松下600V GaN高迁移率晶体管：PGA26E19BA

氮化镓（GaN）是下一代半导体化合物之一，可在应用于各种电源装置的晶体管时节省空间和能源。栅极驱动器需驱动晶体管；但是，适用于传统硅晶体管的通用栅极驱动器无法挖掘氮化镓晶体管的潜力，因为氮化镓晶体管的栅极结构不同于硅晶体管。与需要较大芯片面积以降低导通电阻的常规硅晶体管不同，尺寸小巧（即低寄生电容）的氮化镓器件可轻松实现高速开关和微型化。

相比基于硅的常规器件，松下（Panasonic）PGA26E19BA SMD GaN功率晶体管具有更高的功率转换效率和电子系统密度。PGA26E19BA具有极其高速的开关特性以及零恢复损耗。

松下600V GaN HEMT：PGA26E19BA封装信息

PGA26E19BA特性：

- 在6英寸硅基板上生长GaN晶体

- 600V增强模式电源开关通过采用专有GIT技术的单个GaN器件实现常关型动作：栅极注入晶体管技术

- 极其高速的开关特性

- 当前无崩塌600V及更高

- 零恢复损耗特性

松下600V GaN HEMT芯片

PGA26E19BA应用：

- 交流-直流（PFC，隔离式直流-直流）电源

- 电池充电系统

- 光伏电源转换器、电机逆变器

本报告对松下600V GaN高迁移率晶体管：PGA26E19BA进行完整的拆解与逆向分析，并提供了外延、HEMT器件以及封装的生产成本估计。另外，本报告还对比了GaN Systems的GS66504B以及Transphorm的GaN HEMT器件，突出显示了他们在设计和制造上的巨大不同，以及其在器件尺寸和生产成本上的影响。