全球最大的SiC工厂，正式开业

据日经报道，欧洲顶级芯片制造商英飞凌已在马来西亚启动其有史以来最大的功率芯片工厂的生产，这标志着东南亚国家在试图提升全球半导体供应链方面取得了胜利。

该公司表示，一旦居林工厂在未来五年内达到满负荷生产，它将成为世界上最大的碳化硅 (SiC) 工厂。英飞凌正关注可再生能源领域以及电动汽车和人工智能数据中心等电气化应用的需求。

马来西亚已成为英飞凌在亚洲最大的芯片生产基地，以及全球最大的芯片封装和组装业务所在地。英飞凌居林高级副总裁兼董事总经理 Ng Kok Tiong表示，英飞凌在马来西亚拥有约 15,000 名员工，比包括其总部德国在内的全球任何地方都多。

作为电源和微控制器芯片市场的领导者，英飞凌正在关注多种类型的宽带隙半导体，用于下一代电源解决方案，包括基于 SiC 和氮化镓 (GaN) 的半导体。

宽带隙半导体比基于普通硅片制造的芯片具有更高的温度和电压耐受性。SiC 芯片对于高功率电动汽车充电解决方案和可再生能源基础设施等应用至关重要，而能量密集型 GaN 芯片可用于缩小充电器和适配器的尺寸。

英飞凌库林技术与研发高级副总裁Raj Kumar对记者表示：“与基于硅的功率解决方案相比，采用SiC，我们可以在相同尺寸下将功率密度提高一倍，或者在一半的尺寸下实现相同的功率。”

英飞凌预测，截至 9 月的 2024 财年，SiC 相关解决方案的收入将至少达到 6 亿欧元（6.56 亿美元）。

该公司表示，将额外投资 50 亿欧元用于居林工厂的第二期建设，该工厂已从客户那里获得 10 亿欧元的预付款和约 50 亿欧元的设计中标承诺。

对能源效率和更高功率输出的需求不断增长，推动了电动汽车、5G 基础设施和电源转换器等各个领域对宽带隙半导体器件的需求。

据研究公司 Gartner 称，宽带隙市场预计到 2028 年将达到 130 亿美元，2023 年至 2028 年的复合年增长率 (CAGR) 为 29.9%。

然而，业内高管表示，用于电源解决方案的 SiC 芯片价格仍比基于硅的解决方案高出三到四倍。该材料易碎且难以处理，需要在高达 2,000 摄氏度的温度下通过单一工艺生产。业界最先进的 SiC 芯片才刚刚开始向 8 英寸基板过渡，而最尖端的处理器芯片已在 12 英寸晶圆基板上制造。

英飞凌等公司的扩张计划对马来西亚来说是一个福音，在中美贸易紧张局势下，马来西亚的投资有所增加。该国报告称，2023 年的投资额达到创纪录的 3295 亿马来西亚林吉特（735 亿美元），比 2022 年增长 24% 以上。该国还在吸引数据中心投资，这是科技行业最热门的领域之一。马来西亚投资发展局称，2023 年超过 45% 的投资与电气和电子、信息和通信行业有关。

美国咨询公司科尔尼亚太区运营和绩效联席主管 Keat Yap 表示，马来西亚在芯片供应链中的作用将不断扩大。该国吸引了大量投资，拥有强大的人才库、生态系统和政府支持。然而，半导体投资竞争非常激烈。

“在竞争日益激烈的环境中，马来西亚面临着实现雄心勃勃目标的压力，同时还要抓住新的增长机会，保持竞争优势，”叶说。“总的来说，在未来两到三年内，巩固马来西亚作为全球知名半导体中心的地位是一场马拉松，而不是短跑。”

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