10月8日，射频解决方案供应商Qorvo宣布，已收购全球领先的高性能射频供应商Cavendish Kinetics，该公司的团队将继续推动RF MEMS（射频微机电系统）技术在Qorvo产品线中的应用，并将该技术转变为用于移动设备和其他市场的大批量制造。
Cavendish Kinetics成立于2006年，其RF MEMS技术主要用于天线调谐应用，为智能手机、移动基础设施和物联网提供射频前端产品。
我们今天的LTE网络频段介于700 MHz到3.5 GHz之间，相比之下，5G不仅与LTE共存，而且还将在30 GHz至300 GHz之间的毫米波段内运行，无论如何5G都需要一个新的组件，RF MEMS就是其中一种可能。目前RF SOI射频开关占据着市场的主导地位，但是新技术RF MEMS也存在一定的生存空间。
Qorvo移动产品部总裁Eric Creviston表示：“收购Cavendish Kinetics使我们能够巩固Qorvo在天线调谐方面的市场领导地位。全球多家领先的智能手机供应商已经证实，通过Cavendish Kinetics的RF MEMS技术能够显著改善天线的性能，包括降低损耗和提高线性度。Qorvo将在该公司原有的基础上进行优化和扩展，并将其应用于基础设施和国防等其他应用。”
早在2015年，Cavendish Kinetics募资3.6亿美元以加速下一代射频组件的开发，就有Qorvo旗下公司作为战略投资者参与了该轮筹资，本次收购可以说是“早有预谋”。Qorvo将在2020财年第二季度营收电话会议上提供有关Cavendish Kinetics收购交易的更多细节。
物联网、人工智能、5G等新市场即将引爆庞大商机，手机射频前端芯片市场作为半导体行业最具吸引力的领域之一，将从此次5G产业升级中受益最大，芯片大厂扎堆涌入射频前端市场，场面炙手可热。但手机射频前端模块和组件增速不一，四家原厂博通（Broadcom）、Skyworks、Qorvo和村田（Murata）已经确立了在手机射频前端市场中的领先优势，占据九成市场。
随着4G通信制式的普及以及向5G技术的演进，PA在手机中的地位越来越重要。特别是随着云服务、VR/AR等应用的兴起，智能移动终端开始需要更大的数据传输速度与更大的带宽，为了增加带宽，发展了载波聚合技术，还有MIMO（多路输入输出）蓝牙技术。这些新的技术使得射频的复杂度提高了，对于射频芯片要求也提高了。
目前全球射频前端芯片产业拥有较为成熟的产业链，欧美IDM大厂技术领先，规模优势明显，台湾企业则在晶圆制造、封装测试等产业链中下游占据重要地位。5G对射频前端芯片的更高要求催生出BAW滤波器、毫米波PA、GaN工艺PA 等新的技术热点，形成新的产业驱动力。
数据显示，手机射频（RF）前端模块和组件市场发展迅猛，2016年其市场规模为101亿美元，预计到2022年将达到227亿美元，复合年增长率为14%。这样的高速增长，惹得其它半导体市场中的厂商羡慕不已。
手机芯片向多模方向发展以及支持频段数量指数性增加，导致手机射频前端模块数量快速增长，预计到2019年，全球移动通信终端的总出货数量可达28亿台。手机芯片毛利率持续下滑，高通、联发科、展讯向射频+芯片一体方案延伸，横向拓展切入产业，抢食大蛋糕。
但是，各种手机射频前端组件的增速不一，如天线调谐器（Antenna tuners）的复合年增长率为40%，滤波器（Filters）的复合年增长率为21%，射频开关（Switches）的复合年增长率为12%，而射频功率放大器和低噪声放大器（PAs & LNAs）的复合年增长率仅为1%。
2016~2022年手机射频前端模块和组件市场
由于新型天线的出现和增长，低噪声放大器市场将稳步前行。
LNA LMM和LNA RDM
开关是射频前端市场中第三大的业务板块，其市场规模将从2016年的10亿美元增长至2022年的20亿美元。该市场将主要由天线开关业务驱动而增长。
天线调谐器是射频前端市场中最小的业务板块，2016年市场规模约为3600万美元，预计2022年将达到2.72亿美元。该市场的主要增长原因是调谐功能被添加到主天线和分集天线中。
移动数据的这种持续性增长已经导致需要使用更多的无线电频谱。在移动通信中，随着用户数量和技术种类的激增，无线电频谱成为稀缺资源。
为了应对上述的这种过度需求，手机必须满足复杂的要求，例如：
•支持区域和全球漫游的多频带；
•支持多种蜂窝模式，包括2G、3G、4G、WiFi、蓝牙（Bluetooth）、近场通信（NFC）、全球定位系统（GPS）；
•利用多输入多输出（MIMO）改善通信质量，使得数据速率提高和有效范围增加；、
•利用智能天线技术（如波束成形或分集）来增强单个数据信号的性能；
•载波聚合（CA）支持更宽的带宽，提升带宽体验，如提供更高的峰值数据速率、更大的总体网络容量和更低的延迟等。
所有这些要求（频带从低频到高频）给手机射频前端架构、设计和制造带来了巨大的挑战。
因此，手机射频前端产业对“创新”求贤若渴，其创新主要体现在三个方面：
•材料：开发新的射频SOI衬底，如SOITEC公司的e-Si衬底，以减少衬底漏电或减小寄生电容；
•设计：新型内部组件设计，如ACCO公司的功率放大器，可以提高基于SOI的功率放大器性能，并可以与用于中低频带的砷化镓（GaAs）功率放大器展开成本竞争；
•架构：将三个双工器（duplexer）集成到六工器（hexaplexer）中，或者构建多模多带功率放大器模块，可以工作于所有的低频带、高频带或中频带；
手机射频前端的创新之处
Cavendish Kinetics拥有低损耗RF MEMS xPxT开关的厂商可以实现射频前端架构的创新，且无需昂贵的双工器和多路复用器。从长远来看，潜在的技术创新甚至可以颠覆手机射频产业。
采用MEMS工艺生产滤波器仍然存在挑战。MEMS技术制造滤波器具有极高的技术门槛，在保证高度一致性和高质量的条件下实现大规模量产难度较大。
在射频前端模块集成上发展更快的厂商有望成为市场的主导者。同时拥有主、被动器件的设计能力、制造工艺以及集成工艺是未来射频元件公司的发展方向。
射频前端集成存在单片集成(片上SoC系统)和混合集成(SiP封装)两个发展方向。目前通过封装集成的形式更易实现，也是各大厂商重点着力的方向。
