近日，国内功率器件厂商无锡新洁能发布涨价通知：由于市场变化，硅外延材料片价格上涨，晶圆代工价格上涨，导致我司产品成本上涨。从2018年元旦起我司销售的所有产品热行2018年价格，具体以报价单为准。2017年可交货的订单执行既定价格。
据业内消息透露，此次涨价幅度估计在10%左右。
无锡新洁能是国内大功率半导体器件设计与销售企业，专业从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售。主要产品有沟槽型功率 MOSFET（中低压）、超结功率 MOSFET（高压）、屏蔽栅沟槽型功率 MOSFET（SGT）（中低压）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和功率模块等。
长电科技MOS管涨价20%
被动元件与记忆体、OLED面板、MOSFET等并列为今年缺货最严重的零组件。
2017年9月1日，长电科技便发出通知对所有MOS管价格上调20%。
涨价通知内容如下
：由于MOS管原材料价格上涨，现有的价格无法继续执行，经公司开会讨论决定，对所有MOS管价格上调20%。MOS管系列包括2N700系列、2SK系列、BSS系列、CJ23系列、CJ31系列、CJ34系列、CJ41系列、CJK系列、CJE系列、CJM系列、CJQ系列。未涉及调价的其他型号，请以我公司原价格为准，此次调价国内、香港均自即日起执行，以交货日期为准。
目前MOSFET市场供不应求，主要是两方面因素：原材料涨价及需求旺盛。硅晶圆持续的供应紧张，晶圆厂产能塞爆以致涨价，终端市场回暖，移动电源、新能源等需求明显。
国内外MOSFET厂商
欧美
： ST、飞兆(安森美收购)、IR（英飞凌收购）、ONSEMI、
VISHAY、
TI、 IXYS（力特收购）、RECTRON、AOS、Nexperia、Diodes、Analog Power；
日韩
: Rohm、SANKEN、SHINDENGEN、富士半导体、SANYO、瑞萨电子、Toshiba东芝、韩国AUK、美格纳、KEC；
台湾
： 富鼎先进APEC、茂达电子（大中积体）、强茂、友顺UTC、尼克森、LITEON敦南科技（光宝集团旗下）、TSC台湾半导体股份有限公司、DELTA台达电子、UBIQ、Unit power等；
中国大陆
：杭州士兰微、乐山无线电、江苏长电科技、广东风华高科、苏州固锝、吉林华微电子、深爱半导体、锐骏半导体、西安芯派电子、无锡新洁能、西安后羿半导体。
各大品牌MOSFET交货情况
低压MOSFET
：英飞凌、Diodes、飞兆（安森美收购）、安森美、Nexperia、ST、Vishay货期趋势为延长，目前货期短则14周长则30周。
分析称英飞凌收购 IR 后可提供丰富的中等电压产品 (40-200V)。但是，传统 IR 器件定价一直上涨。汽车器件交货时间为 20+周。
另外飞兆方面，由于 Fab 工厂转移和晶粒出现问题，仍然存在交货问题。大多数问题都出在较小封装（Sot-23，Sc-70）和汽车器件上，飞兆半导体和安森美将在下一季度合并系统，因此富昌分析预计会有进一步的货期问题。
高压MOSFET
：包括英飞凌、安森美/飞兆、MS、Vishay、
Ixys、ST、罗姆
，除了Ixys、MS货期稳定之外，其他的都处于货期延长状态。
英飞凌目前货期15-17周，相对较短。而ST的货期达到了26-36周，相对较长。ST是额定200摄氏度的碳化硅场效应管的唯一供应商。推出650V SiC，可与高性能IGBT竞争，并能替代超结器件。需求增加导致一些交付问题。
注：内容整理自网络
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