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今天分享的是：人工智能专题：HBM算力卡核心组件，国内产业链有望受益
报告共计：26页
本报告主要探讨了HBM（高带宽存储）作为算力GPU核心硬件的发展情况。
大模型催生对高性能存储的需求，HBM作为高价值产品主要提高数据处理速度。SK Hynix开发的HBM3是第四代HBM技术，速度比上一代HBM2E提高约78%，已为英伟达供应并开发出HBM3E。预计2024年HBM3和HBM3E将成为市场主流，市场规模达25亿美元，到2029年高带宽内存市场规模有望达到79.5亿美元。
HBM是新一代DRAM技术，对比GDDR5有优势，通过硅通孔技术垂直堆叠DRAM，可显著提升数据处理速度。其发展历经四代，性能不断提升，芯片I/O速度和带宽大幅增加，HBM4标准即将定稿，堆栈通道数或将翻倍。SK Hynix和美光在HBM3E领域竞争，各自产品有高性能特点。硅通孔技术提升存储系统性能和容量，SK Hynix还通过机器学习和PVT感知优化HBM。
全球HBM市场规模增速快，2023年约为20.4亿美元，2028年或达63.2亿美元。市场呈SK Hynix、三星、美光三足鼎立态势，中国市场增长迅猛。
报告建议关注国内HBM产业链相关厂商，如聚辰股份拥有完整SPD产品组合；澜起科技是DDR5内存接口芯片全球三家供应商之一；联瑞新材供应HBM封装材料上游材料；赛腾股份升级晶圆边缘检测系统；华海诚科在环氧塑封料行业排名前列；壹石通高端芯片封装产品有望批量出货。总之，HBM在算力需求增长下有望推动存储产业发展，国内产业链厂商有望受益。
以下为报告节选内容
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