【简讯】AMD 7nm Nvai架构显卡被曝推迟；《战地V》将在2月12日带来DLSS…

此前，AMD CEO苏姿丰曾多次确认，今年会推出7nm工艺、Navi新架构的显卡。

Navi已经在AMD显卡路线图上存在了很久，意在取代Vega，提升性能和能效。此前的消息称，Navi会在今年年中的E3、Computex展会期间推出，不过突然生出了变故。

据外媒最新报道，Navi显卡已经推迟到了今年10月份，也就是拖到了第四季度。

具体原因不详，可能是需要更多时间打磨？或者台积电7nm工艺产能太紧张，无法在满足苹果、高通、华为等众多大客户以及AMD霄龙、锐龙的同时，无法给Navi留足空间？

另外，Navi的确切定位也一直是个谜。 AMD的路线图一直暗示它是高端Vega的继任者，但也有说法称它只是主流Polaris的升级版，还有观点认为AMD会先出一个中端版本再上高端版本。

按照iPhone的一贯升级风格，2019年应该会有更大的变化，消息称，苹果今年仍会推出三款iPhone，其中两款是OLED屏，一款是LCD屏，也将是苹果最后一次使用LCD。

刘海屏继续保留，目前的原型机上有大有小，还未定型，同时新机有望增强涂层，以提高触感和防刮擦能力。

接口可能会改成USB Type-C，但还很不确定，继续保留Lightning闪电接口仍有可能。颜色也将继续变，这次将增加一种绿色风格，但同时会放弃一种现有颜色，具体不确定。

iPhone XS Max的升级版有望配备后置三摄像头，iPhone XR的升级版也会有新的双摄像头。

价格方面，消息称今年的三款iPhone将维持去年的定价体系，可能会有波动但不会有大的调整。当然了，新一代iPhone还要半年多才会发布，所以一切都存在变数。

近日，希捷就重申今年会给大家带来两项重磅的机械硬盘革新技术：上半年量产首款HAMR热辅助磁记录硬盘，容量16TB起步；晚些时候推出持续读写性能可媲美SATA SSD的MAT多读写臂硬盘，容量14TB起步。

希捷称，已经研发出了何时的存储媒介、写入磁头，寿命可达4PB，而典型企业硬盘一年的写入负载也不过550TB，也就是能用差不多8年。

希捷还透露，HAMR硬盘的存储密度做到2.381Tb每平方英寸，可以达成单碟3TB，八碟装就是24TB，未来存储密度可达10Tb每平方英寸，总的硬盘容量能接近100TB。

明年，希捷将把多读写臂技术和HAMR技术融合在一起，容量可突破20TB。

而根据希捷的路线图，无论单读写臂还是多读写臂的硬盘，在HAMR的加持下，2021-2022年能突破30TB，2023年则超过40TB。

即将在旧金山开幕的三星春季发布会上，已经确认发布的就有Galaxy S10系列手机，传说中有四款机型，包括已经确认的S10 Plus、S10、S10e，以及一款5G版的S10。而新增的S10e可以视为降配置版，主要区别在于屏幕、摄像头配置，被外界视为针对苹果iPhone XR的直接竞争对手。

现在，Twitter爆料大神@evleaks 送出了一组三星Galaxy S10系列高清无码渲染图，能很轻松对比Galaxy S10与Galaxy S10e的区别，S10e没有双曲面屏，边框更宽一些，后置摄像头降低至双摄。

从图中可以发现S10（中间两个图）、S10e（两侧图）的区别。虽然都是Infinity-O打孔屏，但S10显然更高级，屏幕延伸至腰线两侧，视觉效果边框更窄小，而S10e很可能是普通的LCD屏幕，上、左右侧边框等宽，底部稍宽，由于非AMOLED屏幕关系，S10e的指纹识别在手机右侧。

其次摄像头也减配至双摄，意味着缺失了长焦或超广角功能，另外三星手机一直支持的心率监测模块也有物理区别，S10的心率传感器更加大、更加修长，但实际差异未能获知。

从目前可以确认的信息知道，前置摄像头也是两者差异较大的地方，S10 Plus是前置双摄，S10仅为单摄，因此S10 Plus的屏幕挖了一个修长的椭圆形孔。而内在的RAM、ROM容量也是有所不同，从而吸引更多消费者购买高级版本。

NVIDIA RTX 20系列显卡带来了革命性的DXR实时光线追踪、DLSS深度学习超采样抗锯齿，去年8月底首发时官方就宣称都会有数十款游戏首发支持，但是快半年过去了，实现光线追踪的只有《战地5》，实现DLSS的只有《最终幻想15》。