专栏名称: 旺材芯片

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罗海辉：高功率容量压接式IGBT关键技术

旺材芯片 · 公众号 · · 2022-01-22 19:57

正文

来源：功率半导体行业联盟

会议PPT来源：清华大学能源互联网创新研究院

专家介绍

罗海辉，博士，中国中车首席技术专家，现任株洲中车时代半导体有限公司常务副总经理兼研发中心主任。长期从事IGBT和碳化硅功率器件技术研发与产业化工作，带领团队构建全电压系列IGBT产品技术平台并为轨道交通、新能源汽车、工业和输配电等领域提供功率半导体器件解决方案。入选“国家重点领域创新团队”，核心参与项目“高压大电流IGBT芯片关键技术及应用”并荣获2019年国家技术发明奖二等奖（排名3/6），获省部级科技奖5项，通过省部级科技成果鉴定4项。申请发明专利100余项，其中46项发明专利已授权。在国际会议、国内外核心期刊发表论文40余篇。

会议PPT来源：清华大学能源互联网创新研究院

嘉宾预告

“2022第三届CIAS中国国际车载电源用功率器件技术及应用峰会”（2022年04月8日-9日·珠海），我们很荣幸地邀请到了上海沃孚半导体有限公司（Wolfspeed Shanghai Limited）电力应用与营销高级经理 魏晨先生（Frank Wei），为我们带来“Wolfspeed 碳化硅器件助力OBC的设计创新”（Wolfspeed SiCMOSFETs Enable Innovations and Advanced Design of OBC）的专题演讲。

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