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成立于
1980
年的联电（
UMC
），早于台积电（
TSMC
）创建，曾经领导了中国台湾地区半导体业的发展。联电也是台湾第一家上市的半导体公司（
1985
年）。该公司也曾以策略创新见长，首创了员工分红入股制度。然而，在晶圆代工方面，台积电才是缔造者，并将其发扬光大，而同样以晶圆代工为主业的联电，在过去
20
多年的
PC
和手机时代里，似乎与台积电之间的差距越拉越大。那么，在正兴起的智能硬件和物联网（
IoT
）时代，市场呈现出新的业态和商业模式，在这样的挑战与机遇面前，联电能够突破常规，实现绝地反击呢？
新市场格局下的挑战和机遇
在传统的
PC
，以及眼下的智能手机时代，整个产业链中的半导体元器件、系统设计
/
集成商、终端品牌及其
OEM/EMS
厂商，根据市场需求，采取的是建设一个垂直化的生态系统，以实现大批量生产的商业模式。而随着智能硬件以及物联网的兴起，这种模式正在受到挑战，市场需要更加多样化、单类小批量的产品，且对上市时间提出了更高的要求，例如目前的手机
6
个月就可以更新一代产品，而新兴的智能硬件产品，则不断地缩短着产品面市时间，有的
3
个月就可以更新一代。
以上这些变化对产业链上的各个环节都提出了更多且更高的要求，新的挑战摆在了半导体元器件、系统设计
/
集成商、终端品牌及其
OEM/EMS
厂商面前，如何应对市场的变化和需求，是所有人都要面对的挑战，与此同时，机遇也隐藏在其中，谁能够提早洞察到这种变化趋势，并迅速采取措施应对，只要策略得当，并坚持做下去，有后发优势的企业、或者是这之前在同一领域处于劣势地位的厂商，实现新市场形势和格局下的超越完全是有可能的。
要应对智能硬件和
IoT
对产品小批量、多样化的需求，除了产业链横向、纵向各个厂商要进一步加强协作以外，对于这个产业也提出了新的要求，主要体现在
3
方面：一是要具备多样化的技术，二是极强的系统集成能力，三是要进一步缩短研发周期，使产品快速面市。满足了这三点，企业在未来的竞争当中就能立于不败之地。
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为应对市场发展的变化和需求，联电这几年一直在不遗余力地研发新技术、拓展市场，力求在新的业态和商业模式下占得先机。
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该公司拥有包括
28
纳米
Poly-SiON
技术、
High-K/MetalGate
后闸极技术、混合信号
/RFCMOS
技术，以及其它涵盖广泛的特殊工艺技术。联电现共有
11
座晶圆厂（包括正在建设中的），其中包含位于台湾的
Fab 12A
与新加坡的
Fab 12i
，以及厦门在建的
Fab 12X
这三座
12
英寸厂。
Fab 12A
厂位于台南，目前生产
28
纳米制程产品，其单月晶圆产能超过
50,000
片，第一至四期目前生产最先进至
28
纳米的产品，第五、六期已兴建完成，第七、八期则已在规划当中。
Fab 12i
位于新加坡，这座第二代
12
吋晶圆厂单月晶圆产能为
45,000
片。除了
12
吋厂外，联电拥有七座
8
吋厂与一座
6
吋厂，其它
Fab
及服务据点则分散在台湾、日本、韩国、中国大陆、新加坡、欧洲及美国等地。
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迟来的
14nm
工艺量产
联电一度是跟台积电并列的台湾晶圆代工厂，不过在
28nm
节点之后已经被台积电甩开，他们现在
28nm
工艺的营收比例也不过
21%
，主力还是
40nm
工艺。在
FinFET
节点上，台积电选择了
16nm
，联电跟三星一样都是
14nm FinFET
工艺，不过量产时间要晚得多，要等到
2017
年
Q2
季度才能量产。
跟三星一样，
UMC
公司也是
IBM
主导的通用技术联盟成员，
FinFET
节点上也是选择了
14nm
工艺，虽然两家工艺肯定有所不同，但技术方向大体相似，只不过三星量产
14nm
工艺都快两年了。
UMC
的
14nm
工艺将在
2017
年
Q2
季度量产，首个客户也确定了，不是高通这样的移动处理器，而是
BitFury
，他们的比特币矿机芯片将使用
UMC
的
14nm
工艺代工。
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矿机芯片用上
14nm
工艺有助于节能，降低成本，不过矿机现在不复当年之勇了，他们的订单量跟移动处理器是没得比的，这也从侧面说明
UMC
公司在吸引
14nm
客户上面临的窘境——量产没什么用，没客户才是致命问题。
不过早点量产
14nm
工艺对
UMC
还有别的好处——由于台湾政府限制半导体公司对大陆投资，制程工艺要落后一代才能登陆大陆投资，
TSMC
在南京建设的
12
寸晶圆厂虽然使用
16nm
工艺，但
2018
年量产时
TSMC
早就生产
10nm
甚至
7nm
工艺了，落后一到两代。
UMC
一旦量产了
14nm
工艺，那么就可以把
28nm
产能转向厦门的
12X
晶圆厂，现在该工厂生产的还是
40/55nm
工艺产品，而中芯国际已经量产
28nm
了，并计划
14
纳米
FinFET
制程在
2020
年量产，但日前动土的上海厂将切入
14
纳米，预计
