1. 2018年全国工业和信息化工作会议举办
2. 华润微电子重庆揭牌
3. 国内首条6英寸SiC芯片生产线完成技术调试
4. 粤芯12寸晶圆生产线落户
5. 中车时代电气成功研制世界最大容量压接型IGBT
6. 三安高端半导体项目正式开工建设
7. 国产北斗芯片累计销量突破5000万片
8. 明年上半年DRAM吃紧、NAND恐供大于求
9. 四季度全球DRAM销售金额达210亿美元创新高
10 .东芝宣布建设第七座闪存工厂：SSD产能井喷
11. 三星因内存涨价被发改委约谈
12. 5天1.86亿港元，紫光又向中芯国际出手
13. 中环领先集成电路大直径硅片项目开工
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1. 2018年全国工业和信息化工作会议举办
12月25日，全国工业和信息化工作会议在京召开。会议的主要任务是，坚持以习近平新时代中国特色社会主义思想为指导，认真贯彻落实党的十九大精神和中央经济工作会议部署，总结2017年和近五年工作，分析把握新形势新要求，谋划未来一个时期重点任务，部署2018年重点工作，动员全系统干部职工不忘初心、牢记使命，紧密团结在以习近平同志为核心的党中央周围，以昂扬的精神状态，奋力谱写制造强国和网络强国建设新篇章。在25日上午的大会上，工业和信息化部党组书记、部长苗圩作了题为“全面贯彻党的十九大精神奋力谱写制造强国和网络强国建设新篇章”的讲话。会议由部党组副书记、副部长、国家国防科技工业局局长唐登杰主持。部党组成员、中央纪委驻部纪检组组长郭开朗，部党组成员、副部长陈肇雄、刘利华、辛国斌、罗文，部党组成员、国家烟草专卖局局长凌成兴，部党组成员、总工程师张峰，部总经济师王新哲出席会议。还邀请了工业和信息化部老领导李毅中、王旭东、朱高峰参加大会。
本次会期一天半。落实中央八项规定和纠正“四风”精神，为提高会议质量和效率，避免会议精神层层传达，25日上午的大会采取北京主会场加各地电视电话会议的方式，向全国各省(区、市)及有条件的地(州、市)同步视频直播，并将讲话印发省(区、市)分会场参会人员。26日下午进行分组讨论。27日上午，中国社会科学院工业经济研究所所长黄群慧将就制造强国建设作专题辅导报告，宁波市人民政府、河南省工业和信息化委员会、广东省经济和信息化委员会、湖南省通信管理局等4家单位将进行大会交流发言。
国家国防科技工业局、国家烟草专卖局党组成员及综合管理部门负责人，各省(区、市)工业和信息化主管部门、通信管理局及部属高校、部直属单位、部机关各司局主要负责人，中央有关单位和行业协会负责人在主会场参加会议。（来源：中国电子报）
2. 华润微电子重庆揭牌
2017年12月28日，华润微电子（重庆）有限公司揭牌暨政府合作协议签署活动在重庆举行。
华润微电子（重庆）有限公司的前身是中航（重庆）微电子有限公司，2017年11 月6日经国资委批复，把中航集团在中航（重庆）微电子有限公司股权划转给华润集团。
华润微电子有限公司常务副董事长陈南翔表示，华润微电子有限公司整合中航（重庆）微电子有限公司在中国半导体发展史上创造了三项第一，是央企间微电子产业的第一次整合，是国内微电子产业关键要素（晶圆生产线）的第一次整合，是国内功率半导体器件细分产品的第一次整合。整合后的华润微电子有限公司8寸晶圆制造产能将超过10万片，6寸产能20万片，将强化功率半导体业务，打造中国最强IDM。（来源：芯华社）
3. 明年上半年DRAM吃紧、NAND恐供大于求
内存明年市况恐将不同调，DRAM市场仍将持续吃紧，NAND Flash市场则将于明年上半年转为供过于求。
DRAM 与 NAND Flash 市场今年都处于供不应求状态，产品价格同步高涨，只是业界普遍预期，明年 DRAM 与 NAND Flash 市况恐将不同调。
内存模块厂创见指出，DRAM 市场供货持续吃紧，价格未见松动迹象。 NAND Flash 方面，随着 3D NAND Flash 技术日益成熟，生产良率改善，可望填补供货缺口。另一内存模块厂威刚表示，短期内全球 DRAM 大厂仍理性看待产能议题，并未有大幅破坏产业生态的计划，持续正面看待 DRAM 市况。
NAND Flash 方面，威刚指出，随着供货商 3D NANDFlash 良率逐步改善，预期明年第 1 季整体供需将出现转变。美光预期，明年 DRAM 位供给将增加约 20%，市场环境仍将持续健康；NAND Flash 位供给则将增加近 50%，供给增加幅度将远高于 DRAM。（来源：集微网）
4. 国内首条6英寸SiC芯片生产线完成技术调试
近日，中车时代电气SiC产业化基地离子注入工艺设备技术调试完成，标志着SiC芯片生产线全线设备、工艺调试圆满完成，具备SiC产品的生产条件，下个月产线将正式启动试流片。
该生产线是国内首条6英寸SiC芯片生产线，总建设投资3.5亿元人民币，获得了国家“02”专项、国家发改委新材料专项等国家重点项目支持。
SiC单晶材料作为新型第三代半导体材料的代表，与当前主流的第二代硅基半导体材料相比，能够有效提高系统效率、降低能耗、减小系统装置体积与重量、提高系统可靠性。未来，半导体SiC材料制作成的功率器件将支撑起当今节能技术的发展趋向，成为节能装置最核心的部件。（来源：电力电子网）
