偏振态(SOP)作为光子的基本属性,在通信、光学相干层析成像、医学诊断、远距离探测、材料分析等领域具有广泛应用。偏振控制器是偏振应用系统的核心器件,可通过旋转波片及双折射效应等传统方式实现,但传统分立器件存在体积大、速度慢、可重构性差等问题。该封面文章提出了一种超紧凑、大容差、易调控的新颖硅基片上偏振控制器,其基本原理是:利用脊型硅光波导模式杂化效应,实现光波的水平偏振分量与竖直偏振分量的相互转化。进一步利用MZI结构及移相器,可调控两个偏振分量的能量比及相位差,从而实现任意偏振态之间的转换。由于其结构的完美对称性,该研究工作获得了目前报道的最高偏振隔离度变化范围,在相关领域具有广泛应用前景。
——
孙皓副研究员,清华大学
偏振态(SOP)是光子的基本属性,包括线偏振、椭圆偏振、圆偏振等。由于偏振光独特的电磁波分布及传输特性,在通信、光学相干层析成像、医学诊断、远距离探测、材料分析等领域具有重要应用。通常情况下,偏振光可描述为:
其中
E
x
和
E
y
分别是平面光波的水平分量和竖直分量,
a
x
和
a
y
是它们对应的幅度,
δ
x
和
δ
y
是对应的初始相位,
ω
是光束的角频率,
t
是时间变量。光偏振态通常用偏振隔离度PER=10log
10
(a
y
2
/a
x
2
)和偏振分量相位差δ
0
=
δ
y
-
δ
x
来表征。因而,通过控制PER和δ
0
则可实现偏振态调控。
此前实现片上偏振控制的主要思路是:入射光经过偏振旋转分束器,使其
E
x
和
E
y
分量分别转换为两个分离的TE
0
模;再采用两个马赫-泽德干涉仪(MZI)调控这两个TE
0
模式的幅度比以及相位差;最后,再通过一个偏振旋转分束器进行合束输出。但由于工艺误差,偏振旋转分束器和MZI往往性能受限,目前报道的片上偏振控制器PER范围为20-40 dB,不足以覆盖庞加莱球表面。为了获得更大的偏振隔离度范围,可需要级联多个MZI结构,但进一步增加了系统复杂度。
为此,
浙江大学戴道锌教授
团队基于其扎实的片上偏振调控器件研究基础,提出并研制了
一种
新颖片
上偏振控制器
,
巧妙地利用
特定尺寸脊
型
硅光波导的偏振模杂化效应,并引入双模MZI结构及移
相器
,进而实现两个任意偏振态之间的高效转换
。
该结构具有完美对称性,在90 nm
波长范围
内均可获得>54 dB
的
超大偏
振隔离度范
围(目
前报道的最优结果
)。
相关成果发表于
Photonics Research
2024年第2期,被遴选为封面文章。
图1(a)为所提出的新型硅基片上偏振控制器结构,包括一个特殊偏旋转器、两个热光相移器(PS# 1、PS# 3)以及两个端面耦合器。其中,偏振旋转器由1×1 MZI、偏振相关模式转换器(PDMC # 1、PDMC # 2)构成,其光波导截面如图1(b)-(c)所示。对于入射光,其
x
-分量和
y
-分量分别转换为硅光波导的TE
0
和TM
0
模式。当光进入到偏振相关模式转换器时,其TM
0
模由于偏振模杂化高效转换为TE
1
模,而TE
0
模则无损通过。进一步通过带相位调控的1×1 MZI,则可实现两个偏振态之间的转换。
图1 提出的硅基片上偏振控制器:(a)俯视图;(b) 相移区波导截面;(c) MZI臂波导截面
具体来讲,其基本调控过程为:对于入射的任意偏振态光束,通过调节相移器PS #1(φ
1
),可在MZI双臂获得等比分光;再通过控制MZI两臂相移差φ
2
即可获得任意TE
0
/TM
0
模式比列(即
任意PER)
;最后,控制第二个相移器PS #1(φ
3
),则可控制输出TE
0
/TM
0
模之间
相位差δ
’
,从而生成任意的偏振态。值得注意的是,在此MZI两臂
50%:50%的分光比
是获得高偏振隔离度的关键。图2展示了不同入射偏振光在PS #1、PDMC #1和DMPS #1区域传输的仿真结果。由此可见,对于TE
0
或TM
0
,MZI两臂总可以获得50%:50%的分光比,如图2(a-b)所示;而对于其它偏振光,则通过调节φ
1
,也可获得50%:50%的分光比,如图2(c-e)所示。
图2 不同偏振光在PS #1、PDMC1和DMPS #1区域的传输情况:(a) TE
0
模式,(b) TM
0
模式,(c) 45°线偏振光(δ=2mπ),(d) 45°线偏振光(δ=2mπ+π),(e) 45°线偏振光(δ=2mπ±0.5π) (@1550 nm)
图3给出了入射到MZI两臂的TE
0
模具有不同相位差δ情况下的光场传输结果。可以发现,当φ
2
=0,其输出为纯TE
0
模,见图3(a);当φ
2
=π,其输出为纯TM
0
模,见图3(b);而当φ
2