CMOS传感器可以根据结构分成前照式、背照式、堆叠式。
前照式
（简称FSI）
自上向下是微透镜
（OCL）
、滤光片
（CFA）
、电路层、像素。电路层不仅会遮挡PD、降低有效面积，同时减小了有效光线的入射角度。
背照式
（简称BSI）
制造过程中，在给PD增加电路后，先翻转晶圆，再附加CFA和OCL。自上向下结构变成OCL、CFA、像素、电路层。光线从原本PD的背部进入，故称之为“背照式”或“背部入射式”。
和前照式CMOS相比，背照式CMOS可以：
- 提高有效感光面积，改善高感画质
（特别是对小尺寸传感器）
；
- 扩大有效光线的入射角度，改善传感器边缘画质、避免红移；
- 有助于扩大电路规模，提升传输速度；
- 是实现堆叠式的先决条件。
堆叠式
（Stacked）
堆叠式
（也写作“堆栈式”、“积层式”）
是背照式结构的进一步发展。它让传感器的像素层和电路层可以分开制造。这样可以在电路层使用更先进的制造工艺，在兼顾成本的前提下，提高速度、降低功耗；
还可以实现像素+缓存+电路、像素+像素+电路的三层堆叠，进一步提升传感器性能
（ 后者就是一些手机上使用的“双层晶体管像素”传感器）
。
* 再次强调：并非所有堆叠式CMOS都有DRAM，手机上的大部分堆叠式CMOS都是像素+电路的两层堆叠。
佳能EOS R3
（应该还有EOS C400
）
采用佳能自研的背照堆叠式CMOS，型号为LI1720；
松下G9M2、
GH6、GH7采用4/3画幅约25MP背照式CMOS，
应该不是索尼生产的。
