杨士宁：长江存储2020年赶上世界前端

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长江存储 CEO 杨士宁点出，为何长江决定跨入存储领域？他表示，半导体组件可分为四大块领域：首要运算 CPU 、存储、通讯及第四部分涵盖了物联网 (IoT) 感测器、模拟 IC 等较为分散的领域。然 CPU 领域行业生态较为复杂、通讯芯片领域也已经形成 fabless+foundry 稳固态势，大举跨入存储这一领域仍是大有可为的。杨士宁引用《 DIGITIMES 》 2017 年 1 月中旬一篇分析，精准点出了大陆发展存储产业的战略思考。分析指出，大陆当下大力发展存储产业是正确的。

杨士宁分析，从半导体存储器技术分类来看，目前 DRAM 和 NAND 闪存储存的总产值占全球存储器产业的 95% 。未来 10 年， IBS 数据预计， NAND 闪存储存的需求量还将持续增长 10 倍，主要应用在云端运算、智能终端机等领域。尤其大陆市场更有庞大的内在需求。

他说，有人说长江存储跨入此一市场对当前存储半导体是 “ 打破平衡 ” ，然他却认为正好相反，不论 DRAM 或是 NAND 市场都处于一个并 “ 不平衡 ” 的状态，不平衡来自于都集中在一家独大的公司，集中度越来越高。长江存储作为新的参考者，正好是要来 “ 平衡 ” 此一状况。

杨士宁指出，存储器是个大好的机会。大陆在先进 IC 的制造领域，大陆市占率为 5~10% ，同时在人才汇聚、国际合作的机遇和产业生态支持方面，大陆正面临一个最好的时期。

在正确的时间点，投入必要的领域就能获得客观条件的支持。大陆在全球存储器市场中，拥有 55% 的市场需求，有强大内需支撑。而从资金方面，国家大基金从资金和政策给予及大支持，就要看第三：人才的纵深。三大纵深：市场、资金、人才，长江存储三大发展到位。

DRAM 产能　能购并就购并

杨士宁透露，有许多美国企业找上门来，希望与长存储合作。长江存储将通过自主研发与国际合作两者相结合，抓住每一个购并投资的机遇。有好的机会 “ 能购并就购并。 ”

以 DRAM 来中，两个增加的难度存在，一方面是竞争对手手里仍有大量折旧完的产能存在， 2D NAND 也是如此。另一方面，现阶段 DRAM 市场的增长需求变得相对缓慢，很难实现经济效益。所以不会再去拚产能，因为在怎么拚也拚不过折旧尽的厂商，发展 DRAM 更会选择机遇寻找购并进一步实现 DRAM 产能的扩充。

他也提到，非常可惜台湾存储产业几十年持续投资了 3 、 4 千亿美元却没有自主性，最后付诸东流。在大陆大力发展积体电路时期，如何做好自主可控，持续发展非常重要。

全力发展 3D NAND 技术扩产

他指出，至于 NAND 方面寻找合作研发愿意联合研发的伙伴。 3D NAND 不论从物理特性或其架构上都具备成本优势条件，未来 10 年内，现今所有 NAND 厂都将转移到 3D NAND 建新的厂，所以论每家都面临同样的折旧压力。长江存储并不担心，只要全力解决技术问题即可。他强调，长江存储的目标是 “ 在折旧期内实现盈利。 ”