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GaN器件市场2023年年复合增长率将达到4.6%,达到224.7亿美元

第三代半导体产业联盟  · 公众号  ·  · 2017-11-21 16:48

正文

氮化镓(GaN)器件市场预计将从2016年的165亿美元复合年增长率(CAGR)升至4.6%,至2023年的224.7亿美元,根据“氮化镓半导体器件市场 - 全球预测至2023年”来自MarketsandMarkets。

推动增长的主要因素包括:消费电子和汽车用GaN的庞大市场地位,GaN材料的宽禁带性能,鼓励创新应用,GaN在射频功率电子器件方面的成功,以及在军事,国防和军事领域越来越多地采用氮化镓射频器件航空航天应用。然而,在高压功率半导体器件中碳化硅(SiC)的偏好预计将成为整个GaN器件市场的潜在限制。预计这将在未来几年限制增长。

由于其在消费和企业,工业和汽车应用中的广泛应用,2016年GaN器件市场的最大份额是光电器件。GaN发光二极管广泛用于笔记本电脑和笔记本电脑显示器,移动显示器,投影仪,电视机和显示器,标牌和大型显示器等。使用氮化镓基LED作为室内和室外照明设备,例如前照灯和信号灯,汽车室内照明,雾灯,停车灯和汽车行业的顶灯也促成了更大的市场规模。

基于GaN功率器件的市场预计在2017-2023年的预测期内将因为与硅基功率器件相比具有最小功率损耗,高速开关小型化和高击穿电压等优越特性而显着增长。此外,配电系统,工业系统,重型电力系统,涡轮机,重型机械,先进工业控制系统,机电计算/计算机系统等大型可寻址市场(TAM),以及一些新的清洁技术高压直流(HVDC),智能电网电力系统,风力发电机组,风力发电系统,太阳能发电系统,电动汽车和混合动力电动汽车(EV / HEV)等电力应用是主要的原因更快的增长。

由于消费和企业,工业和汽车应用等各个行业对LED的需求不断增长,预计亚太地区(APAC)预计将成为预测期内GaN器件市场最大的地区。此外,电动汽车充电和电动汽车生产市场,以及增加可再生能源发电,正在推动亚太地区的市场。


出自:电力电子网







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