应当抓住国家大力推进新能源汽车的良好契机，加快推动行业的进一步发展。
新能源车驱动功率半导体成长
功率半导体的应用领域已逐渐从传统的工业控制和4C领域，向新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场迈进。
作为仅次于大规模集成电路的另一大分支，功率半导体运行于弱电控制与强电之间，在降低电路损耗、提高电源使用效率中发挥着重要作用。随着世界各国对节能减排的需求越来越迫切，功率半导体的应用领域已逐渐从传统的工业控制和4C领域，向新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场迈进。市场分析机构IMSResearch的报告指出，未来功率半导体的增长点将来自新兴领域，包括电动汽车及新一代通信、云计算等。
对于中国市场来说，虽然新能源车市场此前受到补贴下降、推荐目录重审等影响，增速有所放缓，但是业界普遍认为，随着第二批推荐目录的出台，将逐步改善市场局面。3月1日，工信部正式发布《新能源汽车推广应用推荐车型目录（2017年第2批）》，共有40家企业201款新能源车型上榜。其中，纯电动车型有157款、插电式混合动力车型有44款。新能源汽车投资合作热潮再度涌动。
根据赛迪顾问的报告，功率半导体占到新能源汽车新增半导体用量的76％、新能源整车半导体用量的50％。IGBT模块是新能源汽车电控系统和直流充电桩的核心器件，成本占到新能源整车成本的10％，占到充电桩成本的20％。由于未来几年新能源汽车及充电桩市场将进入爆发期，IGBT等功率半导体作为其核心器件也将迎来黄金发展期。预计未来5年国内新能源汽车和充电桩市场将带动200亿元IGBT模块的需求。
国际半导体厂提前布局
由于消费类电子市场增长趋于平缓，汽车电子成为IC行业企业关注的下一个热点，各大国际半导体厂商都在积极布局。
由于智能手机等消费类电子市场增长趋于平缓，汽车电子开始成为IC行业企业关注的下一个热点，目前各大国际半导体厂商都在积极布局。比如，高通公司通过并购恩智浦半导体的方式进军汽车电子市场；安森美并购了Fairchild，以补足其在中、高压功率器件上的不足；瑞萨则通过收购Intersil巩固其在汽车电子市场的地位。
无论汽车电子是否会真正“接棒”消费类电子市场，在智能化、电子化的大趋势下，这将会给整个半导体市场带来新的活力和增长点。英飞凌科技（中国）有限公司大中华区总裁苏华指出：“要达成二氧化碳减排目标，汽车行业必须专注于更高效率的内燃机，动力总成电气化。”功率器件的智能化，可以让电子控制系统达到更高安全等级。例如在IGBT内部增加电流和温度传感器，当系统可能出故障时，能做初步的判断，可以首先尝试降低车辆输出扭矩和速度，而不是直接关闭。在电池电压偏高时，降低功率器件开关速度，保护开关电路安全；在电池电压正常时，做最高效开关动作。
东芝电子（中国）有限公司技术部副高级经理刘文鑫认为，汽车用功率半导体将有四个主要的发展趋势，那就是高可靠性、高集成度、大功率化和可生产性。
应以新能源车市场作为突破口
随着我国大力发展新能源汽车行业，下一步我国功率半导体企业应当重点在新能源汽车用功率半导体领域取得突破。
继2015年收购恩智普公司RF Power部门后，2017年初建广资产又以27．5亿美元收购了恩智普公司标准产品部门，该部门主要产品之一是功率器件MOSFET产品线。与此同时，以中车株洲电力机车研究所有限公司IGBT为代表的自主高端功率器件产品已成功进入电力传输、工业自动化和铁路运输特别是高速铁路等重点应用领域。中国在功率半导体领域也开始取得逐步进展。
根据《电力电子器件产业发展蓝皮书》，在中大功率（电压1200V～6500V）和中小功率（900V以下）领域，我国高频场控电力电子器件技术和产业取得了长足的进步，建立了从电子材料、芯片设计、研制、封装、测试和应用的全产业链。中小功率的MOSFET芯片已产业化，批量生产的单管已在消费类电子领域得到广泛应用；IGBT模块的封装技术也上了一个大台阶，采用国产芯片的4500V、6500V／600A～1200A的IGBT模块进入小批量的量产阶段。
随着我国将大力发展新能源汽车行业，下一步我国功率半导体企业应当重点在新能源汽车用功率半导体领域取得突破。上海华虹宏力半导体制造有限公司科长黄景丰表示：“希望IGBT也能乘上新能源汽车发展的东风，与广大同行共同努力发展。”IGBT未来主要的成长驱动力来自于HEV／EV。我国的新能源汽车发展也经历了几个阶段，从燃油车发展到油电混合车，气电混合车，再到纯电动车。不同能源的驱动方式也催生了功率半导体的广泛应用，作为电动车动力的核心，马达逆变器将驱动IGBT模块飞速发展。根据我国新能源汽车2020年规划，到2020年各型新能源汽车年产出要达到200万辆。
根据我国功率半导体的技术发展路线图的规划，未来我国应提升轨道交通、电力系统和新能源汽车用的高压大容量IGBT模块的产业化水平，开发超大容量平板全压接IGBT模块产品、进一步提升快恢复二极管FRD芯片和高压功率MOSFET芯片的技术水平。中国电子报
6.上海微电子与ASML建立合作伙伴关系
3月14日，SEMICON China 2017开幕当天，上海微电子装备（集团）股份有限公司（SMEE）宣布，今天SMEE与ASML)签署战略合作备忘录（MoU），为双方进一步的潜在合作奠定了基础。
根据这项合作备忘录，ASML和SMEE将探索就ASML光刻系统的特定模块或半导体行业相关产品进行采购的可能性。
“全球IC行业都在积极寻求技术蓝图进来一步缩小芯片尺寸，为商业和消费者用户提供更性能更强但节能的电子组件。这一技术蓝图的有效执行需要精密复杂的制造技术，这只能靠各领先公司、研究机构和院校汇集知识和经验形成有效的协作网络来共同达成，” ASML公司战略与市场高级副总裁Paul van Attekum表示:“此次我们与SMEE建立合作伙伴关系目的就在于提升并强化半导体光刻领域现有的知识网络，这将惠及我们在中国及全球的所有客户。”
“伴随着中国经济的持续发展，国内的消费电子需求不断扩大。SMEE始终致力于为中国的半导体行业发展提供高品质的高端制造装备。” 上海微电子装备（集团）股份有限公司董事长兼总裁贺荣明说道“我们很高兴能与ASML这样业界领先的光刻机公司建立合作伙伴关系，我们相信通过合作，将充分发挥双方的优势，为中国乃至全球半导体市场带来有价值的作用。”
此次MoU的签署代表ASML继日前与上海集成电路研发中心(ICRD)宣布合作之后，进一步深入参与中国的IC产业的发展。
SMEE与ASML双方公司高层，包括来自SMEE的董事长兼总裁贺荣明先生，技术副总裁程建瑞先生，市场营销副总裁陈勇辉先生，以及全球供应链总监王玮先生；ASML总裁暨首席执行官 Peter Wennink 先生，战略与市场高级副总裁 Mr. Paul van Attekum 先生，销售和客户支持执行副总裁 Sunny Stalnaker 女士，中国区总裁金泳旋先生，中国区销售总经理范祖恩先生，中国区高级业务顾问陈荣龄先生等参加了签署仪式。 SEMIChina
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