【前沿】诺基亚研发出柔性石墨烯高频晶体管，千次弯折仍可正常工作！

2月22日消息，由法国国家科学研究院微电子及纳米技术研究所（IEMN-CNRS）、Graphenea和诺基亚的科学家共同组成的团队制备出了具有39GHz高截止频率的柔性石墨烯晶体管。在柔性聚合物基板上制造的该石墨烯器件在经过反复弯曲后仍然保持性能稳定。

该石墨烯场效应晶体管（GFET）的原材料是由CVD法制备的高质量石墨烯薄膜，载流子迁移率达2500cm2 V -1 s -1。该器件采用了聚酰亚胺（Kapton）衬底，在沟道区中具有薄的氧化铝电介质间隔物，具优秀的高频性能以及抗弯曲稳定性。据报道，该石墨烯场效应晶体管（GFET）甚至在经过1000次弯曲循环后仍然可以正常工作。

热稳定性是柔性电子器件面临的一个重要挑战，这是由于通常在柔性器件中使用了导热性较差的聚合物衬底。研究表明，在高电压下，器件发热，性能将不可逆地降低。但是，该石墨烯场效应晶体管（GFET）不仅创造了新的带宽记录，而且在高电压下不会出现普通器件由于衬底热变形导致的性能衰减。显而易见，的柔性GFET器件作为未来可穿戴技术的核心构件具有巨大的潜力。