为深入贯彻落实党的十九大精神，助力推进我国新材料产业健康快速发展，由中国材料研究学会与国家新材料产业发展专家咨询委员会共同主办“2018中国新材料产业发展大会”。
大会主题为：创新、发展、应用
，旨在服务国家新材料发展战略，服务新材料特色产业，服务新材料创新创业。2018中国新材料产业发展大会拟定于2018年12月19 -22日在南京国际展览中心举行。大会邀请国家发展改革委员会、科学技术部、中国科学技术协会、中国工程院、中国科学院、国家自然科学基金委员会等政府部门作为支持单位。
受大会组委会委托，由第三代半导体产业技术创新战略联盟、国家半
导体照明工程研发及产业联盟共同举办半导体材料论坛。欢迎相关单位及组织参会。
主办单位：
中国材料研究学会
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）
协办单位：
深圳第三代半导体研究院
北京国联万众半导体科技有限公司
分论坛主席：
屠海令 吴玲
秘书长：
于坤山
会议召集人：
沈波、闫春辉、徐现刚、盛况
分论坛内容安排：
1、碳化硅技术及应用（12月20日下午）
2
、氮化镓技术与应用（12月21日下午）
会议地点：
南京国际展览中心
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碳化硅技术及应用分会
2019
年12月20日，星期四
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主持人：
徐现刚 山东大学教授
盛 况 浙江大学特聘教授
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13:30-13:35
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主持人介绍会议背景及与会人员
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13:35-14:05
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SiC单晶研究进展
陈秀芳 山东大学教授
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14:05-14:35
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SiC功率MOSFET技术发展趋势分析
汤晓燕 西安电子科技大学微电子学院教授
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14:35-15:05
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宽禁带半导体SiC器件研究进展
张 峰 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室研究员
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15:05-15:20
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休息
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15:20-15:50
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新型碳化硅电力电子器件探索研究
郭 清 浙江大学副教授、求是青年学者
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15:50-16:20
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电网用高压大功率SiC器件研究进展
杨 霏 国家电网公司全球能源互联网研究院功率半导体所副总工程师兼工艺开发室主任
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16:20-16:50
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SiC GTO脉冲功率开关研究进展
李俊焘 中物院微系统与太赫兹研究中心固态高压微系统技术研究室牵头副主任
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16:50-17:20
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SiC-MOSFET功率模块在感应加热电源上的应用技术
李南坤 上海巴玛克电气技术有限公司副总经理
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氮化镓技术及应用分会
2019
年12月21日，星期五
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主持人：
沈 波 北京大学教授
闫春辉 深圳第三代半导体研究院首席科学家
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13:30-13:35
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主持人介绍会议背景及与会人员
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