为了表彰和宣传在我国第三代半导体事业中做出显著业绩和突出贡献的青年典型，用卓越青年的精神激励、教育和引导第三代半导体行业青年进一步开拓创新，联盟青年创新促进委员会在科技部及联盟的支持和指导下，自2016年起已开展了两届 “第三代半导体卓越青年”评选活动，取得了良好的带动效应。为了更好的对接国家人才计划，为国家中青年拔尖人才、科技创新创业领军人才推荐第三代半导体领域的优秀人才，同时对接国家青年项目，推荐入选第三代半导体卓越青年的人才承担或参与相关国家计划项目，第三届“CASA第三代半导体卓越青年”评选于2018年8月正式启动。
本届活动自开展以来，受到社会各界的广泛关注和广大青年的积极响应。根据评选规则和严格的专家评审，遴选产生了前5名获奖人员，现将
第三届“CASA第三代半导体卓越青年”
获奖人员进行公示。
公示期为三天。
如有任何问题请与联盟秘书处联系，联系电话：010-82388680。
第三届“CASA第三代半导体卓越创新青年”获奖人员名单
孔月婵，博士，中国电子科技集团第五十五研究所研究员，博士生导师，微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室副主任。入选江苏省“333人才培养工程”，获中国电子学会技术发明奖二等奖1项，中国电科技术发明奖一等奖1项，中国电科十大科技进展1项。长期致力于第三代半导体异质结构材料与器件物理研究，特别对极化掺杂GaN基异质结构能带、载流子输运及器件性能及可靠性之间的关联有独特认识，先后主持了军科委重点项目课题、核高基、国防“973”课题、总装探索、预研、国家自然科学基金等课题十余项，获授权发明专利7项，发表论文120余篇。
杨霏，博士，高级工程师（教授级），国家电网公司全球能源互联网研究院功率半导体所副总工程师兼工艺开发室主任，中关村高端领军人才。专注于碳化硅外延材料及高压电力电子器件研究，组建了包括外延材料、器件设计、器件工艺与测试的碳化硅高压器件研发团队，承担国家863项目1项，国家重点研发计划项目2项，北京市科委项目2项，国家电网公司科技项目8项，研制了1200V、1700V及3300V系列碳化硅二极管及3300V/600A混合模块，研制了1200V/20A碳化硅MOSFET并在30kW光伏逆变器中示范应用。目前正在研制35kV/5MW柔性变电站电力电子变压器示范工程应用的6.5kV碳化硅二极管与MOSFET，以及用于24kV换流阀功率单元的18kV碳化硅IGBT。主导制定团体标准2项，主持建立了全工艺的10kV高压碳化硅器件中试线，授权发明专利16项，译著2部。
汪莱，博士，清华大学电子工程系教研系列副教授，特别研究员。长期从事GaN基半导体光电子材料和器件研究，在GaN基发光二极管器件物理、InGaN量子点材料和发光器件、高增益线性模式紫外雪崩探测器等方面取得一系列创新成果。承担了国家重点研发计划、自然科学基金等课题。发表SCI论文80余篇，申请发明专利10件。在国际国内会议上作邀请报告10余次，并担任多个国际国内会议的委员。受邀出版学术专著章节一章。参与制定了广东省和北京市的LED产业发展技术路线图。2011年，荣获国家科技进步二等奖。2018年获得国家自然科学基金委优秀青年科学基金资助。
房玉龙，博士，中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家级重点实验室副主任。长期从事宽禁带半导体GaN、SiC的材料外延及电子器件研究工作。
主持建成国内首个大尺寸GaN HEMT功率器件材料平台，研制的GaN HEMT材料用于多项重点工程，形成了自主可控的GaN HEMT核心材料保障能力。牵头制定GaN材料IEC国际标准，已获国际电工委员会IEC大会立项。面向电力电子器件应用，国际上率先使用TCS实现SiC多片外延生长。面向W波段以上功率器件应用，研制出世界最高迁移率的无应变InAlN/GaN异质结材料，国际上首次突破InAlN HEMT器件可靠性难题。主持或参与重大专项、“973”、“863”和自然基金项目10余项，发表宽禁带领域学术文章50余篇。
