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1.高云半导体推出FPGA离线烧录器及数据流文件加密工具
2.村田推出0805尺寸超高阻抗的汽车电源用铁氧体磁珠
3.
Littelfuse推出超低导通电阻1200V碳化硅MOSFET
株式会社村田制作所将可用于汽车用动力传动・安全用途的0805尺寸 (2.0 x 1.25mm) 电源用片状铁氧体磁珠BLM21SP系列商品化。
该产品实现额定电流6A、业界超高阻抗70ohm，预计具有较高的静噪效果。在易产生噪声的电源线上使用BLM21SP系列，为明确CISPR25等噪声标准作贡献。该产品将于2018年3月开始量产。
随着ST 2110标准的发布，广播行业的发展方向已经明朗，即从SDI转向IP基础设施。但在转型期间，广播工程师和IT专业人员面临着管理复杂的SDI和IP混合环境的挑战。由于能够连接到设施中任何广播信号及新增ST 2110信号发生功能，PRISM提供了完善的测量、网络分析和调试解决方案，可以让客户平滑迁移到未来完全基于IP的基础设施和工作流程中。
近年来，随着混合动力汽车和电动车等各种功能的电动化，搭载的电子设备越来越多。随之产生的传导噪声和辐射噪声也增多，采用静噪对策的必要性增高。
特别是大电流通过的电源线上容易产生噪声问题，更需要静噪对策，但是设计可用于电源线的高额定电流且高阻抗的静噪对策元件十分困难。
村田通过导入新型内部电极形成技术，优化构造设计，提高了取得阻抗的效率。村田既有电源用产品BLM21PG系列是6A、22Ω@100MHz，而通过该技术，相同尺寸实现了6A、2倍以上的70Ω@100MHz。此外，在同等阻抗值的状态下比较，额定电流升至1.5倍以上。今后将继续扩充高阻抗的产品阵容和高温对应产品。
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高云高云半导体推出FPGA离线烧录器及数据流文件加密工具半导体推出FPGA离线烧录器及
数据流文件加密工具
2018年3月19日，山东高云半导体科技有限公司今日宣布推出高云 FPGA四路并行离线烧录器，支持高云半导体小蜜蜂家族GW1N(R)系列芯片数据流文件的离线烧录。
离线烧录器是指在脱离PC环境下对GW1N(R)芯片进行数据烧录的设备，具备速度快、数据保密、便携稳定、多路烧录等特点，适用于工厂大批量、快速量产，并方便检修人员外出携带;相比传统的PC终端，离线烧录器优势显著。
其一，离线烧录器可对四个FPGA器件同时进行烧录，也可在单一接口下自动检测设备接入并进行烧录，极大的提高了量产速率;
其二，与PC终端数据需要进行软件操作下载和转换相比，使用离线烧录器仅需一次按键，效率相对提高了近20倍，操作简便且工作稳定，用户可大幅提高工作效率，将更多精力集中在量产环节。
其三，离线烧录器采用AES-128高级加密算法对数据进行加密存储，密钥也要经过数轮加密后保存。其中，AES是国际公认的、普遍使用的、安全的一套加密标准，可以确保数据安全交付第三方工厂。
全球电路保护领域的领先企业Littelfuse, Inc.与从事碳化硅技术开发的德州公司Monolith Semiconductor Inc.近日新推出两款1200V碳化硅(SiC) n通道增强型MOSFET，为其日益扩展的第一代电源半导体器件组合注入新鲜血液。
Littelfuse与Monolith在2015年结成战略合作关系，旨在为工业和汽车市场开发电源半导体。这种新型碳化硅MOSFET即为双方联手打造的最新产品。这些产品在应用电力电子会议（APEC 2018）的Littelfuse展位亮相。
LSIC1MO120E0120和LSIC1MO120E0160碳化硅MOSFET具有超低导通电阻(RDS(ON))，分别仅为120毫欧姆和160毫欧姆。
这些碳化硅MOSFET可在各种电力转换系统中用作电源半导体开关，其在阻断电压、特征导通电阻和结电容方面的性能显著优于其他硅MOSFET。其还兼具高工作电压和超高切换速度，这是具有类似额定电流和封装的硅IGBT等传统功率晶体管方案所无法企及的。
这些新型碳化硅MOSFET的典型应用包括：
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电动汽车
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工业机械
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可再生能源（如太阳能逆变器）
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医疗设备
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开关式电源
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不间断电源（UPS）
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电机驱动器
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高压DC/DC转换器
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感应加热
“这些新型碳化硅MOSFET为电源转换器设计师提供了传统硅基晶体管的先进替代选择。”Littelfuse电源半导体产品营销经理Michael Ketterer表示， “其固有的材料特性和超快速切换能力提供了各种优化设计的机会，包括提高功率密度、提高效率和降低物料成本的可能性。”
供货情况：
LSIC1MO120E0120和LSIC1MO120E0160碳化硅MOSFET采用TO-247-3L封装，提供450只装管式包装。
