近年来，化学机械抛光
CMP
（
Chemical mechanical polishing
）技术发展迅猛，应用广泛
，从半导体工业中的层间介质（
ILD
）、导体、镶嵌金属、多晶硅、硅氧化物沟道等的平面化，拓展到薄膜存贮磁盘、微电子机械系统（
MFMS
）、陶瓷、磁头、机械磨具、精密阀门、光学玻璃、金属材料等表面加工领域
。
化学机械抛光是将化学腐蚀与磨粒的机械磨削作用协同起来，
以
获得超精密表面
。
化学机械抛光技术被誉为是当今时代能实现集成电路（
IC
）制造中晶圆表面全局平坦化的唯一技术，化学机械抛光的效果直接影响到芯片最终的质量和成品率
。
化学机械抛光中，抛光液是影响化学机械抛光质量和抛光效率的关键因素，一般通过测定材料去除率（
MRR
）和表面粗糙度（
Ra
）的方法来评价抛光液性能优良程度。抛光液主要由磨粒、表面活性剂、
pH
值调节剂、氧化剂、钝化剂、缓蚀剂等组成，不同组分在
CMP
抛光液抛光过程中发挥不同的作用。
在抛光过程中，抛光液中的化学添加剂和材料表面发生反应，会在被抛材料表面形成一层很薄、结合力较弱的“软化层”，之后磨粒在压力和摩擦作用下对材料表面进行细微无损地去除。其中，磨粒在抛光过程中与工件和磨具直接接触，在工件表面起到微量去除的作用，
磨粒的选择是否正确将直接关系到材料的去除效果和磨具的使用寿命。
CMP
在集成电路制造的前道工序（
FEOL
）、中道工序（
MOL
）、后道工序（
BEOL
）需要对多种不同材料（如
SiO
2
、
Cu
、
Co
、
W
、低
K
介质等）进行平坦化，
为了实现高效无损的抛光，开发了以
SiO
2
、
CeO
2
、金刚石、
Al
2
O
3
等作磨料的抛光液，这些含不同研磨颗粒的抛光液在不同材料的去除中起到了重要的作用
。
研磨抛光技术在集成电路芯片的制作中具有重要作用，
针对
高端研磨抛光
相关的技术、材料、
设备
、市场等方面的问题，中国粉体网将于
202
5
年
4
月
16
日
在
河南郑州
举办
2025
第二届高端研磨抛光材料技术大会
。届时，
河北工业大学副教授何彦刚
将作题为
《
纳米磨料在集成电路化学机械平坦化过程中的应用
》
