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跑赢了不可一世的房价涨幅，却迎来了8年来最大跌幅。
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涨幅能跑赢房价的产品不算多，存储芯片算是一个。但近日传来数据显示，存储芯片结束了连续多年上涨势头，掉头向下。
据DRAMeXchange（全球半导体观察）公布的最新的存储芯片行业调研报告显示，DRAM跌价幅度超过预期，开始降价甩卖。
DRAM价格从去年四季度就开始下跌。今年2月份，更是罕见地出现价格大幅下滑。目前季跌幅从原先预估的25%调整至逼近30%，是继2011年以来单季最大跌幅。
截止到本文发稿，仍在下跌。
来源：全球半导体观察
何为DRAM，就是存储芯片，它是芯片种类的一种。
存储芯片又分为随机存储芯片和只读存储芯片，DRAM就是随机存储芯片，是电子产品中的主存贮器。
目前全球DRAM生产市场，几乎被韩国、美国垄断与瓜分，韩国的三星、SK海力士与美国的美光所生产的DRAM包揽了全球90%的市场份额。截至2018年第四季度，三星市场占有率41.3%，SK海力士市场占有率31.2%，美光占有率23.5%。
中国是全球芯片最大的消费市场。
被韩美垄断的存储芯片市场，让中国很压抑。美韩通过价格操控，让中国芯片进口花费逐年增加。数据显示，2018年中国进口芯片金额为2.06万亿元。
花钱是小，威胁是大。
正因此，中国近年来正全力追击芯片生产工艺，尤其是在去年中兴事件后。重拳打醒了中国有情怀的企业家、实业家们，他们纷纷开始加大研发力度。目前，我们在存储芯片领域收获颇丰，量产指日可待。
有人认为，就因为中国存储芯片量产之日迫近，才引发了DRAM八年牛市终结。
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目的，就是围堵中国，防止中国存储芯片厂商崛起。
通过价格操控，或者说价格战，让中国欲开始量产存储芯片的厂商们扛不住，不战自退。
去年年初，紫光国际发布消息称，已经实现最新版DRAM量产，但规模较小。年中时，有消息称，兆易创新、合肥长鑫的国产DRAM将使用19nm工艺，预计2018下半年试产，项目建成之后产能可达全球DRAM产能的8%。
一旦量产，可以满足国内部分需求，占据一定的市场份额。
更重要的是，一旦中国实现存储芯片由0到1，那1到N的过程用不了多长时间。这对中国国内是好事，但对存储芯片三巨头来说，这是在动他们的蛋糕。于是三巨头开始以价格逼迫中国存储芯片厂商就范。
猜测有一定的道理，毕竟从长远来看，的确损害了他们的利益。此外，他们也有垄断前科。
环球时报披露，2018年，中国反垄断机构就曾前往三星电子、SK海力士、美国美光在中国的分支机构办公室展开调查，美国也存在一桩消费者诉前述三大巨头合谋操纵DRAM价格的诉讼。
这种操作对于我们来说，并不陌生。美国就曾多次使用不正当手段打压中国科技企业，阻挡进入美国市场，以遏制中国科技发展。
当然，也有人说DRAM价格大跌是市场自主调整行为。
由于三巨头内部争夺市场，扩大自己的市场份额，三星方面正兴建平泽二厂，SK海力士欲花费1000亿美元建4座晶圆厂，美光则在中国台湾兴建封测厂，并考虑建全新的300毫米工厂。
爆棚的供应量导致市场供过于求，DRAM在去年四季度价格转向。
无论是市场自主调节，还是三巨头通过价格战逼迫中国存储芯片厂商就范，这些都不重要，重要的是，中国该有自己生产的芯片了。
面对复杂的世界形势，拥有我们自主生产的芯片，已迫在眉睫。
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二战结束后的1947年，美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管，开创了硅文明时代。据公开资料显示，一年后的中国，也拉出了单晶硅。
从这一点来看，硅文明几乎是同时进入东西方世界的。1965年中国生产出了第一块小规模集成电路。此后由于你我皆知的原因，中国的集成电路技术停滞不前，被西方世界拉开了差距。
公开资料显示：
中国台湾地区的“工研院”1975年向美国购买3英寸晶圆生产线，1977年即建成投产。1978年，韩国电子技术研究所（KIET）从美国购买3英寸晶圆生产线，次年投产。1980年，台湾地区的联华电子建立4英寸晶圆厂。
而中国大陆呢，直至1988年オ由上海无线电十四厂与美国贝尔电话合资成立贝岭微电子公司，建设中国大陆第一条4英寸晶圆生产线。
4英寸与3英寸，技术上明显差了一代，可见欧美联手封锁压制下中国大陆的力度。
