在半导体行业，EUV 光刻机一直被誉为皇冠上的明珠，长期以来被 ASML 牢牢把控，其技术封锁严重制约着全球众多国家半导体产业向先进制程迈进。但如今，一则振奋人心的消息正席卷全球科技圈：
华为带领工程师团队，成功突破 EUV 光刻机技术
。值得一提的是，华为走的是与 ASML 截然不同的技术路线，且各项参数表现更为出色。
ASML 的 EUV 光刻机采用激光等离子体（LPP）技术，通过高能激光轰击液态锡，产生高温等离子体，进而发出 13.5nm 波长的 EUV 光。这一技术虽然成熟、高效且稳定，但系统极为复杂，造价高得惊人。单台设备成本超过 1.5 亿美元，配套设施与维护成本同样令人咋舌。不仅如此，其对零部件精度与工艺控制近乎苛刻，供应链遍布全球 30 多个国家，任何一个环节出现问题，都会对设备性能与交付产生影响。
华为主导研发的 EUV 光刻机另辟蹊径，采用激光诱导放电等离子体（LDP）技术。哈尔滨工业大学团队在这一技术上取得了重大理论突破，他们研发的 “放电等离子体极紫外光刻光源” 能量转换效率高达 4.5%，是 ASML 现有 LPP 技术的 2.25 倍。该技术通过电极间放电将锡蒸发并电离，高压电流促使电子与锡离子碰撞生成等离子体，从而产生 13.5nm 波长的 EUV 辐射。与 LPP 技术相比，LDP 技术优势明显。它省去了高能激光器和复杂的 FPGA 实时控制系统，使得设备架构大幅简化，体积更小，能耗降低约 30%，生产成本也随之显著下降。而且，LDP 生成的等离子体稳定性更高，碎屑污染更少，有效延长了反射镜等核心部件的使用寿命。
从关键参数对比来看，ASML 最新一代标准型 EUV 光刻机 NXE:3800E，晶圆处理速度为每小时 195 片晶圆，未来有望提升至 220 片，晶圆对准精度小于 1.1nm。而华为基于 LDP 技术的 EUV 光刻机在实验测试阶段，就展现出每小时 250 片晶圆的处理速度，晶圆对准精度更是达到了 0.8nm，在生产效率与精度控制方面实现了超越。
在研发历程中，华为联合国内众多科研机构与企业协同攻关。其中，新凯来在这场技术突破中发挥了重要作用。新凯来（SiCarrier）是一家专注于半导体装备及零部件研发制造的深圳国有企业，隶属于深圳市重大产业投资集团，成立于 2021 年，注册资本 15 亿元。其前身为华为旗下半导体设备子公司，核心团队拥有 20 年以上的电子设备研发经验，与国内半导体产业链上下游联系紧密。
新凯来与华为在技术研发上密切合作。双方联合研发了自对准四重成像技术（SAQP），该技术极大地降低了芯片制造过程中对高端光刻设备的依赖。在 EUV 光刻机的研发过程中，新凯来凭借自身在半导体装备制造领域的深厚积累，为华为提供了关键的硬件支持与工艺优化方案。其研发制造的刻蚀设备、薄膜沉积设备等半导体制造核心装备，与华为的 EUV 光刻机技术路线高度适配，为整套光刻系统的性能提升奠定了基础。
例如，新凯来将其刻蚀设备命名为 “武夷山” 系列，包括武夷山 1 号、武夷山 3 号和武夷山 5 号，在刻蚀精度与效率方面表现优异，能够精准地对晶圆进行微观层面的处理，满足 EUV 光刻的需求，确保芯片图案的精确转移。其薄膜设备涵盖了 CVD（化学气相沉积）、PVD（物理气相沉积）和 ALD（原子层沉积）三大主要薄膜沉积设备，如 CVD 的长白山 1 号和长白山 3 号、PVD 的普陀山 1 号等，这些设备能够在晶圆表面均匀地沉积高质量的薄膜，为芯片制造的后续工序提供良好的基础。
不仅如此，新凯来还在光学量测、功率检测等领域推出了一系列产品。光学量测产品如天门山 DBO（衍射套刻量测）、天门山 IBO（图形套刻量测），能够精确测量光刻过程中的套刻精度，为 EUV 光刻机的高精度光刻提供反馈与调整依据；功率检测产品如 RATE - CP（晶圆电性能检测）等，可对制造完成的晶圆进行电性能检测，保障芯片的质量。
在合作模式上，华为凭借自身在通信、人工智能等领域的技术优势，为新凯来提供前沿的技术理念与算法支持，优化新凯来设备的控制与运行逻辑。新凯来则发挥在半导体装备制造工艺上的专长，将华为的技术设想转化为实际可生产、可应用的设备与零部件。双方通过紧密的产学研合作，加速了技术从实验室到产业化的进程。
除了新凯来，中科院突破的 “多重曝光叠加技术”，能够用 28nm 光刻机 “套娃” 刻出 7nm 芯片，为 EUV 光刻机的制程能力拓展提供了算法层面的保障；华为自身在磁悬浮工作台、人工智能算法优化光刻流程等方面投入大量研发精力，解决了设备运行稳定性与光刻效率提升的难题。经过多年不懈努力，华为最终将 LDP 技术从实验室理论转化为可实际测试的 EUV 光刻机设备。
华为 EUV 光刻机的突破，将对全球半导体产业格局产生深远影响。对于中国半导体产业而言，这将彻底打破长期以来在先进制程芯片制造上的瓶颈。过去，由于无法获得先进的 EUV 光刻机，中芯国际等企业在 7nm 及以下制程工艺上进展缓慢，严重制约了国内高端芯片的自主供应能力。
如今，华为与新凯来等伙伴的协同突破，有望使中国在 2030 年前形成完整的 14nm 以下制程能力，大幅提升芯片自给率，降低对进口芯片的依赖，保障国家信息安全。在全球市场，华为 EUV 光刻机凭借性能与成本优势，将对 ASML 的垄断地位发起强有力挑战。ASML 虽长期占据高端光刻机市场 90% 以上份额，但华为的入局，将促使市场竞争加剧，推动光刻机技术加速迭代升级，同时也将使先进制程芯片的制造成本下降，惠及全球众多芯片设计与制造企业，激发行业创新活力，带动整个半导体产业链的繁荣发展 。