5. 粤芯12寸晶圆生产线落户
2017年12月26日，粤芯半导体(CanSemi)项目奠基暨广州开发区集成电路产业创新园启动仪式在在广州开发区举行。
据了解，粤芯半导体项目由广州金誉集团、专家团队、广州开发区科学城集团设立，面积约为14万平米，计划总投资70亿元，建设月产4万片的12寸生产线，预计2019年投产。据悉项目团队来自中芯国际、华虹宏力、台积电，平均工作经验25年。广州开发区表示，粤芯半导体的落户，为广州半导体产业链串联开了个好头，同时引来9个芯片设计项目，1个设计测试服务项目，3个封装测试项目，1个材料项目，还有1个产业基金项目。
据介绍，粤芯半导体成立于2017年12月12日，由广州誉芯众诚股权投资合伙企业（有限合伙）和科学城（广州）投资集团有限公司设立，注册资本10亿元。（来源：芯华社）
6. 中车时代电气成功研制世界最大容量压接型IGBT
近日，由中车时代电气完成的“3600A/4500V压接型IGBT及其关键技术”通过中国电子学会的鉴定，被认定为世界上功率等级最高的压接型IGBT。这一成果实现了国内压接型IGBT技术“从无到有”的跨越，打破了国外大功率压接型IGBT的技术和市场垄断。
目前，由中车时代电气研制的大容量压接型IGBT模块，已通过多家电网企业的柔直换流阀级的示范应用验证试验，达到了量产及工程化应用的要求。针对压接式IGBT器件量产需求，目前中车时代电气已完成压接式IGBT中试生产线的布局规划及初期建设，预计2018年第一季度完成。
中车时代电气研制的3600A/4500V压接型IGBT模块，是目前市场可见产品中容量最大，且具备双面散热、长期稳定失效短路能力的器件，实现了国内大容量压接型IGBT技术“从无到有”的跨越，再次实现高端装备制造业“中国芯”的突破。（来源：中车时代电气）
7. 三安高端半导体项目正式开工建设
据泉州网报道，12月26日，“泉州芯谷”南安园区三安高端半导体项目正式开工建设。
据了解，12月5日晚间，三安光电发布公告，与福建省泉州市人民政府和福建省南安市人民政府签署《投资合作协议》的议案。根据协议约定:公司拟在福建省泉州芯谷南安园区投资注册成立一个或若干项目公司，投资总额 333 亿元(含公共配套设施投资，单位:人民币，下同)，全部项目五年内实现投产，七年内全部项目实现达产，经营期限不少于 25 年。
其中，项目包括高端氮化镓LED衬底、外延、芯片的研发与制造产业化项目，高端砷化镓LED外延、芯片的研发与制造产业化项目，大功率氮化镓激光器的研发与制造产业化项目等七大产业集群。
据悉，此次投资将成立若干个项目公司，达产后年销售收入约270 亿元(按当前产品单价计算)。三安光电在泉州芯谷南安园区设立全资子公司投资集成电路、LED外延和芯片的研发与制造产业和项目，公司名称暂定为泉州三安半导体科技有限公司，注册资本 20 亿元。（来源：天天IC）
8. 国产北斗芯片累计销量突破5000万片
国新办就北斗系统开通五周年有关情况举行新闻发布会。中国卫星导航系统管理办公室主任、北斗卫星导航系统发言人冉承其介绍，我国国产北斗芯片实现规模化应用，工艺由0.35微米提升到28纳米，最低单片价格仅6元人民币，总体性能达到甚至优于国际同类产品。目前，国产北斗芯片累计销量突破5000万片，高精度OEM板和接收机天线已分别占国内市场份额的30%和90%。
据北斗卫星导航系统总设计师杨长风在第六届中国卫星导航与位置服务年会上介绍，我国计划今年年底前发射四颗北斗三号卫星，目前正扎实推进北斗全球系统的组网建设和北斗二号区域系统的稳定运行。预计2020年前后全面建成具备覆盖全球的服务能力，届时北斗产业规模将达到2400亿元。（来源：证券时报）
9. 四季度全球DRAM销售金额达210亿美元创新高
由于缺货压力持续存在，2017年全球DRAM销售金额逐季攀升，且近4季每季的DRAM销售金额均刷新历史纪录。据IC Insights估计，2017年第四季全球DRAM销售金额将达到210.61亿美元。
IC Insights分析，DRAM的供需缺口是全面性的，特别是服务器使用的高效能DRAM与智能型手机等行动装置所使用的低功耗、高密度DRAM，缺货情况相当明显。
以全年度来看，2017年全球DRAM市场规模比2016年暴增74%，表现同样可圈可点。但IC Insights也警告，DRAM向来是个景气暴起暴落的产业。 2018年三星(Samsung)与SK海力士(SK Hynix)都会有新的DRAM产能上线，且两家公司都将有大手笔的资本支出。因此，DRAM景气的反转向下，可能会在明后年出现。（来源：集微网）
10. 东芝宣布建设第七座闪存工厂：SSD产能井喷
今年是FlashNand厂家收获的一年，零售价的暴涨极大充盈了收入，同时还对利润做出巨大贡献，所以四大厂，三星、Intel/美光、东芝、SK海力士也有了很足的底气进行新的战略投资。
据TMHW报道，东芝宣布，将拿出10.62亿美元准备第七座闪存工厂(Fab7)，地点四日市(Yokkaichi)。事实上，东芝目前正在紧锣密鼓地建设Fab6，位于北上(Kitakami)，预计2018年第四季度落成。因为东芝将闪存业务出售给贝恩资本，老伙计西数插手阻挠，现在双方和解，条件就是西数拥有东芝新生产线的优先投资权，所以Fab6投产后，西数也会从中受益。
