业界指出,随着LED封装技术改良,近来LED元件朝向微小化尺寸靠拢,应用在小间距显示器市场的高阶规格已可达到近似于Mini LED水准,甚至出现市场重叠的现象,过去Mini LED与Micro LED显示技术的差异通常以晶粒尺寸100 um为分界,但除了尺寸之外,为了符合巨量转移的制程,Micro LED晶粒需要剥除蓝宝石基板,再转移PCB、玻璃等基板材料上,也成为Mini LED与Micro LED的制程差异,因而Mini LED被视为技术难度较低的过度型技术。
工研院电光所所长吴志毅表示,Mini LED技术的过渡期将有多长,目前业界仍没有共识,但关键在于Micro LED巨量转移技术与良率能否符合成本要求,尽管过去有不少业者声称已经完成巨量转移的技术,但耗费时间与生产成本过高,甚至比采用传统单颗LED逐一置放的成本还要高,根本不符合规模量产的经济效益。
吴志毅透露,近期工研院与聚积、錼创等厂商技术合作的Micro LED技术已经突破生产成本的瓶颈,在相同良率下,透过巨量转移技术将可取得优于传统制程的生产效益,一小时内的巨量转移颗数可达到上万颗水准,并预计在第4季进入试量产阶段后,将交由聚积进一步扩大量产,这也意味未来进入量产后,将可符合厂商生产成本的目标,2020年将可望放大出货。