2018年12月20-22日，由中国材料研究学会发起，联合国家新材料产业发展专家咨询委员会，共同主办的“2018中国新材料产业发展大会”在南京召开。会议旨在服务国家新材料发展战略，服务新材料特色产业，服务新材料创新创业。除开幕式及大会报告外，大会共设立了半导体材料、生物医用材料、汽车新材料、纳米材料、绿色建材、高温合金等17个分会。
氮化镓技术及应用分会 会议
现场
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）受大会组委会委托承办了半导体材料分会。深圳第三代半导体研究院
、北京国联万众半导体科技有限公司作为协办单位共同组织了此次分会。分论坛的主席是中国工程院屠海令院士、第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长、国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长吴玲。分论坛秘书长由第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山担任。半导体材料分会分碳化硅技术及应用、氮化镓技术与应用两个分部。众多知名专家学者介绍了第三代半导体技术与产业的新进展，就第三代半导体发展的新动力共同进行了讨论。
沈波 北京大学理学部副主任、北京大学宽禁带半导体研究中心主任，
教授
闫春辉 深圳第三代半导体研究院首席科学家
12月21日下午召开了氮化镓技术与应用分会，北京大学理学部副主任、北京大学宽禁带半导体研究中心主任沈波和深圳第三代半导体研究院首席科学家闫春辉共同主持了会议。
郑有炓 中国科学院院士、南京大学教授
中国科学院院士、南京大学教授郑有炓做了题为“GaN 技术现状及其发展趋势”的报告。他指出GaN是继第一代半导体（Si,Ge），第二代半导体(GaAs、InP)之后于上个世纪九十年代后期发展起来的第三代新型半导体材料。作为第三代半导体材料，GaN凭借宽广能隙，全体系、全组分直接能隙，强压电、铁电性的强极性等材料特性，在固态照明技术、固态紫外技术，电力电子技术，微波射频技术等方面具有广泛的应用。
马晓华 西安电子科技大学教授
西安电子科技大学马晓华教授做了“宽禁带半导体电子材料和器件研究进展与展望”的报告。报告指出
常规
A
lGaN/GaN
毫米波器件在高输出功率方面有较显著的优势。马教授团队通过工艺提升（低损耗刻蚀、原位氧化技术、图形化欧姆接触）与结构改进（半浮空栅结构、
Fin沟道器件结构），有效提高了G
aN
毫米波器件的效率。
徐科 中国科学院苏州纳米所研究员
中国科学院苏州纳米所徐科研究员作了“氮化镓晶体生长与应用”报告。徐老师团队
研究了
Ga
N
单晶的生长技术，具体方法是氨热生长方法和助熔剂生长方法。研究了
H
VPE
方法直接在蓝宝石衬底上生长纳米结构。通过对生长界面调控和应力调控，对极低位错
G
a
N
单晶材料生长进行了初步探索。最后对同质外延生长
Ga
N
表面倾斜角进行了研究。
陈敬 香港科技大学教授
香港科技大学陈敬教授做了“硅基氮化镓横向功率电子技术的近期发展”报告。报告就两个方面阐述硅基横向氮化镓功率器件的可靠性及稳定性研究：1） 通过功率集成大幅度改善栅极可靠性； 2）进一步研究除动态导通电阻（Dynamic Ron）之外的其他动态特性对于器件工作条件的影响。最后，本报告还将介绍氮化镓的绝缘栅常开型场效应管 (E-mode MISFET)的近期发展。
介万奇 西北工业大学教授
西北工业大学介万奇教授做了“新型半导体辐射探测材料制备技术与应用探索”的报告。报告从以下几个方面对该材料的制造技术和工程化应用进行探讨：(1) 碲锌镉辐射探测材料的单晶生长技术的发展；(2) 碲锌镉探测器单元与成像器件的设计与制造；(3) 碲锌镉探测器在核安全监控领域的应用；(4) 碲锌镉多能谱成像模块在核医学领域的应用前景分析；(5) 碲锌镉多能谱成像模块在安检和工业在线检测领域的应用用前景分析。
肖志国 路明科技集团董事长兼首席科学家，教授级高工
路明科技集团董事长兼首席科学家，教授级高工肖志国做了“全光谱LED和激光VCSEL研究进展及产业趋势”的报告，报告从半导体光电子器件角度出发，针对全光谱LED和VCSEL的研究进展和应用状况等方面，分别阐述探讨了全光谱LED和VCSEL的产业发展趋势。
张乃千 苏州能讯高能半导体有限公司董事长
苏州能讯高能半导体有限公司董事长张乃千做了“氮化镓功率电子器件技术与应用”报告。
报告介绍了GaN功率电子器件在开关损耗和开关速度上的优势，以及GaN器件的大规模商用面临的一系列挑战。报告从材料、器件设计、封装与测试技术等多个维度对技术挑战进行了介绍并提出了相应的关键技术。最后，通过对近期一系列技术进展，展示了GaN器件在多种应用电路中的优势，为规模化商用奠定基础。
郭世平 中微半导体设备(上海)有限公司副总裁 & MOCVD产品事业部总经理
中微半导体设备(上海)有限公司副总裁 & MOCVD产品事业部总经理郭世平做了“GaN/AlN 外延技术与应用的研究现状与进展”报告。报告
介绍了
M
BE
与
HVPE
方法外延生长
G
aN
的工艺技术与应用。重点介绍了
M
OCVD
在
GaN
、
AlN
外延结构生长的应用，主要包括以下几个方面：在图形化蓝宝石衬底上生长
G
aN,
在
P
VD AlN
缓冲层上生长
G
aN
，大规模生长蓝光与绿光
L
