图
1
基于
FBDOPV-CNTVT
的超低阈值电压的
n-
型有机电化学晶体管
近期,
华南理工大学
前沿软物质学院郭子豪副研究员团队
通过双吸电子策略合成了具有超低最低未占有分子轨道
(
LUMO
)能级的共轭聚合物
FBDOPV-CNTVT
。以
FBDOPV-CNTVT
为活性层的有机电化学晶体管(
OECTs
)器件刷新了增强型
n-
型
OECTs
器件阈值电压的新记录(
7.5 mV,
图
1-
图
2
)。超低阈值电压对于降低
OECTs
器件的功耗和探测低电压的生物
-
电子信号至关重要。该工作以
“
Ultra-Low Threshold Voltage in N-Type Organic Electrochemical Transistors Enabled by Organic Mixed Ionic-Electronic Conductors with Dual Electron-Withdrawing Substitutions
”
为题发表在
《
Adv. Funct. Mater.
》
上(
Adv. Funct. Mater.
Doi:10.1002/adfm.202412181
)。
图
2
对比基于
FBDOPV-CNTVT
和文献中报道的一些结构的
n-
型
OECTs
器件的性能
图
3
基于
BDOPV
型共轭聚合物的
OECTs
器件的测试表征
BDOPV
型共轭聚合物具有低的
LUMO
能级,已经被应用于高性能
n-
型有机场效应晶体管(
OFETs
)。然而关于
BDOPV
骨架的
n-
型
OECTs
器件研究较少。阈值电压代表晶体管器件的开启电压,对于共轭聚合物,主要受
LUMO
能级的影响,
LUMO
能级越低,越有利于电子的注入,从而开启器件。氟原子和氰基的引入已经被证实有利于进一步降低
LUMO
能级,从而获得更低阈值电压的
n-
型
OECTs
器件。基于以上策略,作者通过在电子供体(
TVT
)部分引入氰基,在电子受体(
BDOPV
)部分引入氟原子,实现了获得具有超低阈值电压的
n-
型
OECTs
器件的目标(图
3
)。此外,
FBDOPV-CNTVT
的
OECTs
器件的品质因数
μ
C
*
值达到了
6.13 F cm
-1
V
-1
s
-1
, 2000 s
的操作稳定性达到了
85%
。
文章第一作者是华南理工大学博士研究生
丁日庆
和南方科技大学硕士研究生
张夏格
。华南理工大学的
郭子豪
副研究员、南方科技大学的
冯奎
副教授和韩国高丽大学的
Han Young Woo
教授为共同通讯作者。该研究也得到南方科技大学郭旭岗教授的支持和指导。该研究获得了国家自然科学基金、广州科技发展计划项目、中央高校业务费和发光材料与器件国家重点实验室(华南理工大学)的共同资助。
原文链接:
https://doi.org/10.1002/adfm.202412181
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