为了营造青年人才成长的环境，提升中国第三代半导体产业技术创新能力，第三代半导体产业技术创新战略联盟青年创新促进委员会在科技部人才中心的指导下，开展了“第三代半导体卓越青年”评选活动。首届启动“第三代半导体卓越创新青年”评选通知发出后，得到了领域内青年工作者们的积极参与。经组委会初评、评委会专家评分、网络投票等几个环节认真的审定，于2016年11月14日在联盟第二次会员代表大会上，揭晓了获得首届“第三代半导体卓越创新青年”的获奖人员。
以下是
首届
“
第三代半导体卓越创新青年
”获奖
者株洲中车时代电气史晶
晶博士
分享的研究内容。
史晶晶
,
株洲中车时代电气半导体事业部，从事
SiC
功率器件研发工作。
2006
年毕业于吉林大学，获得学士学位，
2011
年毕业于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所凝聚态物理专业，获得博士学位。
承担多项国家项目，包括国家02专项1项、国家发改委项目1项及863计划项目2项，项目获得研究经费总计超过3亿元。
SiC 器件市场产业化推进
主持国内首条4/6寸兼容SiC 产业线建设工作。负责产业线工艺布局、设备选型、设备安装调试及工艺调试等工作。该产业线投资2.5亿元，将达到3万片/年的产能。该产业线的顺利建成，标志着国内SiC 功率器件由研发向产业化的转型，对国内SiC 功率器件领域具有里程碑式的意义。
针对轨道交通及光伏等应用领域，开展了SiC 功率器件示范应用工作。目前，国内首款自主研发的1700V/1600A SiC 功率模块已经完成昆明地铁6000公里验证，1200V SIC 功率模块国内首次进行了光伏逆变器示范应用，国内首款3300V SiC 功率模块也正在进行轨道交通领域应用考核。
SiCSBD 器件结构和工艺定型，实现全系列SiC SBD 产品。
SiC 领域技术突破
突破SiC MOSFET 器件栅极氧化技术瓶颈，与中国科学院微电子研究所联合报道国内首款SiC MOSFET 器件。
开展国际合作，加强国际技术交流
与英国等国外研究机构进行合作，有效利用国际资源，提高自主创新能力，推动全球SiC 产业发展。
加强产业链融合，推动国内SiC 全产业链发展
通过SiC 功率器件的产业化，带动SiC 材料、装置、系统及应用的发展，推动国内SiC 全产业链向前发展。
