Q:为何预测 HBM 明年不会出现过剩情况？

A:预测HBM在明年不会出现过剩现象，其依据主要源于以下几个关键因素：

较低的良率水平：

HBM生产过程中，良率是决定产出效率和产能利用率的关键指标。然而，行业内HBM的平均良率目前仅为70%，远未达到90%以上的理想状态。这意味着每生产100个HBM单元，就有30个因质量问题而无法使用。这种低良率限制了实际可用产能，使得即便在产能规划上看似充足，实际上市场供应依然受限。

较长的制造周期：

HBM的制造过程复杂且耗时，通常需要4个月才能完成前端和后端的所有生产工艺。然而，这样的时间表在实际操作中往往显得较为紧张，5个月甚至更长的时间才更为合理。较长的生产周期意味着即便有新增产能规划，其转化为实际市场供应也需要一定时间，难以迅速响应短期内激增的需求。

HBM3e良率要求与成本考量：

对于更先进的HBM3e产品，其良率门槛被设定在65%以上，以保证其高性能与可靠性。为了获取更优质的HBM产品，制造商可能需要舍弃相当比例（可能超过30%）的DRAM晶圆，以牺牲部分常规DRAM产能为代价来确保HBM的高品质产出。此外，HBM内部设计包含冗余机制，如连接失败时可切换至备用路径，这也增加了良品筛选的复杂性，进一步影响整体良率。

Q:HBM与普通DRAM的利润率对比及其意义何在？

A:目前，HBM的营业利润率（OP Margin）高达50%以上，远超普通DRAM的20%。对于一般商品而言，50%的利润率水平实属罕见，反映出HBM在市场上的独特地位与稀缺性。这种高利润率不仅体现了HBM技术的先进性与市场需求的强烈，还暗示了短期内其价格下降的空间相对有限。

Q:为何认为HBM的高利润率可能难以快速下降？

A:预计HBM的高利润率在短期内难以大幅降低，原因包括：

优质产能已被锁定：

至2024年，市场上大部分优质HBM产能已被提前预订或锁定，这意味着即便市场需求有所波动，短期内供应端调整空间有限，价格受到支撑。

良率问题持续存在：

由于HBM生产良率普遍较低，短期内技术突破大幅提升良率的可能性较小，这将继续限制产能的有效释放，为维持高利润率提供支撑。

技术迭代速度快：

HBM技术正处于快速迭代阶段，新产品的推出往往伴随着更高的性能要求和更复杂的制造工艺，这将进一步推高生产成本，限制利润率的下降空间。

综上所述， HBM在明年的市场供需状况预计不会出现过剩现象，这主要由于其较低的良率、较长的制造周期以及对高品质DRAM晶圆的高消耗率。同时，HBM的高利润率反映了其市场地位与技术特性，考虑到优质产能已被提前锁定、良率问题短期难解以及技术迭代的快速步伐，这些因素将共同限制HBM利润率在短期内的大幅下降。因此，HBM在明年继续保持紧俏态势与高利润率的可能性较大