快速响应电致发光器件对于涉及高速操作的光电应用至关重要。量子点发光二极管是一种通过溶液处理的电致发光器件，具有高效率和稳定性，因此在这类应用中具有潜在用途。然而，它们的响应速度通常受到有机空穴传输层中缓慢的电荷注入和传输的限制。
研究表明，量子点发光二极管的瞬态电致发光响应受到其在脉冲操作中激发历史的影响。随着脉冲间隔的减小，响应速度加快，并出现另一个快速响应的电致发光通道，这表明存在激发记忆效应。这些动态特性归因于有机空穴传输层中的深能级空穴陷阱，这些陷阱具有快速电荷捕获和缓慢电荷释放的特性。
浙江大学金一政和剑桥大学邓云洲
等人等人开发了一种低电容微型量子点发光二极管，利用激发记忆诱导的快速响应通道。该器件的−3 dB带宽高达19 MHz，电致发光调制频率为100 MHz，数据传输速率高达120 Mbps，且能耗低于皮焦耳。
Lu, X., Deng, Y., He, S. et al. Accelerated response speed of quantum-dot light-emitting diodes by hole-trap-induced excitation memory. Nat Electron (2025).
https://doi.org/10.1038/s41928-025-01350-0
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